本发明涉及建筑装饰材料
技术领域：
，尤其是涉及一种全透微粉抛光瓷砖及其制备方法。
背景技术：
：抛光砖，是通体砖的一种，由通体砖坯体的表面经过打磨而成的一种光亮的砖，是近年来国内外非常流行的新型装饰陶瓷材料，表面经过磨光，抛光砖的表面比通体砖要光洁的多。抛光砖与天然石材比较，无放射元素，天然石材属矿物质，未经高温烧结，故含有个别微量放射性元素，长期接触会对人体有害；抛光砖对人体无害；天然石材由于成岩时间、岩层深浅不同色差较大，抛光砖经精心调配，同批产品花色一致，基本无色差；抛光砖抗弯曲强度大，天然石材由于自然形成，成材时间、风化等不尽相同，导致紧密程度、强度不一；抛光砖由数千吨液压机压制，再经1200℃以上高温烧结，强度高；抛光砖砖体薄、重量轻，天然石材因强度低，故加工厚度较大，笨重，增加了楼层建筑物的负荷重量，形成潜在威胁，成本上升，并且增加了运输、铺贴等困难。同时，抛光砖具有抗冻防污、耐酸耐碱、光亮华丽、历久弥新的特点，抛光砖坚硬耐磨，适合在除洗手间、厨房以外的多数室内空间中使用，比如用于阳台，外墙装饰等，使抛光砖得到大量的运用。但是，目前抛光砖主要是采用传统的布料设备进行布料之后抛光，配方工艺相对比较简单，白料和透料温度相差不大，表面层次不明显，没有太好的仿真效果，同时存在抗渗透性、光泽度较差情况。技术实现要素：本发明的目的是针对以上现有技术的缺陷，提供一种全透微粉抛光瓷砖及其制备方法，解决传统抛光砖表面层次、立体性及仿石效果模糊不佳，研发了超透料的应用，使得仿石效果更为逼真，同时具有较好抗渗透性、光泽度。为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案来实现的：一种全透微粉抛光瓷砖，由如下重量份的原料制成：低温长石45-55份、膨胀珍珠岩30-40份、煅烧高岭土15-25份、软土5-10份、水磨钾长石粉2-8份、硼砂8-15份、瓷砂5-10份、硅石2-6份、水洗钠长石1-5份、精选砂5-15份和水50-60份。优选的，所述低温长石50份、膨胀珍珠岩35份、煅烧高岭土20份、软土7份、水磨钾长石粉5份、硼砂11份、瓷砂7份、硅石4份、水洗钠长石3份、精选砂10份和水55份。优选的，所述精选砂中二氧化硅含量不小于95%。一种全透微粉抛光瓷砖的制备方法，包括以下步骤：（1）球磨：按重量份数计，分别称取低温长石、膨胀珍珠岩、煅烧高岭土、软土、水磨钾长石粉、硼砂、瓷砂、硅石、水洗钠长石、精选砂加入球磨机后加水球磨均匀，得到泥浆；（2）除铁陈腐：将泥浆经过高磁除铁器自动循环除铁后放入浆池中进行陈腐；（3）制粉：将陈腐的泥浆放入喷雾干燥塔制成半干颗粒粉料；（4）压制成型：将粉料送入陶瓷压机进行压制成型制成砖胚；（5）烧成：将砖胚送入锟道窑烧制，烧制时间8-12h，预热温度为800-1000℃，烧制的温度为1300-1400℃，然后冷却至25-35℃，保温1-2h；（6）抛光：利用自动抛光机将烧制的产品表面抛至水平表面，即得全透微粉抛光瓷砖。优选的，所述步骤（1）中球磨均匀条件：以350-450r/min转速研磨40-60min。优选的，所述步骤（1）中研磨细度为200目筛余0.2-0.3%。优选的，所述步骤（2）中陈腐时间为2-3天。优选的，所述步骤（4）中陶瓷压机的压力为40-60mpa。优选的，所述步骤（5）中锟道窑升温速率为15-20℃/min。优选的，所述步骤（5）中锟道窑降温速率为10-15℃/min。本发明与现有技术相比，具有如下的有益效果：本发明提供一种全透微粉抛光瓷砖及其制备方法，解决传统抛光砖表面层次、立体性及仿石效果模糊不佳，研发了超透料的应用，使得仿石效果更为逼真，同时具有较好抗渗透性、光泽度，具体如下：（1）本发明的全透微粉抛光瓷砖通过选用合适的原料、加上合理的配比及适宜的加工工艺，得到了致密度高、光泽度好、仿石效果好的瓷砖，其具有吸水率低、抗老化性能强、耐腐蚀性好及持久耐用的特点；（2）本发明通过采用低温长石、水洗钠长石、软土、水磨钾长石粉、瓷砂、膨胀珍珠岩等低温透料，可使砖面的通透性强，同时，使得砖面更具有石材质感；（3）本发明通过采用硅粉、硼砂、精选砂等耐高温、耐磨材料，可使制得的瓷砖具有较高的强度、较好的抗老化及耐腐蚀性能。（4）本发明通过加入稳泡剂、分散剂、流平剂、增稠剂和防霉剂，使涂料中各原料反应更充分，提高乳胶漆的耐磨性、抗老化性能。具体实施方式为使发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例1一种全透微粉抛光瓷砖，由如下重量份的原料制成：低温长石50份、膨胀珍珠岩35份、煅烧高岭土20份、软土7份、水磨钾长石粉5份、硼砂11份、瓷砂7份、硅石4份、水洗钠长石3份、精选砂10份和水55份。其中，所述精选砂中二氧化硅含量不小于95%。一种全透微粉抛光瓷砖的制备方法，包括以下步骤：（1）球磨：按重量份数计，分别称取低温长石、膨胀珍珠岩、煅烧高岭土、软土、水磨钾长石粉、硼砂、瓷砂、硅石、水洗钠长石、精选砂加入球磨机后加水球磨均匀，得到泥浆；（2）除铁陈腐：将泥浆经过高磁除铁器自动循环除铁后放入浆池中进行陈腐；（3）制粉：将陈腐的泥浆放入喷雾干燥塔制成半干颗粒粉料；（4）压制成型：将粉料送入陶瓷压机进行压制成型制成砖胚；（5）烧成：将砖胚送入锟道窑烧制，烧制时间10h，预热温度为900℃，烧制的温度为1350℃，然后冷却至20℃，保温1.5h；（6）抛光：利用自动抛光机将烧制的产品表面抛至水平表面，即得全透微粉抛光瓷砖。其中，所述步骤（1）中球磨均匀条件：以400r/min转速研磨50min。其中，所述步骤（1）中研磨细度为200目筛余0.2-0.3%。其中，所述步骤（2）中陈腐时间为2.5天。其中，所述步骤（4）中陶瓷压机的压力为50mpa。其中，所述步骤（5）中锟道窑升温速率为17℃/min。其中，所述步骤（5）中锟道窑降温速率为12℃/min。实施例2一种全透微粉抛光瓷砖，由如下重量份的原料制成：低温长石45份、膨胀珍珠岩30份、煅烧高岭土15份、软土5份、水磨钾长石粉2份、硼砂8份、瓷砂5份、硅石2份、水洗钠长石1份、精选砂5份和水50份。其中，所述精选砂中二氧化硅含量不小于95%。一种全透微粉抛光瓷砖的制备方法，包括以下步骤：（1）球磨：按重量份数计，分别称取低温长石、膨胀珍珠岩、煅烧高岭土、软土、水磨钾长石粉、硼砂、瓷砂、硅石、水洗钠长石、精选砂加入球磨机后加水球磨均匀，得到泥浆；（2）除铁陈腐：将泥浆经过高磁除铁器自动循环除铁后放入浆池中进行陈腐；（3）制粉：将陈腐的泥浆放入喷雾干燥塔制成半干颗粒粉料；（4）压制成型：将粉料送入陶瓷压机进行压制成型制成砖胚；（5）烧成：将砖胚送入锟道窑烧制，烧制时间8-12h，预热温度为800-1000℃，烧制的温度为1300-1400℃，然后冷却至25-35℃，保温1-2h；（6）抛光：利用自动抛光机将烧制的产品表面抛至水平表面，即得全透微粉抛光瓷砖。其中，所述步骤（1）中球磨均匀条件：以350r/min转速研磨40min。其中，所述步骤（1）中研磨细度为200目筛余0.2-0.3%。其中，所述步骤（2）中陈腐时间为2天。其中，所述步骤（4）中陶瓷压机的压力为40mpa其中，所述步骤（5）中锟道窑升温速率为15℃/min。其中，所述步骤（5）中锟道窑降温速率为10℃/min。实施例3一种全透微粉抛光瓷砖，由如下重量份的原料制成：低温长石55份、膨胀珍珠岩40份、煅烧高岭土25份、软土10份、水磨钾长石粉8份、硼砂15份、瓷砂10份、硅石6份、水洗钠长石5份、精选砂15份和水60份。其中，所述精选砂中二氧化硅含量不小于95%。一种全透微粉抛光瓷砖的制备方法，包括以下步骤：（1）球磨：按重量份数计，分别称取低温长石、膨胀珍珠岩、煅烧高岭土、软土、水磨钾长石粉、硼砂、瓷砂、硅石、水洗钠长石、精选砂加入球磨机后加水球磨均匀，得到泥浆；（2）除铁陈腐：将泥浆经过高磁除铁器自动循环除铁后放入浆池中进行陈腐；（3）制粉：将陈腐的泥浆放入喷雾干燥塔制成半干颗粒粉料；（4）压制成型：将粉料送入陶瓷压机进行压制成型制成砖胚；（5）烧成：将砖胚送入锟道窑烧制，烧制时间8-12h，预热温度为1000℃，烧制的温度为1400℃，然后冷却至35℃，保温2h；（6）抛光：利用自动抛光机将烧制的产品表面抛至水平表面，即得全透微粉抛光瓷砖。其中，所述步骤（1）中球磨均匀条件：以450r/min转速研磨60min。其中，所述步骤（1）中研磨细度为200目筛余0.3%。其中，所述步骤（2）中陈腐时间为3天。其中，所述步骤（4）中陶瓷压机的压力为60mpa。其中，所述步骤（5）中锟道窑升温速率为20℃/min。其中，所述步骤（5）中锟道窑降温速率为15℃/min。实施例4根据《抛光状标准（gb/t4100-1999）》，采取实施例1-3的全透微粉抛光瓷砖以及市售的另外两款全透微粉抛光瓷砖分别作为对照组1和对照组2进行测试，测试结果见下表1：污染物实施例1实施例2实施例3对照组1对照组2产品吸水率（%）0.010.020.010.350.43光泽度6562675558断裂模数（mpa）4239402831由表1可知，经上述工艺制程的的全透微粉抛光瓷砖的产品吸水率、光泽度、断裂模数等性能参数优于市售的抛光砖。综上，本发明提供一种全透微粉抛光瓷砖及其制备方法，解决传统抛光砖表面层次、立体性及仿石效果模糊不佳，研发了超透料的应用，使得仿石效果更为逼真，同时具有较好抗渗透性、光泽度。以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页12