1.一种cr-si系烧结体，其为包含cr(铬)、硅(si)的cr-si系烧结体，其特征在于，根据x射线衍射确定的结晶结构由硅化铬(crsi2)、硅(si)构成，crsi2相在块体中存在60wt％以上，烧结体密度为95％以上，crsi2相的平均粒径为60μm以下。
2.根据权利要求1所述的cr-si系烧结体，其特征在于，弯曲强度为100mpa以上。
3.根据权利要求1或2所述的cr-si系烧结体，其特征在于，块体中的氧量为1wt％以下。
4.一种溅射靶材，其特征在于，包含权利要求1～3中任一项所述的cr-si系烧结体。
5.一种薄膜的制造方法，其特征在于，使用权利要求4所述的溅射靶材进行溅射。