晶圆处理装置的制作方法

本实用新型涉及半导体设备领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。

背景技术：

在半导体工艺的退火、化学气相沉积、单晶硅生长等工艺中，均需要用到炉管机台。请参考图1，现有炉管机台在底部安装有马达，在马达上方安装有磁性流体装置11和传动轴12等，用于带动晶舟的转动。

为了防止磁性流体装置11的温度过高，所述磁性流体装置11内会通入冷却水进行冷却，导致磁性流体装置11的温度低于上方处理腔室内的气体温度，反应气体13在炉管内流动，到达炉管底部时，遇冷会发生冷凝，在磁性流体装置表面造成副产物沉积14，产生颗粒问题，从而导致产品报废。并且，由于副产物沉积，需要对炉管机台进行清洗，会缩短炉管机台的保全周期，导致产能下降。

因此，如何避免炉管机台底部的副产物沉积问题，是亟待解决的问题。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种晶圆处理装置，避免副产物在装置底部沉积。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆处理装置，包括位于底部的磁性流体装置，所述磁性流体装置包括主体部以及穿过所述主体部的传动部，所述传动部包括位于主体部内的第一子传动部和位于所述主体部外的第二子传动部；第一气路，位于所述第二子传动部内，沿所述传动部的长度方向设置，贯穿所述第二子传动部；至少一个第二气路，位于所述第二子传动部内，所述第二气路的一端开口与所述第一气路连通，另一端开口位于所述第二子传动部的侧壁上。

可选的，还包括：安装于所述第二子传动部上的下部传动轴，用于传输所述传动部的动能，所述第一气路还贯穿所述下部传动轴。

可选的，所述第二气路垂直于所述第二子传动部的侧壁。

可选的，所述第二气路的数量为2～6个，均匀分布于所述第二子传动部内。

可选的，还包括至少一个第三气路，所述第三气路位于所述下部传动轴内，所述第三气路的一端开口与所述第一气路连通，另一端开口位于所述下部传动轴朝向所述磁性流体装置的表面上。

可选的，所述第三气路包括垂直于下部传动轴侧壁的垂直部，以及平行于所述下部传动轴侧壁的平行部。

可选的，所述第三气路的数量为2～6个，均匀分布于所述下部传动轴内。

可选的，所述第一气路还延伸至所述第一子传动部和磁性流体装置的主体部内，并连通至位于所述主体部侧壁的进气端口。

可选的，还包括上部传动轴，安装于所述下部传动轴上，用于传输所述下部传动轴的动能，所述第一气路自所述下部传动轴内向所述上部传动轴延伸，并贯穿所述上部传动轴。

本实用新型的晶圆处理装置底部的磁性流体装置顶部的第二子传动部内包括第一气路和第二气路，所述第一气路内的气体分流至第二气路，从第二子传动部侧壁流出，在所述磁性流体装置表面形成气流，避免处理腔室内的反应气体靠近所述磁性流体装置，从而避免颗粒沉积。

进一步的，本实用新型的晶圆处理装置底部的磁性流体装置上方还安装有下部传动轴，所述下部传动轴内设置有与第一气路连通，且开口位于下部传动轴下表面的第三气路，第一气路内的气体分流至第三气路，在所述磁性流体装置表面形成气流，进一步避免颗粒在所述磁性流体装置表面沉积。

附图说明

图1为本实用新型现有技术的炉管机台底部副产物沉积的示意图；

图2为本实用新型一具体实施方式的晶圆处理装置的剖面结构示意图；

图3为本实用新型一具体实施方式的晶圆处理装置的磁性流体装置的俯视示意图；

图4为本实用新型一具体实施方式的晶圆处理装置的下部传动轴的俯视示意图；

图5为本实用新型一具体实施方式的晶圆处理装置的下部传动轴的侧视示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的晶圆处理装置的具体实施方式做详细说明。

请参考图2，为本实用新型一具体实施方式的晶圆处理装置的剖面结构示意图。图2仅示出了该晶圆处理装置的底部结构，所述晶圆处理装置还包括底部上方的腔室等结构。

所述晶圆处理装置的底部设置有一磁性流体装置200，所述磁性流体装置 200可以设置于一马达上方，由所述马达驱动。所述磁性流体装置包括主体部 201以及穿过所述主体部的传动部。

所述主体部201为密封结构，内部装载有磁性流体物质。所述传动部穿过所述主体部，所述传动部包括位于主体部201内的第一子传动部(图中未示出) 和位于所述主体部201外的第二子传动部202。

第一气路301，位于所述第二子传动部301内，沿所述传动部的长度方向设置，贯穿所述第二子传动部202。所述第一气路301用于通过晶圆处理装置的底部，向上方的处理腔室内输送氮气、氧气等，在晶圆处理过程中需要的气体。所述第一气路301还延伸至所述第一子传动部和磁性流体装置200的主体部201内，并连通至位于所述主体部201侧壁的进气端口2011。所述进气端口 2011用于连接至外部气体源。

除了所述第一气路301以外，该具体实施方式中，所述晶圆处理装置还包括至少一个第二气路302，所述至少一个第二气路302位于所述第二子传动部 202内，所述第二气路302的一端开口与所述第一气路301连通，另一端开口位于所述第二子传动部202的侧壁上。当所述第一气路301通入气体时，部分第一气路301的气体会分流至所述第二气路302内，从第二子传动部202的侧壁向外输送气体，形成位于所述晶圆处理装置的底部的磁性流体装置200的主体部201上方的气流，所述气流能够阻挡晶圆处理装置在工作时，反应气体向下接近所述磁性流体装置200，从而避免在所述磁性流体装置200表面形成沉积膜而造成颗粒问题。

为了减少所述第二气路302内气体的阻力，该具体实施方式中，所述第二气路302为一直线气路，垂直于所述第二子传动部202的侧壁设置。进一步的，为了使得所述第二气路302内所述第二气路的数量为2～6个，均匀分布于所述第二子传动部202内。请参考图3，为本实用新型一具体实施方式的第二子传动部202的俯视示意图，该具体实施方式中，包括4个均匀分布的第二气路302。

在该具体实施方式中，所述晶圆处理装置还包括：安装于所述第二子传动部202上的下部传动轴400，用于传输所述传动部的动能，所述第一气路301 还贯穿所述下部传动轴400。

请参考图4，为所述下部传动轴400的俯视示意图。所述下部传动轴400 为一环形轴，安装于所述第二子传动部202上，用于跟随所述第二子传动部202 进行转动。所述第一气路301穿过所述下部传动轴400的中心，用于向所述下部传动轴400上方输运气体。在该具体实施方式中，所述晶圆处理装置还包括：至少一个第三气路303，所述第三气路303位于所述下部传动轴400内，所述第三气路303的一端开口与所述第一气路301连通，另一端开口位于所述下部传动轴400朝向所述磁性流体装置200的表面上。当所述晶圆处理装置通过所述第一气路301向处理腔室内输运气体时，第一气路301内的气体会分流至所述第三气路303内，向所述下部传动轴400的朝向所述磁性流体装置200的表面方向输送气体，从而在所述磁性流体装置200表面形成气流，并且所述气流通过所述磁性流体装置200与所述下部传动轴400之间的间隙，向外扩散，形成朝向处理腔室方向的上升气流，从而阻挡腔室内的反应气体向所述晶圆处理装置底部扩散，从而避免在所述磁性流体装置200表面形成沉积膜，避免导致颗粒问题。

请参考图4和图5，图5为所述下部传动轴的侧视示意图。在该具体实施方式中，所述第三气路303包括垂直于所述下部传动轴400侧壁的垂直部303a，以及平行于所述下部传动轴400侧壁的平行部303b，所述垂直部303a的一端与所述第一气路301连通，另一端连通至所述平行部303b，所述平行部303b 另一端开口位于所述下400的下表面部传动轴400与所述磁性流体装置200相对的下表面上。气体自第一气路301分流至所述垂直部303a后进入平行部303b，从所述下部传动轴400的下表面流出，然后沿磁性流体装置200表面流动后向上，形成上升气流。在本实用新型的其他具体实施方式中，所述第三气路303也可以具有其他形状，只需要所述第三气路303的开口位于所述下部传动轴400与所述磁性流体装置200相对的下表面。

为了使得在所述晶圆处理装置底部形成的上升气流分布均匀，所述第三气路303的数量可以为2～6个，均匀分布于所述下部传动轴400内。该具体实施方式中，所述第三气路303的数量为4。

该具体实施方式中，还包括上部传动轴500，安装于所述下部传动轴400 上，用于传输所述下部传动轴400的动能，所述第一气路301自所述下部传动轴400内向所述上部传动轴500延伸，并贯穿所述上部传动轴500。所述上部传动轴500用于放置晶舟，带动晶舟转动。

上述晶圆处理装置，在底部的磁性流体装置顶部的第二子传动部以及安装于所述第二子传动部上方的下部传动轴内分别设置第二气路和第三气路，在所述晶圆处理装置工作状态中，通入的气体会在第二气路和第三气路分流，在所述晶圆处理装置的底部的磁性流体装置表面形成上升气流，阻止处理腔室内的反应气体接近所述磁性流体装置，从而避免在所述磁性流体装置表面形成颗粒沉积。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。