引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少的制作方法

技术特征：

技术总结
本申请涉及引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少。提供了面缺陷面密度≤100cm‑2的氮化铝(AlN)块体单晶。用于生长单晶氮化铝的方法包括使铝箔熔融以便用铝层均匀地湿润基底，对于有待由于AlN生长的AlN籽晶，该基底形成AlN籽晶保持器的一部分。该保持器可基本上由基本不可渗透的背衬板构成。

技术研发人员：R·T·邦德科夫;K·E·摩根;L·J·肖沃尔特;G·A·斯莱克
受保护的技术使用者：晶体公司
技术研发日：2008.01.17
技术公布日：2017.08.18