技术总结
应用于水平区熔法生长超高纯锗单晶的设备，涉及高纯半导体金属材料的提纯。本实用新型包括石英舟、石英管、高频感应加热线圈、支架、丝杆以及区熔小车，石英舟放置在石英管内，石英管固定在支架上方；高频感应加热线圈设置在区熔小车上，且区熔线圈套装在石英管外；丝杠固定在支架底部，且与石英管平行；区熔小车设置在丝杠上，且沿丝杠滑动；石英舟内壁上涂有硅涂层。本实用新型中，所述的水平区熔法生长锗单晶的装置，能减少锗料的污染环节，使其对高纯的提纯效果更加显著。且该系统装置加工工艺简单，结构科学合理，使用安全可靠，能节省一定的人力物力，有益于推进节能环保的发展。
技术研发人员：李学洋;董汝昆;普世坤;惠峰;柳廷龙;张朋;钟文;赵燕;滕文
受保护的技术使用者：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
技术研发日：2018.11.15
技术公布日：2019.07.02