单晶硅连续生长的坩埚的制作方法

本实用新型涉及单晶硅生产设备，尤其涉及一种单晶硅连续生长的坩埚。

背景技术：

单晶硅是硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。用于制造半导体器件、太阳能电池等。单晶硅连续拉制，需要进行连续加料，并且晶体生长需要平静的液面。常用的坩埚难以满足该要求，使得生产效率不高，产品质量难以保证。因此，有必要对这种坩埚进行结构优化，以克服上述缺陷。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种单晶硅连续生长的坩埚，使晶体生长区液面保持平静，有利成晶，实现连续加料和连续生长晶体。

本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是，

一种单晶硅连续生长的坩埚，包括主埚体，主埚体顶部开口，主埚体中设有副埚体，主埚体内壁与副埚体外壁之间具有可连续添加硅原料的空间，副埚体内具有可连续拉制单晶硅的空间，副埚体两端开口，其底端固定于主埚体底面，副埚体侧壁设有流孔，主埚体内壁与副埚体外壁之间的硅原料可通过流孔进入副埚体内。

主埚体底面具有汇流环边，汇流环边位于主埚体内壁与副埚体外壁之间，汇流环边外侧边的高度大于其内侧边的高度。

主埚体底面具有定位环，定位环中具有环槽，副埚体底端插入环槽内，使副埚体与主埚体固定连接。

副埚体的高度小于主埚体的高度。流孔位于副埚体侧壁底部。

本实用新型的优点在于，该坩埚采用主埚体与副埚体拼装的方式，形成里外两层坩埚，主埚体底面具有环槽，副埚体底端插入环槽内即可定位，主埚体内壁与副埚体外壁之间为连续加料区，这个区域离加热器最近，温度相对于坩埚中心区域要高，可边加料边熔化，且副埚体侧壁设有流孔，连续加料区熔化的液体从流孔流入副埚体内，内埚体内为晶体生长区，副埚体侧壁起到隔离作用，晶体生长区液面保持平静，有利成晶，实现连续加料和连续生长晶体，可缩短生产周期，降低制造成本。

附图说明

图1是本实用新型提出的单晶硅连续生长的坩埚的结构示意图；

图2是该坩埚的剖面图；

图3是图2中A处的放大特写图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合图示与具体实施例，进一步阐述本实用新型。

如图1～图3所示，本实用新型提出的单晶硅连续生长的坩埚包括主埚体1，主埚体顶部开口，主埚体中设有副埚体2，主埚体内壁与副埚体外壁之间具有可连续添加硅原料的空间，副埚体内具有可连续拉制单晶硅的空间，副埚体两端开口，其底端固定于主埚体底面，副埚体侧壁设有流孔3，主埚体内壁与副埚体外壁之间的硅原料可通过流孔进入副埚体内。主埚体底面具有汇流环边4，汇流环边位于主埚体内壁与副埚体外壁之间，汇流环边外侧边的高度大于其内侧边的高度。主埚体底面具有定位环5，定位环中具有环槽6，副埚体底端插入环槽内，使副埚体与主埚体固定连接。副埚体的高度小于主埚体的高度。流孔位于副埚体侧壁底部。其中未详述的部件连接均为连接件连接、焊接、一体成型等现有连接形式。该坩埚采用主埚体与副埚体拼装的方式，形成里外两层坩埚，主埚体底面具有环槽，副埚体底端插入环槽内即可定位，主埚体内壁与副埚体外壁之间为连续加料区，这个区域离加热器最近，温度相对于坩埚中心区域要高，可边加料边熔化，且副埚体侧壁设有流孔，连续加料区熔化的液体从流孔流入副埚体内，内埚体内为晶体生长区，副埚体侧壁起到隔离作用，晶体生长区液面保持平静，有利成晶，实现连续加料和连续生长晶体，可缩短生产周期，降低制造成本。

以上实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让本领域的技术人员了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。