蓬松海花盐的生产系统的制作方法

本实用新型涉及盐制备技术领域，尤其涉及一种自然低钠、蓬松速溶的海花盐的生产系统。

背景技术：

目前，国内海盐区生产精制盐的工艺主要有滩田饱和卤水进罐蒸发制盐和原盐溶解制成饱和卤水蒸发制盐两种方法。部分专利中提供了海水或卤水制取低钠盐的方法。

中国专利(CN101456563A)(申请人为东营春兴盐化有限公司)的专利中提供了一种海水制取低钠盐的简单工艺，即制卤工序、结晶工序、控水入库工序，通过严格控制海水蒸发，以控制其中钠、钾含量，后转入结晶池内结晶，此种方法制取的产品盐颗粒密实、质硬，盐的纯度较低，质量较差。

美国专利(US7621968B1)中提供的制取低钠盐的蒸发工序是在岩盐结晶后的剩余卤水中加入海水再蒸干，以降低晒盐中氯化钠的含量，得到所需低钠盐产品，工艺较为复杂，且产品不蓬松、溶解较慢。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种生产投入小、易实现工业化、产品蓬松速溶、自然低钠的海花盐的生产系统。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

蓬松海花盐的生产系统，包括用于溶解原盐的化卤池、与所述化卤池连通的沉淀池、与所述沉淀池连通的过滤池以及与所述过滤池连通的储卤池，所述储卤池连接有储卤罐，所述储卤罐连接有卤水输送装置，所述卤水输送装置连接有排卤管道，所述排卤管道的底部沿管道长度方向均匀开 设有若干排卤孔；位于所述排卤管道的下方设置有蒸发锅，所述排卤孔的开口朝向所述蒸发锅。

作为优选，所述储卤池与所述储卤罐之间设置有过滤泵，通过过滤泵将储卤池内精制卤水机械过滤进一步去除絮状物。

作为优选，所述卤水输送装置包括与所述储卤罐连通的输送泵，所述输送泵连接有输卤管道，所述输卤管道与所述排卤管道相连通；所述输卤管道上设置有两级控制阀。

作为优选，所述蒸发锅的上方设置有排温罩，利于蒸发提高产量，并避免异物进入蒸发锅内。

本实用新型具有以下有益效果：

(1)输卤方式采用多点空置淋卤法，通过排卤管道的排卤孔将卤水均匀排入蒸发锅内，避免了局部灌卤温度差异大而影响产品颗粒型态的问题，可保证产品颗粒蓬松，带雪花状，并具速溶的特点。

(2)通过化卤池、沉淀池、自然过滤池以及机械过滤，能够保证产品的纯净晶莹，整个生产系统设计合理，生产投入小，控制操作方便，易实现工业化。

附图说明

以下附图仅旨在于对本实用新型做示意性说明和解释，并不限定本实用新型的范围。其中：

图1是本实用新型实施例的系统结构图；

图2是排卤管道的局部结构示意图。

图中：1-化卤池；2-沉淀池；3-过滤池；4-储卤池；5-储卤罐；6-输送泵；7-排卤管道；8-排卤孔；9-蒸发锅；10-过滤泵；11-输卤管道；12-控制阀；13-排温罩。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，进一步阐述本实用新型。在下面的详细描述 中，只通过说明的方式描述了本实用新型的某些示范性实施例。毋庸置疑，本领域的普通技术人员可以认识到，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，附图和描述在本质上是说明性的，而不是用于限制权利要求的保护范围。

如图1和图2所示，蓬松海花盐的生产系统，包括用于溶解原盐的化卤池1、与所述化卤池1连通的沉淀池2、与所述沉淀池2连通的过滤池3以及与所述过滤池3连通的储卤池4，所述储卤池4连接有储卤罐5，所述储卤罐5连接有卤水输送装置，所述卤水输送装置连接有排卤管道7，所述排卤管道7的底部沿管道长度方向均匀开设有若干排卤孔8；位于所述排卤管道7的下方设置有蒸发锅9，所述排卤孔8的开口朝向所述蒸发锅9。

其中，所述卤水输送装置包括与所述储卤罐5连通的输送泵6，所述输送泵6连接有输卤管道11，所述输卤管道11与所述排卤管道7相连通；所述输卤管道11上设置有两级控制阀12。

为进一步去除絮状物，所述储卤池4与所述储卤罐5之间设置有过滤泵10，通过过滤泵10将储卤池4内精制卤水机械过滤进一步去除絮状物。

另外，所述蒸发锅9的上方设置有排温罩13，其利于蒸发提高产量，并避免异物进入蒸发锅9内。

生产方法如下：精选优质原盐，投放化卤池1溶解化卤，形成饱和卤水；饱和卤水经沉淀池2去除泥沙、杂质后至过滤池3；经精制后，进一步去除微小颗粒泥沙及絮状物后至储卤池4；利用过滤泵10将储卤池4内精制卤水机械过滤进一步去除絮状物后输送至储卤罐5，精制卤水在储卤罐5内沉淀上层形成卤水清液；卤水清液经排卤管道7通过多点空置淋卤法进入蒸发锅9，避免了因局部灌卤温度差异大而影响产品颗粒型态及产品质量的问题；蒸发锅9内卤水蒸发，结晶析出的盐颗粒蓬松且带雪花状，并具有速溶的特点；采用捞盐器捞盐至控淋车，进行控淋，然后经烘干、检验、分装成袋作为成品销售。

以上所述仅为本实用新型示意性的具体实施方式，并非用以限定本实 用新型的范围。任何本领域的技术人员，在不脱离本实用新型的构思和原则的前提下所作出的等同变化与修改，均应属于本实用新型保护的范围。