III族氮化物结晶的制造方法、以及含RAMO4基板与流程

本发明涉及iii族氮化物结晶的制造方法、以及含ramo4基板。

背景技术：

近年来，gan等iii族氮化物的结晶作为发光二极管等的材料受到关注。作为这样的iii族氮化物的结晶的制造方法之一，已知在na等助熔剂中，使iii族元素与氮反应，在基板上进行结晶生长的助熔剂法。作为此时的基板，通常为蓝宝石基板等(例如参照专利文献1和2)。但是，蓝宝石基板相对于gan的晶格不匹配率为13.8％，若使iii族氮化物结晶在该蓝宝石基板上生长，则存在容易产生结晶缺陷等课题。

另一方面，作为用于制作iii族氮化物的基板，包含以scalmgo4为代表的、通式ramo4所表示的单晶体(通式中，r表示选自sc、in、y和镧系元素中的一个或多个三价元素，a表示选自fe(iii)、ga和al中的一个或多个三价元素，m表示选自mg、mn、fe(ii)、co、cu、zn和cd中的一个或多个二价元素)的基板(以下，也仅称“ramo4基板”)作为晶格不匹配率小的材料被提出(例如参照专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-246341号公报

专利文献2：日本专利第4716711号公报

专利文献3：日本特开2015-178448号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

因此，可以想到将上述专利文献3中记载的ramo4基板应用于助熔剂法。然而，若将ramo4基板浸渍于na等的助熔剂中，则有时在助熔剂中混入构成ramo4基板的元素。并且，若发生这样的元素的混入，则这些元素容易进入iii族氮化物结晶内，容易引起晶格尺寸或能带结构的变化、电学特性(导电率)的变化。

因此，本发明的目的在于提供在ramo4基板上通过助熔剂法制造高品质的iii族氮化物结晶的方法。

用于解决问题的手段

为了达成上述目的，本发明提供一种iii族氮化物结晶的制造方法，其包括：在包含通式ramo4所表示的单晶体(通式中，r表示选自sc、in、y和镧系元素中的一个或多个三价元素，a表示选自fe(iii)、ga和al中的一个或多个三价元素，m表示选自mg、mn、fe(ii)、co、cu、zn和cd中的一个或多个二价元素)的ramo4基板的外延生长面以外的区域，形成保护层的保护层形成工序；在所述ramo4基板的外延生长面上，通过助熔剂法形成iii族氮化物结晶的结晶形成工序。

发明效果

根据本发明，在利用助熔剂法制造iii族氮化物单晶时，构成ramo4基板的元素不会混入助熔剂中，能够制造高品质的iii族氮化物结晶。

附图说明

图1的图1a和图1b为本发明的实施方式中使用的结晶制作装置的示意性截面图。

图2为本发明的实施方式中使用的含ramo4基板的一例的示意性截面图。

图3为本发明的实施方式中使用的含ramo4基板的另一例的示意性截面图。

具体实施方式

图1a和图1b中，示出用于进行本发明的助熔剂法的反应装置(结晶制作装置)100的一例的示意性截面图。如图1b所示，本发明的iii族氮化物的制造方法中，在使含ramo4基板11浸渍于包含iii族元素和助熔剂的混合液12中的状态下，向反应室103内导入氮气。并且，在混合液12中使iii族元素和氮反应，从而在含ramo4基板11表面使iii族氮化物的结晶生长，得到所期望的iii族氮化物结晶。

以往，作为这样的方法中使用的结晶制作用基板，通常为蓝宝石基板。然而，蓝宝石基板相对于gan等的晶格不匹配率大，得到的gan等iii族氮化物结晶中容易产生晶格缺陷等。因此，如前所述，正在研究与gan等的晶格不匹配率小的ramo4基板(例如scalmgo4基板)的应用。然而，发现若在助熔剂法中使用前述的ramo4基板，则来自ramo4基板的元素容易进入所得到的iii族氮化物结晶内，容易引起晶格尺寸或能带结构的变化、电学特性(导电率)的变化。对于其理由，以使包含scalmgo4的单晶的基板浸渍于na助熔剂中来制作gan的结晶的情况为例进行说明。

na助熔剂法中，使scalmgo4基板浸渍于包含在高温下熔融的na(以下，也称“na助熔剂”)和ga的混合液中，在scalmgo4基板上进行gan的结晶生长。此时，scalmgo4基板熔解于na助熔剂中，在na助熔剂中sc、al和mg溶出。并且，在na助熔剂中溶出的3价元素(sc和al)容易代替ga与n键合而进入gan结晶内部。其结果是，gan的晶格尺寸发生变化，或能带结构发生变化，得到的gan结晶的品质降低。另外，对于2价元素(mg)也同样，有时代替ga进入gan结晶内部。而且在该情况下，由于价数的差异，而mg成为受体。其结果是，得到的gan的电学特性(导电率)发生变化，难以得到所期望的性能。

对于这样的课题，本发明中，使用ramo4基板的外延生长面以外的区域被保护层被覆的含ramo4基板，利用助熔剂法制作iii族氮化物结晶。根据本发明的方法，即使在na助熔剂等中浸渍含ramo4基板，来自ramo4基板的元素也难以溶出。因此，在得到的iii族氮化物结晶内，难以混入来自ramo4基板的元素，可以得到高品质的iii族氮化物结晶。

在此，在本发明的制造方法中，进行：准备ramo4基板的外延生长面被保护层保护的含ramo4基板的工序(基板准备工序)；以及在该含ramo4基板的未被所述保护层被覆的区域，通过助熔剂法形成iii族氮化物结晶的工序(结晶形成工序)。以下，对于本发明的实施方式的iii族氮化物结晶的制造方法，以ramo4基板为包含scalmgo4的单晶的基板(以下，也称“scalmgo4基板”)、且作为iii族氮化物结晶制作gan结晶的实施方式为例进行说明。

(含ramo4基板的准备)

结晶制作用基板至少具有scalmgo4基板、和被覆该scalmgo4基板的外延生长面以外的区域的保护层。本说明书中，“scalmgo4基板1的外延生长面1’”是指，scalmgo4基板之中，使gan的结晶进行外延生长的一侧的面。本实施方式的含ramo4基板11中，scalmgo4基板1如图2所示，可以仅在一面具有外延生长面1’。该情况下，scalmgo4基板1的外延生长面1’以外的区域是指，scalmgo4基板1的与外延生长面1’相反侧的面和侧面。也就是说，保护层2是覆盖scalmgo4基板1的与外延生长面1’相反侧的面和侧面的全部或一部分的层。保护层2可以不覆盖该侧面的一部分或全部，但为了更加获得本发明的效果，期望覆盖该侧面的全部。另外，本实施方式的含ramo4基板11中，scalmgo4基板1如图3所示，可以在两面具有外延生长面1’。该情况下，scalmgo4基板1的外延生长面1’以外的区域是指scalmgo4基板1的侧面。也就是说，保护层2是覆盖scalmgo4基板1的侧面的一部分或全部的层。

需要说明的是，可以在scalmgo4基板1上直接形成保护层2，但从抑制保护层2的剥离等的观点出发，如图2和图3所示，优选在scalmgo4基板1与保护层2之间形成有保护层侧缓冲层5。

另一方面，本实施方式的含ramo4基板11中，在scalmgo4基板的外延生长面1’上，可以不形成其它层，但从制作均匀且缺陷少的gan结晶的观点出发，如图2和图3所示，优选在scalmgo4基板1的外延生长面1’上形成有低温缓冲层3和晶种层4。

以下，对包含含scalmgo4基板11的各层进行说明。

首先，scalmgo4基板1是包含scalmgo4的单晶的基板，其厚度优选为100～1000μm左右，更优选为300～600μm。若scalmgo4基板1的厚度为该范围，则含scalmgo4基板11的强度容易充分提高，在gan结晶的制作时难以发生破裂等。另外，scalmgo4基板1的形状没有特别限制，考虑到工业上的实用性，优选直径50～150mm左右的晶片状。

在此，scalmgo4基板1的外延生长面优选在表面没有高度500nm以上的凹凸。若外延生长面具有高度500nm以上的凹凸，则在含scalmgo4基板1上使gan进行外延生长时有时产生问题。

另外，如图2所示，仅在scalmgo4基板1的一侧的面具有外延生长面1’的情况下，在scalmgo4基板1的与外延生长面1’相反侧的面(以下，也称“背面”)，优选高度500nm以上的大致均匀的凹凸无不均地形成。若在scalmgo4基板1的背面侧形成有高度500nm以上的凹凸，则能够抑制保护层2、保护层侧缓冲层5的剥离。需要说明的是，“高度500nm以上的大致均匀的凹凸无不均地形成”是指，按照连续地凹凸的高度低于500nm的区域的面积成为1mm²以下的方式，形成有大致均匀高度的凹凸。若凹凸局部地形成，则有时保护层2、保护层侧缓冲层5从没有凹凸的部位剥落。此外，为了gan结晶、其上形成的半导体层或金属层等的图案形成而进行曝光处理时，有时光从背面侧的平坦的区域反射，对曝光产生影响等。需要说明的是，上述凹凸高度是利用激光反射式测长机测定的值。

这样的scalmgo4基板可以按照以下方式制作。首先，作为起始原料，将纯度为4n(99.99％)以上的sc2o3、al2o3和mgo以规定的摩尔比配合。然后，向铱制的坩埚中投入该起始原料。接着，将投入了原料的坩埚投入高频感应加热型或电阻加热型切克劳斯基(czochralski)炉的培育炉，使该炉内成为真空。其后，导入氮或ar，在炉内成为大气压的时刻开始坩埚的加热。然后，用10小时左右缓缓加热直至到达scalmgo4的熔点使材料熔融。接着，使用沿(0001)方位切出的scalmgo4单晶作为晶种，使该晶种下降至坩埚内的熔液附近。然后，使晶种边以一定的旋转速度旋转边缓缓降低，使晶种的前端接触熔液并使温度缓缓降低，并且以提拉速度0.5mm/h的速度使晶种上升(沿0001轴方向提拉)，进行结晶生长。由此，可以得到scalmgo4的单晶铸锭。

在此，对scalmgo4单晶进行说明。scalmgo4单晶呈岩盐型结构(111)面的sco2层、与六方晶(0001)面的almgo2层交替地层叠的结构。六方晶(0001)面的2层与纤锌矿型结构相比是平面的，与面内的键相比，上下层间的键达到0.03nm之长，键合力弱。因此，scalmgo4单晶可以以(0001)面劈开。利用该特性，通过劈开将块体材料分断，由此可以得到所期望的厚度的scalmgo4基板。

但是，scalmgo4单晶虽然容易劈开，但是若劈开时的劈开方向的剥离力有偏差，则不发生在同一原子层的劈开。因此，难以得到平坦的外延生长面。因此，在制作scalmgo4基板时，优选根据需要对外延生长面侧的劈开面进行研磨，按照没有高度500nm以上的凹凸的方式进行加工。作为加工方法的一例，可以为：在scalmgo4基板的作为外延生长面的区域形成高度500nm以上的凹凸后，对该高度500nm以上的凹凸进行研磨，除去高度500nm以上的凹凸的方法。

更具体来说，使用附着有#300以上且#2000以下的金刚石磨粒的磨石，在下面的加工条件下对scalmgo4板状体的作为外延生长面的面进行磨削。由此可以形成500nm以上的凹凸。磨石转速设为500min^-1以上且50000min^-1以下，scalmgo4板状体转速设为10min^-1以上且300min^-1以下，加工速度设为0.01mm/秒以上且1mm/秒以下，加工除去量设为1μm以上且300μm以下。接着，使用以胶态二氧化硅为主成分的浆料和包含无纺布的研磨垫，在以下的加工条件下进行研磨。由此，能够除去高度500nm以上的凹凸。研磨垫的转速设为10min^-1以上且1000min^-1以下，浆料供给量设为0.02ml/分钟以上且2ml/分钟以下，加压力设为1000pa以上且20000pa以下。进一步，将加压力按照10000pa以上且20000pa以下、5000pa以上且小于10000pa、1000pa以上且5000pa以下的顺序随着加工进行而减弱，由此能够更正确地形成没有高度500nm以上的凹凸、特别是高度50nm以上的凹凸的外延生长面。需要说明的是，上述加工条件中，浆料供给量取决于scalmgo4板状体的尺寸。上述记载的浆料供给量为进行10mm见方尺寸的研磨时的值，例如在直径50mm的情况下，浆料供给量设为1ml/分钟以上且100ml/分钟以下。

另一方面，作为在背面侧无不均地形成高度500nm以上的大致均匀高度的凹凸的方法，可以举出使用金刚石固定磨粒进行磨削加工的方法。作为固定磨粒的磨粒，优选为#300以上且#2000以下的金刚石磨粒，更优选为#600的金刚石磨粒。更具体来说，使用固定有#300以上且#2000以下的金刚石磨粒的磨石，在磨石转速500min^-1以上且50000min^-1以下、scalmgo4板状体转速10min^-1以上且300min^-1以下、加工速度0.01mm/秒以上且1mm/秒以下、加工除去量1μm以上且300μm以下的条件下进行加工，由此能够形成上述凹凸。另外，此时，若使用#600的金刚石磨粒，则能够进一步减小多个凹凸的高度之差。此时的加工条件优选设为：磨石转速1800min^-1、scalmgo4板状体转速100min^-1、加工速度0.3mm/秒、加工除去量20μm。

另一方面，所述保护层2是在利用助熔剂法制作gan的结晶时，起到保护scalmgo4基板的作用的层。该保护层2为包含不溶于助熔剂(例如，na助熔剂)的材料的层即可，可以为包含sio2、aln、碳、sin、al2o3、ta、或gan等的层。这些之中，优选为aln、sin、al2o3或gan。若保护层为包含这些材料的层，则构成保护层的成分难以在na助熔剂中溶出，得到的gan结晶中难以产生晶格缺陷等。

保护层2的厚度优选为0.05μm以上且5μm以下，更优选为0.1μm以上且1μm以下。若保护层2的厚度为0.05μm以上，则将含scalmg4基板浸渍于助熔剂时，能够充分抑制scalmgo4基板的成分的溶出。另一方面，若保护层2的厚度为5μm以下，则难以在保护层2中产生裂纹或破裂，同样能够抑制scalmgo4基板的成分的溶出。

保护层2的形成方法没有特别限制，若能够在scalmgo4基板1、或后述的保护层侧缓冲层5上形成均匀的层，则其方法没有特别限制。保护层2的形成方法的例子中包括：溅射法、真空蒸镀法、离子镀法等pvd(物理蒸镀)法、等离子体cvd法、mocvd法等cvd(化学气相生长)法等。需要说明的是，利用这些方法形成保护层2时，优选根据需要利用掩模等保护scalmgo4基板1的外延生长面1’。由此，能够仅在scalmgo4基板1的外延生长面1’以外的区域形成保护层2。

另外，保护层侧缓冲层5是在保护层2与scalmgo4基板之间形成的层，是用于提高保护层2与scalmgo4基板1的密合性的层。保护层侧缓冲层5可以为包含与保护层2同样的材料的层。但是，保护层侧缓冲层5的线膨胀系数优选为scalmgo4基板1的线膨胀系数与保护层2的线膨胀系数之间的值。保护层2的线膨胀系数与scalmgo4基板1的线膨胀系数大不相同的情况下，由于在gan的结晶形成时施加热，在保护层2与scalmgo4基板1的界面产生应力，它们有时剥离。与此相对，若在scalmgo4基板1与保护层2之间形成有保护层侧缓冲层5，则在scalmgo4基板1与保护层侧缓冲层5的界面、以及保护层2与保护层侧缓冲层5的界面变得难以剥离，保护层2变得难以剥离。

保护层侧缓冲层5的线膨胀系数可以利用构成保护层侧缓冲层5的材料、温度等形成条件来调整。在此，保护层2的线膨胀系数与scalmgo4基板1的线膨胀系数哪一个大都可以。例如，线膨胀系数可以按照保护层2/保护层侧缓冲层5/scalmgo4基板1的顺序变大，线膨胀系数也可以按照scalmgo4基板1/保护层侧缓冲层5/保护层2的顺序变大。需要说明的是，保护层侧缓冲层5可以由2层以上的层构成。该情况下，优选越接近scalmgo4基板1的层越接近scalmgo4基板1的线膨胀系数。

该保护层侧缓冲层5的厚度优选为0.01μm以上且5μm以下，更优选为0.01μm以上且0.5μm以下。可是此时，优选保护层侧缓冲层5的厚度比保护层2的厚度薄。若保护层侧缓冲层5的厚度过厚，则保护层侧缓冲层5容易破裂，保护层2容易剥落。

保护层侧缓冲层5的制作方法没有特别限制，可以利用公知的方法形成，可以与上述的保护层2的形成方法同样。

另一方面，在scalmgo4基板1的外延生长面1’侧形成的低温缓冲层3是用于缓冲scalmgo4基板与在含scalmgo4基板11上形成的gan的晶格常数差的层。低温缓冲层优选为在400℃以上且700℃以下的较低温下使gan生长的非晶或多晶状的层。若含scalmgo4基板11具有这样的低温缓冲层3，则得到的gan中难以产生晶格缺陷等。

低温缓冲层3可以为包含gan的层。该低温缓冲层3的厚度优选为10nm以上且50nm以下，更优选为20nm以上且40nm以下。若低温缓冲层的厚度为10nm以上，则发挥晶格常数差的缓冲效果，得到的gan的结晶中难以产生晶格缺陷等。另一方面，若低温缓冲层的厚度过厚，则失去结晶晶格的信息而不能进行良好的外延生长。

低温缓冲层3可以利用气相生长法形成，例如可以为利用mocvd法形成的层。

另外，晶种层4是在制作gan的结晶时，成为gan结晶生长的晶种的层。若含scalmgo4基板11具有晶种层4，则能够使gan的结晶均匀地生长，容易得到高品质的gan。晶种层4可以为包含gan的层。

晶种层4的厚度优选为0.5μm以上且20μm以下，更优选为1μm以上且5μm以下。若晶种层4的厚度为0.5μm以上，则在非晶或多晶状的低温缓冲层上形成的晶种层4成为良好的单晶，得到的gan的结晶中难以产生晶格缺陷等。晶种层4可以利用气相生长法形成，例如可以利用mocvd法形成。晶种层4形成时的温度优选为1000℃以上且1300℃以下，更优选为1100℃以上且1200℃以下。若在这样的温度下形成，则能够形成结晶品质的良好的晶种层4。

需要说明的是，上述含scalmgo4基板11在制作gan结晶之前，可以对使gan结晶生长的面进行清洁处理，也就是说在本实施方式中可以对晶种层4表面进行清洁处理。通过利用清洁处理来除去表面的杂质等，可以得到更高品质的gan结晶。清洁用的气体的例子中，包含氢(h2)气、氮(n2)气、氨(nh3)气、稀有气体(he、ne、ar、kr、xe或rn)、或它们的混合气体。另外清洁处理可以通过在900℃以上且1100℃以下的温度下，与前述的气体接触1分钟以上、优选2分钟以上且10分钟以下来进行。

(gan结晶的制作)

接下来，在前述的含ramo4基板的晶种层4上，通过助熔剂法形成gan结晶。gan的结晶例如可以使用图1所示装置，按照以下方式形成。

如图1所示，反应装置100具有由不锈钢、绝热材等形成的反应室103，在该反应室103内，设置有坩埚102。该坩埚可以由氮化硼(bn)、氧化铝(al2o3)等形成。另外，在反应室103的周围，配置有加热器110，加热器110按照能够调整反应室103内部、特别是坩埚102内部的温度的方式设计。

另外，在反应装置100内，还设置有用于可升降地保持含scalmgo4基板11的基板保持机构114。另外，反应室103连接有用于供给氮气的氮供给线路113，该氮供给线路113与原料气罐(未图示)等连接。

制作gan结晶时，首先，向反应装置100的反应室103内的坩埚102中加入na助熔剂和作为iii族元素的ga。此时，可以根据需要添加微量添加物。需要说明的是，若在空气中进行这些作业，则有na发生氧化的可能性。因此，该作业优选在填充ar、氮气等不活泼气体的状态下进行。接着，将反应室103内密闭，将坩埚的温度调整到800℃以上且1000℃以下，更优选调整到850℃以上且950℃以下，进一步向反应室103内送入氮气。此时，使反应室103内的气压为1×10⁶pa以上且1×10⁷pa以下，更优选为3×10⁶pa以上且5×10⁶pa以下。通过提高反应室103内的气压，氮容易在na助熔剂中充分熔解，通过设为上述的温度和压力从而gan结晶能够高速生长。其后，进行保持或搅拌混合等直到na助熔剂、ga和微量添加物均匀混合为止。保持或搅拌混合优选进行1～50小时，更优选进行10～25小时。若进行这样的时间的保持或搅拌混合，则能够将na助熔剂、ga和微量添加物均匀混合。另外此时，若含scalmgo4基板11与低于规定温度的、或没有均匀地混合的na助熔剂、ga的混合液12接触，则发生晶种层4的蚀刻、品质差的gan结晶的析出等，因此优选利用基板保持机构114将含scalmgo4基板11保持在反应室103的上部。

其后，如图1b所示，使含scalmgo4基板11浸渍于混合液12。另外，可以进行混合液12的搅拌等。混合液12的搅拌可以通过摇动、转动等使坩埚102物理地运动，也可以使用搅拌棒、搅拌桨等搅拌混合液12。另外，可以使混合液12中产生热梯度，通过热对流来搅拌混合液12。通过搅拌，能够将混合液12中的ga和n的浓度保持均匀的状态，稳定地使结晶生长。也就是说，能够在含scalmgo4基板11的晶种层4上使gan的结晶外延生长。然后在该状态下，通过进行一定时间结晶生长，可以得到具有100μm～5mm左右的厚度的gan结晶。

需要说明的是，若与上述na助熔剂、ga一起添加微量添加物，则能够调整所得到的gan的导电性、带隙。微量添加物的例子中，包括硼(b)、铊(tl)、钙(ca)、含钙(ca)的化合物、硅(si)、硫(s)、硒(se)、碲(te)、碳(c)、氧(o)、铝(al)、铟(in)、氧化铝(al2o3)、氮化铟(inn)、氮化硅(si3n4)、氧化硅(sio2)、氧化铟(in2o3)、锌(zn)、镁(mg)、氧化锌(zno)、氧化镁(mgo)、和锗(ge)等。这些微量添加物可以仅添加1种，也可以添加2种以上。

(其它实施方式)

需要说明的是，上文中对于在含ramo4基板中包含scalmgo4的基板的方式进行了说明，但本发明不限于此。含ramo4基板所包含的基板为由通式ramo4所表示的大致单一结晶材料构成的基板即可。在此，通式中，r表示选自sc、in、y和镧系元素(原子序号67-71)中的一个或多个三价元素，a表示选自fe(iii)、ga和al中的一个或多个三价元素，m表示选白mg、mn、fe(ii)、co、cu、zn、cd中的一个或多个二价元素。需要说明的是，大致单一结晶材料是指，ramo4所表示的结构包含90at％以上，且关注于任意的结晶轴时，外延生长面的任何部分其方向都相同那样的结晶质固体。但是，结晶轴的方向局部地改变的结晶、包含局部的晶格缺陷的结晶也当做单一结晶材料。需要说明的是，o为氧。另外，如上所述，特别优选r为sc、a为al、m为mg。

此外在上文中，对于作为iii族氮化物制作gan的结晶的方式进行了说明，但本发明不限于此。本发明的iii族氮化物可以为包含iii族元素(al、ga或in)和氮的2元、3元或4元的化合物，例如可以为通式al1-x-ygayinxn(式中，x和y为0≤x≤1，0≤y≤1，0≤1-x-y≤1)所表示的化合物。另外，iii族氮化物可以包含p型或n型的杂质。需要说明的是，对于保护层2、低温缓冲层3、晶种层4、保护层侧缓冲层5，记载了gan作为材料，但也可以为上述所示的化合物。

例如，可以为将iii族元素(al、ga或in)中的至少一部分用硼(b)、铊(tl)等置换后的物质，将氮(n)的至少一部分用磷(p)、砷(as)、锑(sb)、铋(bi)等置换后的物质。另外，作为向iii族氮化物添加的p型杂质(受体)，例如，可以添加镁(mg)或钙(ca)等公知的p型杂顾。另一方面，作为n型杂质(供体)，例如，可以为硅(si)、硫(s)、硒(se)、碲(te)、氧(o)或锗(ge)等公知的n型杂质。另外，这些杂质(受体或供体)可以同时添加2元素以上。这样的iii族氮化物的结晶可以利用与上述同样的方法制作。

产业上的可利用性

通过利用本发明涉及的制造方法，能够得到高品质的iii族氮化物，例如能够得到发光不均少、亮度降低少的led元件等。

符号说明

1ramo4基板(scalmgo4基板)

1’外延生长面

2保护层

3低温缓冲层

4晶种层

5保护层侧缓冲层

11含ramo4基板(含scalmgo4基板)

12混合液

102坩埚

103反应室

110加热器

113氮气供给线路