一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置的制作方法

文档序号:11836586阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置,包括釜体(1),所述釜体(1)内设有坩埚(2),所述坩埚(2)中装设有生长溶液(3),所述生长溶液(3)的表面处通过漂浮体(4)固定有籽晶(5),其特征在于:所述漂浮体(4)通过至少一个拉绳(6)限制在生长溶液(3)表面处的中心区域,所述坩埚(2)的下端设有转盘(7),所述转盘(7)通过转轴(8)连接有位于釜体(1)外的转动电机(9)。

2.根据权利要求1所述的一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置,其特征在于:所述漂浮体(4)为密度小于晶体生长溶液的实心体,上端设有便于固定拉绳(6)的穿孔。

3.根据权利要求1所述的一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置,其特征在于:所述拉绳(6)由耐高温纤维编织而成。

4.根据权利要求1所述的一种籽晶漂浮于生长溶液的GaN晶体生长装置,其特征在于:所述转轴(8)与釜体(1)连接处设有轴封。

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