一种高分子辅助外延生长BiFeO3多铁性薄膜的方法与流程

本发明涉及一种外延生长bifeo3多铁性薄膜的制备方法，具体涉及一种高分子辅助高质量外延生长bifeo3多铁性薄膜的方法。

背景技术：

多铁性材料是指在材料中含有两种或多种“铁性”的功能材料，主要是铁电、铁磁（或反铁磁）和铁弹性。多种铁性共存并相互耦合丰富了多铁性材料的应用，比如可以应用在高速信息存储、电流测量、传感器、感应器、转换器的制造业中。单相的多铁性材料，特别是室温和室温以上的多铁性材料的应用更是重要。

单相多铁材料不需要复杂的制备方法，在制备中更有利。然而，可观察到磁电耦合效应的单相多铁材料仍然非常有限。bifeo3是唯一一种在室温下具有铁电和反铁磁性质的单相多铁性材料，因为它具有最大的剩余极化、高的铁电居里温度（tc~1100k）和相对较高的反铁磁性奈尔温度（tn~643k），所以受到国内外的广泛关注。虽然bifeo3在理论上具有较高的剩余极化，但由于在bifeo3材料的制备过程中铋元素易于挥发，部分fe离子变价，产生更多的氧空位，使其泄漏电流大、难以极化，难以制备具有较高残留极化的样品，因此实际应用受到限制。

外延生长薄膜即是沿着基底的晶格生长、具有和基底类似晶格常数的薄膜，生长的薄膜具有均匀的晶格，具有类似单晶的性能，具有重要的意义。目前，大多数的外延bifeo3薄膜的制备都是采用一定真空条件下物理或化学气相沉积的方法，这些方法制备成本高昂，成品率低，无法大规模生产。溶液法可以较低成本、大面积生产和制备薄膜，例如中国专利cn101186341a公开了一种pt/ti/sio2/si基片上取向(100)-bifeo3薄膜的制备方法；中国专利cn101659520a公开了在玻璃基板上利用液相自组装法制备bifeo3薄膜的方法；中国专利cn101949643a公开了一种si基底上、磁场增强(100)取向的bifeo3薄膜的制备方法，等等。但这些溶液法制得的bifeo3薄膜都是取向性的bifeo3薄膜，并非外延生长的bifeo3薄膜。目前未见溶液法制备外延生长bifeo3多铁性薄膜的相关报道。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种高分子辅助外延生长bifeo3多铁性薄膜的方法，该方法在(100)srtio3或(100)nb:srtio3衬底上利用高分子辅助法沉积bifeo3多铁性薄膜，操作方便，原料化学计量比可精确控制，工艺简单，成本较低，通过对工艺条件的选择和优化，所得bifeo3薄膜为外延生长，多铁性能得到很大的提升，可用于高精密器件的研发，亦可满足商业化应用。

本发明以(100)srtio3或(100)nb:srtio3为衬底，采用高分子辅助法外延生长bifeo3多铁性薄膜，在沉积过程中，通过对前驱体溶液、薄膜沉积工艺的选择和优化，使bifeo3多铁性薄膜在(100)srtio3或(100)nb:srtio3衬底上外延生长的晶粒结晶度高、排列规则，从而提高薄膜性能。本发明具体技术方案如下：

一种高分子辅助外延生长bifeo3多铁性薄膜的方法，该方法包括以下步骤：

（1）将铋盐、铁盐、聚乙二醇混合物和混合溶剂搅拌混合均匀，得前驱体溶液；

（2）在(100)srtio3或(100)nb:srtio3衬底上涂覆前驱体溶液，采用旋涂法制备单层薄膜，甩膜时的温度为70-90℃，甩膜时的湿度为11-20%；

（3）将上一步涂覆单层薄膜后的(100)srtio3或(100)nb:srtio3衬底在250-300^oc下热处理5-10分钟，然后在石英管式炉中进行退火，退火程序为：保持炉内的o2流量为0.5-2l/min，先从室温以1-5℃/min的速率升至350-480℃，保温25-35min，再以10-40℃/min的速率升至520-650℃，保温25-35min，待炉温自然冷却至室温后将衬底取出；

（4）重复上述步骤（2）和（3），采用层层退火工艺制备每层薄膜，直至最终薄膜厚度满足要求，得bifeo3多铁性薄膜。

进一步的，上述步骤（1）中，所述混合溶剂为冰乙酸、乙二醇和乙二醇甲醚的混合物。其中，铋盐与冰乙酸的摩尔比为1:5-10，乙二醇和乙二醇甲醚的体积比为1:1。乙二醇和乙二醇甲醚的用量使最终的前驱体溶液具有所要求的浓度。

进一步的，所述铋盐为硝酸铋，所述铁盐为硝酸铁。铋盐、铁盐、聚乙二醇混合物和混合溶剂的加入顺序可以随意选择，例如可以先将铋盐与冰乙酸混合，升温形成均匀溶液，然后再加入铁盐、聚乙二醇混合物和另两种溶剂；也可以先将各溶剂混合，向混合溶剂中先加入铋盐，混合均匀，然后再加入铁盐、聚乙二醇混合物。

进一步的，上述步骤（1）中，铁盐与铋盐按照1:1的摩尔比加入，因为本发明bifeo3为外延生长，因此不会存在铋的缺失，铋盐无须过量加入。

进一步的，上述步骤（1）制得的前驱体溶液中，以bifeo3计，bifeo3在最终的前驱体溶液中的浓度为0.15mol/l~0.45mol/l，优选为0.23mol/l。

进一步的，上述步骤（1）中，所述聚乙二醇混合物为聚乙二醇20000和聚乙二醇400的混合物，铁酸铋、聚乙二醇20000和聚乙二醇400的摩尔比为1：0.005-0.015%：0.005-0.015%。聚乙二醇混合物的一个作用是调整前驱体溶液的粘度，最终前驱体溶液的粘度为2-4mpa·s，另一个作用是辅助外延生长。

进一步的，本发明采用层层退火工艺制备薄膜，所得薄膜在前驱体溶液以及制备工艺的调整和控制下外延生长bifeo3多铁性薄膜。单层薄膜采用旋涂法制备，制备时需要严格控制工艺条件，甩膜温度保持在70-90℃，甩膜湿度为11-20%，在此工艺条件以及其他条件的配合下，才能得到外延生长的、高质量的bifeo3多铁性薄膜。每次制备单层薄膜后都需要经过退火后再进行下一层薄膜的制备，通过升温速率、氧气流量和退火温度的控制，保证了各层薄膜中bifeo3的外延生长。优选的，层层退火时，每层薄膜的退火程序为：保持炉内的o2流量为0.7l/min，先从室温以5℃/min的速率升至450℃，保温30min，再以10℃/min的速率升至650℃，保温30min，待炉温自然冷却至室温后将衬底取出。在此优选条件下，更利于高质量外延生长薄膜的形成。

优选的，步骤（3）中，将上一步涂覆单层薄膜后的(100)srtio3或(100)nb:srtio3衬底在280^oc下热处理5分钟，然后在石英管式炉中进行退火。

进一步的，经试验发现，当外延生长的好坏与每层薄膜的厚度密切相关。本发明经过研究，发现当第一层薄膜的厚度小于其它层的厚度、第4层及以上的薄膜厚度小于第2-3层薄膜厚度时，所得薄膜性能更佳。

进一步的，本发明提供了制备每层薄膜的最佳工艺条件，即制备第一层薄膜时，以6000-7000rpm的速度甩膜，甩膜时间为1.5-2分钟；制备第2-3层膜时，以4000-5000rpm的速度甩膜，甩膜时间为0.5-1分钟；制备其他层薄膜时，以5000-6000rpm的速度甩膜，甩膜时间为1-2分钟。

优选的，第一层薄膜以6500rpm的速度甩膜，时间为2分钟；第2-3层膜以4500rpm的速度甩膜，时间为1分钟；其他层膜以5500rpm的速度甩膜，时间为1分钟。在此优选甩膜条件下，所得薄膜性能更佳。

进一步的，本发明所用的衬底为(100)srtio3或(100)nb:srtio3衬底，该衬底有利于外延生长薄膜的形成。在使用之前，需要先对衬底进行预处理，以除去其表面的杂质等影响薄膜生长的成分。预处理在650-750℃下进行，处理时间为25-35min。

进一步的，本发明最终bifeo3多铁性薄膜的厚度为80~120nm。

本发明通过前驱体溶液以及制备工艺等各条件的协同和搭配，得到了外延生长的bifeo3多铁性薄膜。采用优选条件时，所得薄膜铁电性能更佳，通过xrd测试发现bifeo3多铁性薄膜外延程度更高。

本发明首次发现了高分子聚合物、前驱体溶液浓度和粘度、制膜环境湿度、单层膜厚度、热处理工艺等条件的恰当组合对bifeo3薄膜的外延生长的影响。在这一机理的指导下，本发明采用高分子辅助法，通过对前驱体溶液的配制、单层薄膜的制备和热处理等步骤的配合，尤其是对前驱体溶液、单层甩膜和热处理工艺的优化，使晶粒外延生长满足所需要求，在(100)srtio3基底上成功制得了外延生长的bifeo3多铁性薄膜，使薄膜的性能得到更好的提升。本发明所得薄膜结晶度高、规整度好、铁电性能优异，同时薄膜的铁磁性能也能满足使用需求。

本发明方法实施很方便，原料化学计量比可精确控制，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜外延程度高，具有较大的室温电极化强度、较低的室温漏电流密度，结构致密、均匀，在局部小区域来看具有单晶的性能，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。

附图说明

图1为实施例1所得薄膜的xrd图。

图2为实施例1所得薄膜的电滞回线曲线。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明，下述说明仅是起到解释的作用，并不对本发明产生限制。

实施例1

bifeo3外延薄膜的制备，步骤如下：

一、前驱体溶液的配置

将bi(no3)3∙5h2o固体粉末加入到冰乙酸(ch3cooh)中（bi：冰乙酸摩尔比为1：8），在磁力搅拌器上持续搅拌7-9h，并保持温度为45-50℃，直至溶液呈很粘稠的透明溶液，将与bi(no3)3∙5h2o等摩尔量的fe(no3)3∙9h2o加入到该溶液中，并在磁力搅拌器上持续搅拌2h，直至其中的fe(no3)3∙9h2o完全溶解，然后按照铁酸铋：聚乙二醇20000：聚乙二醇400=1：0.01%：0.01%的摩尔比加入聚乙二醇20000和聚乙二醇400，最后加入等体积比的乙二醇和乙二醇甲醚将溶液稀释到bifeo3的浓度为0.23mol/l，经充分搅拌后超滤杯过滤，得到棕色纯净透明的前驱体溶液备用，该前驱体溶液的粘度为3mpa·s。

二、匀胶机甩膜

将(100)nb:srtio3衬底放入管式炉中700℃下热处理30分钟，然后保持温度在80℃并放入匀胶机中，保持湿度范围在14-17%，然后将前驱体溶液涂在衬底上，通过旋涂法制备单层薄膜；其中，第一层薄膜以6500rpm的速度甩膜，时间为2分钟，膜厚在12-16nm左右；第2-3层膜以4500rpm的速度甩膜，时间为1分钟，膜厚在20-25nm左右，其他层膜以5500rpm的速度甩膜，时间为1分钟，保证膜厚在16-21nm左右；

三、热处理

单层薄膜涂好后，将衬底在280^oc下热处理5分钟，然后放入石英管式炉中，先从室温以5℃/min的速率升至450℃，保温30min；再以10℃/min的速率升至650℃，保温30min，炉内的o2流量为0.7l/min；待炉温自然冷却至室温后取出样品。

四、重复上述二和三的步骤多次，得到膜厚为101nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜晶粒均匀且排列致密，晶粒大小基本一致，表面平整光滑。该薄膜晶粒大小达到了101nm左右，晶粒在纵向上为类单晶贯穿性生长模式，即由截面来看仅由一个晶粒构成，若在薄膜上方镀上面积较小的电极，可以构成电容器件，该器件具有近乎单晶的性能。

图1为所得薄膜的xrd图，从图中可以看出薄膜为外延生长，所得薄膜特征峰的峰值较高且尖锐，表明薄膜的结晶度较高。

从薄膜的电滞回线（图2）看，薄膜的剩余极化2pr约为80μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为6.2×10^-6a/cm²。说明薄膜具有良好的铁电性能。

实施例2

bifeo3薄膜的制备，步骤如下：

一、前驱体溶液的配置

同实施例1。

二、匀胶机甩膜

将(100)nb:srtio3衬底放入管式炉中700℃下热处理30分钟，然后保持温度在80℃并放入匀胶机中，保持湿度范围在14-17%，然后将前驱体溶液涂在衬底上，通过旋涂法制备单层薄膜；其中，第一层薄膜以7000rpm的速度甩膜，时间为2分钟，膜厚在11-15nm左右；第2-3层膜以5000rpm的速度甩膜，时间为1分钟，膜厚在19-24nm左右，其他层膜以6000rpm的速度甩膜，时间为2分钟，保证膜厚在14-18左右；

三、热处理

同实施例1。

四、重复上述二和三的步骤多次，得到膜厚为82nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜的xrd图与图1类似，具有较高的结晶度，为外延生长。所得薄膜表面平整，与衬底的界限清晰，薄膜晶粒均匀且排列致密，晶粒大小基本一致，晶粒外延生长。薄膜的铁电剩余极化2pr约为71μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为7.4×10^-6a/cm²。

实施例3

bifeo3薄膜的制备，步骤如下：

一、前驱体溶液的配置

同实施例1。

二、匀胶机甩膜

将(100)nb:srtio3衬底放入管式炉中700^oc下热处理30分钟，然后保持温度在80^oc并放入匀胶机中，保持湿度范围在14-17%，然后将前驱体溶液涂在衬底上，通过旋涂法制备单层薄膜；其中，第一层薄膜以6000rpm的速度甩膜，时间为2分钟，膜厚在14-18nm左右；第2-3层膜以4000rpm的速度甩膜，时间为1分钟，膜厚在22-26nm左右，其他层膜以5000rpm的速度甩膜，时间为1分钟，保证膜厚在19-24左右；

三、热处理

同实施例1。

四、重复上述二和三的步骤多次，得到膜厚为11nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜的xrd图与图1类似，具有较高的结晶度，为外延生长。所得薄膜表面平整，与衬底的界限清晰，薄膜晶粒均匀且排列致密，晶粒大小基本一致，晶粒外延生长。薄膜的铁电剩余极化2pr约为78μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为9.2×10^-6a/cm²。

实施例4

bifeo3薄膜的制备，步骤如下：

一、前驱体溶液的配置

同实施例1。

二、匀胶机甩膜

同实施例3；

三、热处理

单层薄膜涂好后，将衬底在250^oc下热处理10分钟，然后放入石英管式炉中，先以1℃/min的速率升至480℃，保温25min；再以40℃/min的速率升至600℃，保温25min，炉内的o2流量为2l/min；待炉温自然冷却至室温后取出样品。

四、重复上述二和三的步骤多次，得到膜厚为102nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜的xrd图与图1类似，具有较高的结晶度，为外延生长。所得薄膜表面平整，与衬底的界限清晰，薄膜晶粒均匀且排列致密，晶粒大小基本一致，晶粒外延生长。薄膜的铁电剩余极化2pr约为77μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为8.8×10^-6a/cm²。

实施例5

bifeo3薄膜的制备，步骤如下：

一、前驱体溶液的配置

同实施例1。

二、匀胶机甩膜

同实施例3；

三、热处理

单层薄膜涂好后，将衬底在300^oc下热处理5分钟，然后放入石英管式炉中，先以3℃/min的速率升至350℃，保温35min；再以20℃/min的速率升至520℃，保温35min，炉内的o2流量为0.5l/min；待炉温自然冷却至室温后取出样品。

四、重复上述二和三的步骤多次，得到膜厚为103nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜的xrd图与图1类似，具有较高的结晶度，为外延生长。所得薄膜表面平整，与衬底的界限清晰，薄膜晶粒均匀且排列致密，晶粒大小基本一致，晶粒外延生长。薄膜的铁电剩余极化2pr约为74μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为8.7×10^-6a/cm²。

实施例6

bifeo3薄膜的制备，步骤如下：

一、前驱体溶液的配置

将bi(no3)3∙5h2o固体粉末加入到冰乙酸(ch3cooh)中（bi：冰乙酸摩尔比为1：5），在磁力搅拌器上持续搅拌7-9h，并保持温度为45-50℃，直至溶液呈很粘稠的透明溶液，将fe(no3)3∙9h2o加入到该溶液中，并在磁力搅拌器上持续搅拌2h，直至其中的fe(no3)3∙9h2o完全溶解，然后按照铁酸铋：聚乙二醇20000：聚乙二醇400=1：0.015%：0.015%的摩尔比加入聚乙二醇20000和聚乙二醇400，最后加入等体积比的乙二醇和乙二醇甲醚将溶液稀释到bifeo3的浓度为0.15mol/l，经充分搅拌后超滤杯过滤，得到棕色纯净透明的前驱体溶液备用，该前驱体溶液的粘度为2.5mpa·s。

二、匀胶机甩膜

同实施例1；

三、热处理

同实施例1。

四、重复上述二和三的步骤多次，得到膜厚为88nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜的xrd图与图1类似，具有较高的结晶度，为外延生长。所得薄膜表面平整，与衬底的界限清晰，薄膜晶粒均匀且排列致密，晶粒大小基本一致，晶粒外延生长。薄膜的铁电剩余极化2pr约为64μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为9.9×10^-6a/cm²。

实施例7

bifeo3薄膜的制备，步骤如下：

一、前驱体溶液的配置

将bi(no3)3∙5h2o固体粉末加入到冰乙酸(ch3cooh)中（bi：冰乙酸摩尔比为1：10），在磁力搅拌器上持续搅拌7-9h，并保持温度为45-50℃，直至溶液呈很粘稠的透明溶液，将fe(no3)3∙9h2o加入到该溶液中，并在磁力搅拌器上持续搅拌2h，直至其中的fe(no3)3∙9h2o完全溶解，然后按照铁酸铋：聚乙二醇20000：聚乙二醇400=1：0.005%：0.005%的摩尔比加入聚乙二醇20000和聚乙二醇400，最后加入等体积比的乙二醇和乙二醇甲醚将溶液稀释到bifeo3的浓度为0.45mol/l，经充分搅拌后超滤杯过滤，得到棕色纯净透明的前驱体溶液备用，该前驱体溶液的粘度为3.5mpa·s。

二、匀胶机甩膜

同实施例1；

三、热处理

同实施例1。

四、重复上述二和三的步骤多次，得到膜厚为110nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜的xrd图与图1类似，具有较高的结晶度，为外延生长。所得薄膜表面平整，与衬底的界限清晰，薄膜晶粒均匀且排列致密，晶粒大小基本一致，晶粒外延生长。薄膜的铁电剩余极化2pr约为69μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为8.5×10^-6a/cm²。

实施例8

bifeo3薄膜的制备，步骤如下：

一、前驱体溶液的配置

同实施例1。

二、匀胶机甩膜

将(100)nb:srtio3衬底放入管式炉中750^oc下热处理30分钟，然后保持温度在70^oc并放入匀胶机中，保持湿度范围在18-20%，然后将前驱体溶液涂在衬底上，通过旋涂法制备单层薄膜；其中，第一层薄膜以6500rpm的速度甩膜，时间为2分钟，膜厚在12-16nm左右；第2-3层膜以4500rpm的速度甩膜，时间为1分钟，膜厚在20-25nm左右，其他层膜以5500rpm的速度甩膜，时间为1分钟，保证膜厚在16-21nm左右；

三、热处理

同实施例1。

四、重复上述二和三的步骤多次，得到膜厚为99nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜的xrd图与图1类似，具有较高的结晶度，为外延生长。所得薄膜表面平整，与衬底的界限清晰，薄膜晶粒均匀且排列致密，晶粒大小基本一致，晶粒外延生长。薄膜的铁电剩余极化2pr约为74μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为8.2×10^-6a/cm²。

实施例9

bifeo3薄膜的制备，步骤如下：

一、前驱体溶液的配置

同实施例1。

二、匀胶机甩膜

将(100)nb:srtio3衬底放入管式炉中650^oc下热处理30分钟，然后保持温度在90^oc并放入匀胶机中，保持湿度范围在11-13%，然后将前驱体溶液涂在衬底上，通过旋涂法制备单层薄膜；其中，第一层薄膜以6500rpm的速度甩膜，时间为2分钟，膜厚在12-16nm左右；第2-3层膜以4500rpm的速度甩膜，时间为1分钟，膜厚在20-25nm左右，其他层膜以5500rpm的速度甩膜，时间为1分钟，保证膜厚在16-21nm左右。

三、热处理

同实施例1。

四、重复上述二和三的步骤多次，得到膜厚为100nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜的xrd图与图1类似，具有较高的结晶度，为外延生长。所得薄膜表面平整，与衬底的界限清晰，薄膜晶粒均匀且排列致密，晶粒大小基本一致，晶粒外延生长。薄膜的铁电剩余极化2pr约为70μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为7.8×10^-6a/cm²。

对比例1

按照实施例1的方法制备bifeo3薄膜，不同的是：在制备单层薄膜时，将湿度控制在21-30%。所得样品的外延效果变差，结晶度也明显降低，晶粒较小，晶粒在纵向有晶界，其铁电剩余极化2pr约为42μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为5.5×10^-5a/cm²。

对比例2

按照实施例1的方法制备bifeo3薄膜，不同的是：前驱体溶液的配置方法如下：将bi(no3)3∙5h2o固体粉末加入到冰乙酸(ch3cooh)中（bi：冰乙酸摩尔比为1：8），在磁力搅拌器上持续搅拌7-9h，并保持温度为45-50℃，直至溶液呈很粘稠的透明溶液，将fe(no3)3∙9h2o加入到该溶液中，并在磁力搅拌器上持续搅拌2h，直至其中的fe(no3)3∙9h2o完全溶解，然后加入聚乙烯醇调整溶液粘度，最后加入等体积比的乙二醇和乙二醇甲醚将溶液稀释到bifeo3的浓度为0.23mol/l，经充分搅拌后超滤杯过滤，得到棕色纯净透明的前驱体溶液备用，该前驱体溶液的粘度为3mpa·s。然后按照实施例1的方法得到膜厚为102nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜为非外延生长，结晶度不高，晶界附着物较多，薄膜晶粒排列较杂乱，在同一纵向位置晶粒不连续，晶粒没有形成纵向贯穿生长，薄膜的铁电剩余极化2pr约为38μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为5.7×10^-4a/cm²。

对比例3

bifeo3薄膜的制备，步骤如下：

一、前驱体溶液的配置

同实施例1，不同的是：按照铁酸铋：聚乙二醇20000：聚乙二醇400=1：0.001%：0.001%的摩尔比加入聚乙二醇20000和聚乙二醇400，最终前驱体溶液的粘度为3mpa·s。

二、匀胶机甩膜

将(100)nb:srtio3衬底放入管式炉中700^oc下热处理30分钟，然后保持温度在80^oc并放入匀胶机中，保持湿度范围在14-17%，然后将前驱体溶液涂在衬底上，以6500rpm的速度甩膜，时间为1分钟，沉积单层薄膜，单层薄膜的厚度为12-16nm；

三、热处理

同实施例1。

四、重复上述二和三的步骤多次，得到膜厚为109nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜有平整光滑的表面，在同一纵向位置晶粒不连续，晶粒没有形成纵向贯穿生长。薄膜的铁电剩余极化2pr约为46μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为4.3×10^-4a/cm²。

对比例4

按照实施例1的方法制备bifeo3薄膜，不同的是：配制前驱体溶液时，仅按照铁酸铋：聚乙二醇20000=1:0.02%的摩尔比加入聚乙二醇20000，未加入聚乙二醇400。然后按照实施例1的方法得到膜厚为105nm左右的bifeo3多铁性薄膜。

所得薄膜结晶度较高但为非外延薄膜。薄膜表面光滑平整，晶粒大小均匀，晶粒致密排列。但是与实施例1相比，所得薄膜的晶粒偏小，致密程度不如前者，且绝大部分晶粒都在30到60nm之间。薄膜的铁电剩余极化2pr约为44μc/cm²，电场100kv/cm时漏电流为8.7×10^-4a/cm²。