1.一种晶体生长安瓿位置调节装置，其特征在于，包括
支撑组件，包括套筒、热电偶杆、陶瓷杆以及固定塞，所述套筒的两端设有开口，所述开口设有所述固定塞，所述陶瓷杆的一端穿过所述固定塞设置于所述套筒的内部，所述热电偶杆穿设于所述陶瓷杆内；
热电偶，所述热电偶的热电偶丝穿设于所述热电偶杆，所述热电偶测温点设置于所述热电偶杆位于所述套筒内的一端；
位置调节组件，所述位置调节组件通过支撑杆与所述支撑组件连接，用于在水平和竖直方向移动和定位所述支撑组件。
2.根据权利要求1所述的晶体生长安瓿位置调节装置，其特征在于，所述套筒、所述热电偶杆、所述陶瓷杆、所述固定塞的中心轴线相互重合。
3.根据权利要求1所述的晶体生长安瓿位置调节装置，其特征在于，所述固定塞沿轴向方向设有第一通孔，所述陶瓷杆穿过所述第一通孔设置于所述套筒的内部，所述第一通孔的中心轴线与所述固定塞的中心轴线重合。
4.根据权利要求3所述的晶体生长安瓿位置调节装置，其特征在于，所述第一通孔的孔径与所述陶瓷杆的外径相等。
5.根据权利要求1所述的晶体生长安瓿位置调节装置，其特征在于，所述陶瓷杆沿轴向方向设有第二通孔，所述热电偶杆设置于所述第二通孔内，所述第二通孔的中心轴线与所述陶瓷杆的中心轴线重合。
6.根据权利要求5所述的晶体生长安瓿位置调节装置，其特征在于，所述热电偶杆的外径与所述第二通孔的孔径相等。
7.根据权利要求1所述的晶体生长安瓿位置调节装置，其特征在于，所述陶瓷杆位于所述套筒内的一端设有凹部，所述热电偶测温点设置于所述凹部。
8.一种安瓿位置调节系统，其特征在于，包括管式炉和如权利要求1至7任一项所述的晶体生长安瓿位置调节装置，所述支撑组件设置于所述管式炉的内部。
9.根据权利要求8所述的安瓿位置调节系统，其特征在于，所述管式炉包括水平炉腔，所述位置调节组件带动所述套筒沿所述套筒的轴线方向移动的位移大于所述水平炉腔的长度。
10.根据权利要求9所述的安瓿位置调节系统，其特征在于，所述位置调节组件带动所述套筒在水平和竖直方向移动的位置大于所述水平炉腔的直径。