一种氮化硅-碳化硅复合材料材料及其制备方法与流程

文档序号:15236564发布日期:2018-08-24 05:39阅读:383来源:国知局

本发明涉及陶瓷材料领域,具体而言,涉及一种氮化硅-碳化硅复合材料材料及其制备方法。



背景技术:

氮化硅陶瓷是一类性能优异的结构陶瓷,其在各种温度下均具有极高的强度和抗破坏韧性,同时其还具有较高的热稳定性、硬度、耐磨性、抗氧化性、抗腐蚀性等,是一种极具发展潜力的结构陶瓷,被广泛应用于一些高精尖领域。但是,随着科技的迅速发展,人们对材料性能的要求越来越高,氮化硅陶瓷脆性大、韧性低的弱点也越来越受到人们的重视。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种氮化硅-碳化硅复合材料的制备方法,其操作简单方便,能够有效提高氮化硅陶瓷的韧性和抗弯强度。

本发明的另一目的在于提供一种氮化硅-碳化硅复合材料,其具有高强度、高韧性、耐磨耐腐蚀的特点。

本发明的实施例是这样实现的:

一种氮化硅-碳化硅复合材料材料的制备方法,其包括:

将80~100重量份的α-氮化硅粉体、15~30重量份的碳化硅粉体、0.5~2重量份的金属氧化物、1~5重量份的稀土氧化物以及7~10重量份的β-氮化硅晶种均匀混合,并压制成素坯;

将素坯在氮气压力0.1~0.3mpa,温度1300~1500℃下进行一段烧结;随后在氮气压力0.1~0.3mpa,温度1600~1800℃下进行二段烧结;最后在氮气压力1.5~2mpa,温度2000~2200℃下进行三段烧结。

一种氮化硅-碳化硅复合材料材料,其由上述氮化硅-碳化硅复合材料材料的制备方法制备得到。

本发明实施例的有益效果是:

本发明实施例提供了一种氮化硅-碳化硅复合材料及其制备方法,其采用α-氮化硅粉体配合少量的烧结助剂进行烧结,以β-氮化硅晶种诱导α-氮化硅粉体的晶型转化,以增加产品致密度和力学强度。同时,其三段烧结的形式,一段烧结在较低气压和较低温度下进行,让助剂形成液相,并在α-氮化硅粉体中均匀分布;二段烧结在一段烧结的基础上提高了温度,让α-氮化硅粉体能够由α相相变为β相,同时通过溶解析出在β-氮化硅晶种表面生长,并将素坯表面的气孔封闭;最后在二段烧结的基础上增大气压,使素坯进一步致密化和自增韧,得到高强度、高韧性的氮化硅陶瓷。再此基础上,通过碳化硅的引入,进一步增加产品的韧性和抗弯强度,通过上述方法制备得到的氮化硅-碳化硅复合材料,具有高强度、高韧性、耐磨耐腐蚀的特点。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。

下面对本发明实施例的一种氮化硅-碳化硅复合材料及其制备方法进行具体说明。

本发明实施例提供了一种氮化硅-碳化硅复合材料材料的制备方法,其包括:

s1.将80~100重量份的α-氮化硅粉体、15~30重量份的碳化硅粉体、0.5~2重量份的金属氧化物、1~5重量份的稀土氧化物以及7~10重量份的β-氮化硅晶种均匀混合,并压制成素坯。

发明人以α-氮化硅粉体为主体,配合金属氧化物、稀土氧化物等助剂,并通过上述物质的合理配比来制备氮化硅陶瓷。金属氧化物包括氧化铝、氧化镁、氧化锆和氧化钛中的至少一种。稀土氧化物包括氧化钇、氧化镧、氧化铈或氧化镥中的至少一种。金属氧化物、稀土氧化物等助剂在烧结过程中形成液相,若此时有足够的液相且液相粘度较小,就会发生氮化硅颗粒相变和重排,并通过重排达到紧密堆积的效果,以提高产品的力学强度。值得注意的是,助剂的含量不宜过高,液相组分在冷却后多以玻璃态存在于氮化硅陶瓷的晶界处,若玻璃态过多,则会直接影响到氮化硅陶瓷的力学性能。同时,助剂的含量也不宜过低,否则会导致致密化的过程太慢,严重影响生产效率。

α-氮化硅粉体相比于β-氮化硅原料来说,具备便宜易得的优势,利于降低生产成本。其中,α-氮化硅粉体的纯度大于99%,α相含量大于95wt%,粒径为0.2~0.5μm。通常情况下,α-氮化硅粉体的粒径越小,越容易提高氮化硅陶瓷的致密度,但当α-氮化硅粉体的粒径过小时,这些细小颗粒容易团聚形成大颗粒,而这些大颗粒在烧结过程中,容易造成试样内部出现微孔和裂纹,反而影响到产品的致密度和各项性能。本申请发明在付出大量创造性劳动后发现,当α-氮化硅粉体的粒径为0.2~0.5μm时,得到的氮化硅陶瓷的致密度较高,各项性能较为优异。

β-氮化硅晶种可以起到诱导结晶的作用,使α相的氮化硅能够更好地相变,并在β-氮化硅晶种的表面生长,形成长柱状的β相的氮化硅。进一步地,本申请实施例采用的β-氮化硅晶种的直径为0.5~1μm,长径比为7~10。发明人经过大量创造性劳动发现,采用上述尺寸的β-氮化硅晶种得到的氮化硅陶瓷的致密化程度、强度和韧性较高。

碳化硅粉体用于增加氮化硅陶瓷的韧性,由于碳化硅的线膨胀系数远大于氮化硅,在烧结过程中,会在基体中产生切向的残余应力,使外力在对氮化硅陶瓷作用时,先要抵消内在的残余应力,达到应力增韧的目的。此外,由于两种材料的膨胀系数差异,会在基体中产生微裂纹,同样能起到抵消外力的作用,达到微裂纹增韧的目的。同时,碳化硅粉体可以使陶瓷材料的晶粒进一步细化,使陶瓷材料更好地致密化,提高其力学强度。优选地,碳化硅粉体的粒径为0.2~0.5μm。本申请发明人在付出大量创造性劳动后发现,采用上述粒径的碳化硅,对氮化硅陶瓷的韧性增强效果较佳,各项性能较为优异。

进一步地,对α-氮化硅粉体、碳化硅粉体、金属氧化物、稀土氧化物和β-氮化硅晶种的混合,是将α-氮化硅粉体、碳化硅粉体、金属氧化物、稀土氧化物和β-氮化硅晶种分散于有机溶剂中进行球磨。其中,有机溶剂包括甲醇、乙醇和丙酮中的至少一种。有机溶剂的质量为α-氮化硅粉体、碳化硅粉体、金属氧化物、稀土氧化物和β-氮化硅晶种质量总和的2~4倍。球磨后的浆料于120~150℃下进行烘干,烘干可以除去浆料中的有机溶剂,得到干燥的陶瓷粉体。优选地,陶瓷粉体中,有机溶剂的含量控制在1wt%以下,避免由于溶剂在后续烧结过程中气化,而在氮化硅陶瓷内部形成孔洞。

可选地,将陶瓷粉体压制成素坯的方法为冷等静压成型。氮化硅具有较小的收缩系数,在冷等静压成型时可以按照最终成品的尺寸进行压制,再进行烧结。

进一步地,本发明实施例所提供的一种氮化硅-碳化硅复合材料材料的制备方法,还包括:

s2.将素坯在氮气压力0.1~0.3mpa,温度1300~1500℃下进行一段烧结;随后在氮气压力0.1~0.3mpa,温度1600~1800℃下进行二段烧结;最后在氮气压力1.5~2mpa,温度2000~2200℃下进行三段烧结。

可选地,一段烧结的时长为1~3h,二段烧结的时间为6~12h,三段烧结的时间为6~12h。

本申请实施例采用了三次烧结来促进氮化硅陶瓷的致密化和增韧。一段烧结在较低气压(0.1~0.3mpa)和较低温度(1300~1500℃)下进行,其主要目的是让金属氧化物、稀土氧化物等助剂先溶解形成液相,并让液相能够更均匀地分布于素坯内部,让α相的氮化硅和碳化硅能够更好溶解并分散析出。

二段烧结在一段烧结的基础上,提高了烧结温度。二段烧结主要是为了让α-氮化硅粉体能够由α相相变为β相,同时通过溶解析出在β-氮化硅晶种表面沉淀生长,使等轴β相氮化硅晶粒长大,这种具有较大长径比的β相氮化硅晶粒是氮化硅材料具有较高抗弯强度和韧性的原因。同时,在二段烧结过程中,还要借由β相氮化硅的生长将素坯表面的气孔完全封闭。值得注意的是,残留的气孔在三段烧结的高气压环境下是不能闭合的,将会影响最终氮化硅陶瓷的致密程度。

三段烧结在二段烧结的基础上,增大了氮气气压,在高压高温的情况下,粗大的等轴β相氮化硅晶粒会重新溶解,并以细小的针状β相氮化硅晶粒的形式重新析出,进一步增加氮化硅陶瓷的致密化程度,并起到自增韧的效果。同时,氮气气压也不宜过大,避免氮气在高压下渗透进氮化硅陶瓷内部重新形成气孔,影响致密化。经过发明人创造性劳动发现,1.5~2mpa的气压,得到的氮化硅陶瓷的致密化程度较佳。

本发明实施例还提供了一种氮化硅-碳化硅复合材料材料,其由上述氮化硅-碳化硅复合材料材料的制备方法制备得到。其具有密度大、高强度、高韧性、耐磨耐腐蚀的特点。

以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。

实施例1

本实施例提供了一种氮化硅-碳化硅复合材料材料,按照重量份数计,其原料包括:

α-氮化硅粉体100份、碳化硅粉体15份、氧化铝0.5份、氧化铈1份、以及β-氮化硅晶种7份。

其具体的制备方法如下:

s1.将上述原料与250份的无水乙醇混合,在球磨机中球磨1h制成浆料。

s2.将上述浆料于120℃下烘干,得到陶瓷粉体。陶瓷粉体中有机溶剂含量为0.6wt%。

s3.将上述陶瓷粉体通过冷等静压机制成素坯。

s4.将素坯在氮气压力0.1mpa,温度1300℃下进行一段烧结,时间为3h。

s5.保持氮气压力0.1mpa,升高温度至1600℃进行二段烧结,时间为12h。

s6.升高氮气压力至1.5mpa,升高温度至2000℃进行三段烧结,时间为12h,得到氮化硅陶瓷。

通过三点弯曲法测得其抗弯强度为1400mpa,断裂韧性为13.3mpa·m1/2

实施例2

本实施例提供了一种氮化硅-碳化硅复合材料材料,按照重量份数计,其原料包括:

α-氮化硅粉体80份、碳化硅粉体30份、氧化镁2份、氧化钇2份、氧化镧3份、以及β-氮化硅晶种10份。

其具体的制备方法如下:

s1.将上述原料与300份的丙酮混合,在球磨机中球磨2h制成浆料。

s2.将上述浆料于150℃下烘干,得到陶瓷粉体。陶瓷粉体中有机溶剂含量为0.5wt%。

s3.将上述陶瓷粉体通过冷等静压机制成素坯。

s4.将素坯在氮气压力0.3mpa,温度1500℃下进行一段烧结,时间为1h。

s5.保持氮气压力0.3mpa,升高温度至1800℃进行二段烧结,时间为6h。

s6.升高氮气压力至2mpa,升高温度至2200℃进行三段烧结,时间为6h,得到氮化硅陶瓷。

通过三点弯曲法测得其抗弯强度为1380mpa,断裂韧性为13.1mpa·m1/2

实施例3

本实施例提供了一种氮化硅-碳化硅复合材料材料,按照重量份数计,其原料包括:

α-氮化硅粉体90份、碳化硅粉体20份、氧化锆1份、氧化镁1份、氧化铈1份、氧化镥1份、氧化镧2份、以及β-氮化硅晶种8份。

其具体的制备方法如下:

s1.将上述原料与400份的无水乙醇混合,在球磨机中球磨1h制成浆料。

s2.将上述浆料于120℃下烘干,得到陶瓷粉体。陶瓷粉体中有机溶剂含量为0.8wt%。

s3.将上述陶瓷粉体通过冷等静压机制成素坯。

s4.将素坯在氮气压力0.2mpa,温度1300℃下进行一段烧结,时间为2h。

s5.保持氮气压力0.2mpa,升高温度至1700℃进行二段烧结,时间为10h。

s6.升高氮气压力至2mpa,升高温度至2000℃进行三段烧结,时间为12h,得到氮化硅陶瓷。

通过三点弯曲法测得其抗弯强度为1420mpa,断裂韧性为12.8mpa·m1/2

实施例4

本实施例提供了一种氮化硅-碳化硅复合材料材料,按照重量份数计,其原料包括:

α-氮化硅粉体95份、碳化硅粉体25份、氧化铝0.5份、氧化钛1.5份、氧化铈1份、氧化钇1份、以及β-氮化硅晶种8份。

其具体的制备方法如下:

s1.将上述原料与350份的无水乙醇混合,在球磨机中球磨1h制成浆料。

s2.将上述浆料于120℃下烘干,得到陶瓷粉体。陶瓷粉体中有机溶剂含量为0.9wt%。

s3.将上述陶瓷粉体通过冷等静压机制成素坯。

s4.将素坯在氮气压力0.3mpa,温度1350℃下进行一段烧结,时间为3h。

s5.保持氮气压力0.3mpa,升高温度至1700℃进行二段烧结,时间为8h。

s6.升高氮气压力至1.5mpa,升高温度至2150℃进行三段烧结,时间为8h,得到氮化硅陶瓷。

通过三点弯曲法测得其抗弯强度为1360mpa,断裂韧性为13.0mpa·m1/2

综上所述,本发明实施例提供了一种氮化硅-碳化硅复合材料及其制备方法,其采用α-氮化硅粉体配合少量的烧结助剂进行烧结,以β-氮化硅晶种诱导α-氮化硅粉体的晶型转化,以增加产品致密度和力学强度。同时,其三段烧结的形式,一段烧结在较低气压和较低温度下进行,让助剂形成液相,并在α-氮化硅粉体中均匀分布;二段烧结在一段烧结的基础上提高了温度,让α-氮化硅粉体能够由α相相变为β相,同时通过溶解析出在β-氮化硅晶种表面生长,并将素坯表面的气孔封闭;最后在二段烧结的基础上增大气压,使素坯进一步致密化和自增韧,得到高强度、高韧性的氮化硅陶瓷。再此基础上,通过碳化硅的引入,进一步增加产品的韧性和抗弯强度,通过上述方法制备得到的氮化硅-碳化硅复合材料,具有高强度、高韧性、耐磨耐腐蚀的特点。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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