1.一种有利于红橙光激光输出的掺镨氟化锶激光陶瓷，其特征在于：所述掺镨氟化锶激光陶瓷还掺有Y3+或Gd3+，掺Y3+或Gd3+的浓度为0.6～10at％。
2.根据权利要求1所述的掺镨氟化锶激光陶瓷，其特征在于：所述掺镨氟化锶激光陶瓷中掺Pr3+的浓度为0.2～1.0at％，并且所述掺镨氟化锶激光陶瓷在450～700nm可见光波段下，具有470～495nm，510～555nm，580～620nm，640～660nm波段的荧光峰。
3.一种权利要求1或2所述的掺镨氟化锶激光陶瓷的制备方法，其特征在于步骤如下：
1)将PrF3、RF3和SrF2按照摩尔比0.002～0.02：0.006～0.3：1进行配料，其中R为Y或Gd，并加入占PrF3、RF3和SrF2三者总质量1％的PbF2作为除氧剂，在真空手套箱内将其充分混合并置于坩埚内，然后采用坩埚下降法或温梯法生长晶体，晶体生长完毕后降温至室温得到掺杂的SrF2晶体；
2)将步骤1)所得掺杂的SrF2晶体用外圆和内圆切割机加工成标准尺寸的样品，然后将样品置于模具中并与模具一起放入烧结炉中进行锻压处理，锻压结束后随炉冷却至室温，取出样品并进行高精度抛光，即得到掺镨氟化锶激光陶瓷。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤1)所述PrF3、RF3、SrF2和PbF2纯度≥99.99％。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤1)所述坩埚的材料为铂金或者高纯石墨，坩埚底部不放籽晶或放入线方向为[111]的SrF2单晶棒。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤1)所述采用坩埚下降法生长晶体的工艺条件为：真空度1.0×10-3～5.0×10-3Pa条件下，从室温开始升温，升温速率50℃/h，在温度达到1450℃后保温12h然后开始下降生长晶体，下降速度为1.0mm/h，180h后晶体生长完毕，随后以25℃/h的速率降至室温。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤1)所述采用温梯法生长晶体的工艺条件为：真空度3.0×10-3Pa以下，从室温开始以80℃/h的升温速率升温，在温度达到1440～1480℃后保温1h，然后降温生长晶体，降温速率为1.2℃/h，生长时间240h，生长完毕后以20℃/h的速率退火降温至室温。
8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤2)所述标准尺寸为36mm×5mm×3mm或6mm×6mm×4mm或5mm×5mm×9mm。
9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤3)所述样品与模具之间用双层石墨纸隔离。
10.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤3)所述锻压处理的工艺条件为：真空度2.0×10-3Pa以下，从室温开始以70～80℃/h的速率升温，当温度达到1060℃时保温20～50min，然后沿晶体生长方向进行锻压，压力保持在0.5～1.0t，当相对形变达到35～40％时停止加压加热，随炉冷却至室温。