本发明涉及一种废弃封装材的二氧化硅再生方法。
背景技术:
半导体的废弃封装材为芯片封装制程的下脚料,为制程的废弃物,其成分为含有二氧化硅70%~90%的热固性树脂,一般处理该半导体废弃封装材的方式是委由清除处理机构采掩埋或焚化处理;近年来已有业者将废压模胶作为水泥替代原料或纤维强化塑料(FRP)补强材,压模胶主要成分为二氧化硅可替代部分水泥原物料,压模胶另一成分为热固性树脂具有高热值可部分替代燃料,利用压模胶这二项成分特性,可用于水泥厂进行水泥原物料替代的资源化作用,该废弃封装材另一可作为FRP补强材,将不能用的热固性树脂材料按各种比率与纯树脂相拌合,使其得以作为FRP补强材再利用,然,现有对废弃封装材再利用的用途,均为使用单一性,无法将废弃封装材中的二氧化硅提纯,以供不同用途使用。
技术实现要素:
本发明的主要目的,在于提供一种废弃封装材的二氧化硅再生方法,可将废弃封装材再生为纯度较高的二氧化硅固体,可作为耐火材料、工业用填充材或陶瓷材料等的原料,具有较广泛的用途。
本发明废弃封装材的二氧化硅再生方法,其方法如下:
(1)破碎:将废弃封装材进行破碎;
(2)纯化:将步骤(1)所得的废弃封装材粉粒置于承载盘,置入一气氛控制的加热装置中进行脱碳纯化,经加热至600~950℃,时间为15~480分钟,纯化后可得成分大于90%的白色二氧化硅固体;
(3)粒径分级:将步骤(2)纯化后所得的二氧化硅固体进行粒径分级,可得粒度均匀且纯度大于90%的二氧化硅产品。
本发明废弃封装材的二氧化硅再生方法,其中,该废弃封装材破碎后的尺寸为1.0mm~5.0mm。
本发明废弃封装材的二氧化硅再生方法,其中,该加热装置注入的气氛为空气、氧气或水蒸气,而该加热装置的热源为电或燃料,该燃料为固体、液体或气体。
本发明废弃封装材的二氧化硅再生方法,其优点在于:可将废弃封装材再生为二氧化硅产品,可作为耐火材料、工业用填充材或陶瓷材料等的原料,具有更广泛的用途,可使废弃封装材达到最佳的资源化再利用。
附图说明
图1所示为本发明实施例的流程图。
图2所示为本发明实施例在空气气氛下的脱碳反应温度/时间曲线图。
图3所示为本发明实施例在氧气气氛下的脱碳反应温度/时间曲线图。
图4所示为本发明实施例在水蒸气气氛下的脱碳反应温度/时间曲线图。
具体实施方式
有关本发明为达上述的使用目的与功效,所采用的技术手段,兹举出较佳可行的实施例,并配合图式所示,详述如下:
半导体的废弃封装材为芯片封装制程的下脚料,其成分为含有二氧化硅70%~90%的热固性树脂,该热固性树脂中的二氧化硅可再生利用,本发明的废弃封装材的二氧化硅再生方法,请参阅图1所示,其再生方法如下:
(1)破碎:将废弃封装材进行破碎,该废弃封装材破碎后的尺寸为1.0mm~5.0mm;
(2)纯化:将步骤(1)所得的废弃封装材粉粒置于承载盘,置入一气氛控制的加热装置中进行脱碳纯化,该加热装置可为高温炉,经加热至600~950℃,时间为15~480分钟,可得纯化后的白色固体,其主成分为大于90%的二氧化硅固体,该加热装置注入的气氛为空气、氧气或水蒸气,而该加热装置的热源为电或燃料,该燃料为固体、液体或气体;
(3)粒径分级:将步骤(2)纯化后所得的粉粒进行粒径分级,可得粒度均匀且纯度大于90%的二氧化硅产品。
纯化后的二氧化硅经过粒度分级后可为耐火材料、工业用填充材、陶瓷材料等的原料,可使废弃封装材资源化再利用。
以本发明废弃封装材的二氧化硅再生方法,分别于加热装置内以不同的气氛(空气、氧气、水蒸气)对废弃封装材进行脱碳纯化的实施例如下:
实施例1:
加热装置在600℃反应温度下,各通入流量1sccm、5sccm、10sccm、15sccm、20csccm的空气,废弃封装材的脱碳时间分别为480min、430min、400min、390min、390min,在空气气氛下的脱碳反应温度/时间曲线图如图2所示。
实施例2:
加热装置在600℃反应温度下,各通入流量1sccm、5sccm、10sccm、15sccm、20csccm的氧气,废弃封装材的脱碳时间分别为270min、250min、230min、230min、230min,在氧气气氛下的脱碳反应温度/时间曲线图如图3所示。
实施例3:
加热装置在600℃反应温度下,各通入流量1sccm、5sccm、10sccm、15sccm、20csccm的水蒸气,废弃封装材的脱碳时间分别为460min、450min、450min、430min、430min,在水蒸气气氛下的脱碳反应温度/时间曲线图如图4所示。
本发明废弃封装材的二氧化硅再生方法,将废弃封装材经脱碳纯化处理可得到纯度大于90%的二氧化硅产品,以作为耐火材料、工业用填充材或陶瓷材料等原料使用,可使废弃封装材达到最佳的资源化再利用。
上述实施例仅是针对本发明的较佳实施例进行具体说明而已,该实施例并非用以限定本发明的申请专利范围,举凡其它未脱离本发明所揭示的技术手段下所完成的均等变化与修饰,均应包含于本发明所涵盖的申请专利范围中。