1.一种厘米量级单晶三氧化钼纳米带的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将钼源固定在坩埚中；
（2）将Y2O3粉末覆盖在所述钼源的表面上；
（3）将坩埚放置在磁悬浮熔炼炉的线圈中，打开电源启动磁悬浮炉，升温至1000℃~2000℃内，保温10 秒 ~ 100分钟；
（4）关闭电源，冷却至室温后取出坩埚，在坩埚中收集白色团絮状物质，该絮状物质即为厘米量级单晶三氧化钼纳米带。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Y2O3粉末在升温到1000 ℃ 以上时，呈现熔融状态。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Y2O3粉末和所述钼源的质量比为0:1~100:1。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钼源为导电含钼材料板，在放入坩埚之前还包括对所述钼板的表面进行打磨清除污染物的处理步骤。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述磁悬浮炉的升温功率为0.1 KW 以上功率。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中保温时间与坩埚材质、结构、冷却方式、坩埚内磁感应强度及所需氧化钼单晶的尺寸有关。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述坩埚的材料为金属氧化物、高导热金属材料、铝酸盐、钛酸盐及硅酸盐等非电磁屏蔽材料。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚的结构为单层坩埚壁、双层坩埚壁或多层坩埚壁。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚的冷却方式为水冷或自然冷却。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钼源的截径在0.1 mm以上。