技术特征：
技术总结
本发明公开了一种无铅PTC热敏电阻器件的制备方法，采用如下步骤，先合成BaTiO3和Na0.5Bi0.5TiO3的原材料，随后将合成的BaTiO3，Na0.5Bi0.5TiO3与CuO，Nb2O5，SiO2球磨混合，获得预混料，随后将球磨后的预混料压片成型，获得片状预混料，随后将片状预混料进行煅烧，获得陶瓷片，最后将陶瓷片进行电极制备，最后制得PTC热敏电阻器件。该热敏电阻器件不含铅，同时具有较高的居里温度，且获得的陶瓷片材料晶体生长均匀，具有优良的性能。
技术研发人员：江明泓
受保护的技术使用者：四川启兴电子有限公司
技术研发日：2017.11.18
技术公布日：2018.04.20