一种含钪三元层状碳化物陶瓷材料及其制备方法和应用

技术特征：
1.一种含钪三元层状碳化物陶瓷材料，其特征在于，该含钪三元层状碳化物陶瓷材料的化学式为sc2pbc，空间群为p63/mmc，晶格参数为sc原子位于(1/3，2/3，0.57958)，pb原子位于(1/3，2/3，1/4)，c原子位于(0，0，0)。2.权利要求1所述的含钪三元层状碳化物陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)混合：将sc粉、pb粉和c粉球磨混合，得到混合粉体；(2)烧结：将步骤(1)所得混合粉体进行烧结；(3)冷却：将步骤(2)烧结过后的混合粉体冷却至室温，并磨去表面碳化层，得到含钪三元层状碳化物陶瓷材料。3.根据权利要求2所述的含钪三元层状碳化物陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中sc粉的粒径为150～250目，pb粉的粒径为500～800目，c粉的粒径为300～1500目。4.根据权利要求2所述的含钪三元层状碳化物陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中sc粉、pb粉和c粉的摩尔比为2：(0.9～1.3)：1，在惰性气体的保护下进行混合。5.根据权利要求2所述的含钪三元层状碳化物陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中混合时间为10～14h，混合速度为40～80rpm。6.根据权利要求5所述的含钪三元层状碳化物陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中混合时间为12h，混合速度为70rpm。7.根据权利要求2所述的含钪三元层状碳化物陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中以40～70℃/s的升温速率升温至650～750℃后，再以10～20℃/s的升温速度升温至1100～1300℃，保温0～60min。8.根据权利要求2所述的含钪三元层状碳化物陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中烧结压力为20～40mpa。9.权利要求1所述的含钪三元层状碳化物陶瓷材料在防辐射方面的应用。

技术总结
本发明公开了一种含钪三元层状碳化物陶瓷材料及其制备方法和应用，该含钪三元层状碳化物陶瓷材料包含钪、铅和碳三种元素，其化学式为Sc2PbC；Sc2PbC的空间群为P63/mmc，其晶格参数为参数为参数为Sc原子位于(1/3，2/3，0.57958)，Pb原子位于(1/3，2/3，1/4)，C原子位于(0，0，0)。该含钪三元层状碳化物陶瓷材料的制备方法为：(1)混合；(2)烧结；(3)冷却。本发明公开的含钪三元层状碳化物陶瓷材料，具有良好的防辐射性能，为设计综合防辐射材料提供了全新的思路，拓宽了钪元素的应用范围。围。


技术研发人员：胡春峰 张奇强 冯庆国
受保护的技术使用者：西南交通大学
技术研发日：2022.11.17
技术公布日：2023/3/31