1.一种应用于水平区熔法生长超高纯锗单晶的设备，其特征在于该设备包括石英舟（1）、石英管（2）、高频感应加热线圈（3）、支架（4）、丝杆（5）以及区熔小车（6），石英舟（1）放置在石英管（2）内，石英管（2）固定在支架（4）上方；高频感应加热线圈（3）设置在区熔小车（6）上，且区熔线圈套装在石英管（2）外；丝杠固定在支架（4）底部，且与石英管（2）平行；区熔小车（6）设置在丝杠上，且沿丝杠滑动；石英舟（1）内壁上涂有硅涂层。
2.如权利要求1所述的应用于水平区熔法生长超高纯锗单晶的设备，其特征在于所述的区熔小车（6）底部设置有伸缩杆（7），伸缩杆（7）底部设置有螺母，螺母的螺纹与丝杠螺纹匹配。
3.如权利要求1所述的应用于水平区熔法生长超高纯锗单晶的设备，其特征在于所述的石英管（2）两端分别设置有进气口（8）和排气口（9）。
4.如权利要求1所述的应用于水平区熔法生长超高纯锗单晶的设备，其特征在于所述的支架（4）一端的底部还设置有升降装置（10），升降装置（10）包括固定块和收缩杆，固定块放置在台面上，收缩杆顶部与丝杠一端连接，底部固定在固定块上。