技术特征：
1.一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构，包括籽晶托、籽晶与缓冲层，其特征在于，所述籽晶边缘设有环形保护层，所述环形保护层的宽度小于所述缓冲层与所述籽晶托的半径差。2.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构，其特征在于，所述环形保护层的厚度大于所述缓冲层的厚度，所述环形保护层的厚度小于所述籽晶与所述缓冲层的厚度之和。3.根据权利要求1所述的一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构，其特征在于，所述籽晶通过所述环形保护层与坩埚内壁间接接触。4.根据权利要求1-3任一项所述的一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构，其特征在于，所述环形保护层的材料为延展性好且熔点高的材料。5.根据权利要求4所述的一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构，其特征在于，所述环形保护层的材料包括石墨纸、钨、钽、铌中的一种。6.一种坩埚盖，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的粘接结构，包括坩埚盖，所述坩埚盖由籽晶与等径环组成，所述等径环上设有台阶。7.根据权利要求6所述的一种坩埚盖，其特征在于，所述缓冲层与所述环形保护层被籽晶托压在所述等径环的台阶上。8.一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接方法，其特征在于，所述粘接方法为：采用权利要求1-5任一项所述的粘接结构，将缓冲层粘接至籽晶托上，将籽晶粘接到缓冲层上，将环形保护层粘接到籽晶的外围，最后将籽晶托与等径环安装好，进行正常的物理气相传输法生产碳化硅晶体。
技术总结
本发明公开了一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构与粘接方法，包括籽晶托、籽晶与缓冲层，所述籽晶边缘设有环形保护层，所述环形保护层的宽度小于所述缓冲层与所述籽晶托的半径差。采用本发明的籽晶粘接结构，籽晶与坩埚内壁之间不留空隙但却不是直接接触的，籽晶边缘温度不会过高，分解升华的概率大大降低，可以有效抑制碳化硅籽晶的背向分解。本发明在不改变籽晶粘接工艺的情况下，仅改变粘接材料的结构布局，就能有效减少SiC籽晶边缘烧蚀和晶体中空洞缺陷的出现，简单易行，设用于各种籽晶粘接工艺。各种籽晶粘接工艺。各种籽晶粘接工艺。
技术研发人员：皮孝东 张乃夫 杨德仁
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/4/26