本发明涉及瓷绝缘子半导体釉制备，具体为一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法。
背景技术：
1、随着陶瓷制品进入千家万户，陶瓷釉料为陶瓷制品不可缺少的装饰材料，现有的陶瓷釉料按照类别与用途可以大致分类如下：1、铅釉和无铅釉；2、生料釉与熔块釉；3、一次烧成或二次烧成用釉；4、瓷砖，餐具，卫生陶瓷与电瓷用釉；5、按施釉方法划分的浸釉、喷釉、浇釉；6、高温釉和低温釉；7、高膨胀釉和低膨胀釉；8、烧成气氛氧化焰、中性焰和还原焰；9、颜色釉与无色釉；10、透明釉与乳浊釉；11、光泽釉、无光釉、半无光釉或花纹釉等等。
2、半导体釉是一种用于高压电磁而具有特殊性能的釉，其表面电阻率介于绝缘体与导体之间。该釉通常是在普通电瓷釉中加入一定量(约30％)的导电性金属氧化物或化合物构成。形成的显微结构与普通釉不同，在半导体釉中除了含有大量的玻璃相及少量气泡外，还含有各种形态的导电结晶或固溶体，这些导电相贯穿于玻璃基质之间，构成不间断的导电网络。
3、由于半导体釉涂覆在高压电磁外表面，容易受到外界环境的腐蚀，发生各种电化腐蚀，同时现有半导体釉抗污能力差。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、针对现有技术的不足，本发明提供了一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法。
3、(二)技术方案
4、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，包括以下质量份的原料组成：氧化锌10-20份、氧化铝粉5-10份、石灰5-10份、钾长石15-20份、石英25-30份、高岭土10-15份、滑石粉5-10份、珍珠岩10-20份、蛭石5-10份、硅酸锆3-8份、光泽剂10-18份。
5、优选的，所述瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
6、s1：制备白釉
7、s101：将原料中的钾长石、石英、珍珠岩、蛭石、硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
8、s102：向球磨机中进行添加水进行球磨，球磨时间为10-15小时；
9、s103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，得到白釉；
10、s2：将原料中的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1-2小时；
11、s3：将s2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，进行淬火，得到淬火料；
12、s4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，并加入高岭土和滑石粉，研磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10-15小时；
13、s5：将s4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
14、s6：将s5中混合后的产物进行放置陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅拌机中进行搅拌并加入光泽剂，得到混合料；
15、s7：将s6中得到的混合料放置在离心机中，进行离心，去除其水分，然后再放置在干燥炉中，进行干燥，至釉浆中的水分小于1％，然后进行烧制，冷却后得到半导体釉。
16、优选的，所述s7中，烧制的温度为1250-1300℃。
17、优选的，所述s6中，陈腐条件为无氧环境中，且在20℃的环境中进行陈腐。
18、优选的，所述s103中，过筛条件为200-300目，筛余料与除铁废料直接废弃。
19、优选的，所述s102中，添加的水为蒸馏水。
20、优选的，所述s3中，淬火用水为蒸馏水或淬火油。
21、优选的，所述s4中，高岭土和滑石粉加入前还需要进行除铁除杂处理。
22、(三)有益效果
23、与现有技术相比，本发明提供了一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，具备以下有益效果：
24、1、该一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，通过本发明进行制备的半导体釉，可以提高其较强的抗腐蚀能力，通过在原料中进行氧化锌、氧化铝粉，通过进行添加的金属氧化物，可以提高半导体釉的抗污性能。
25、2、该一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，通过该制备工艺，利用其对原料进行预先干燥处理，可以提高对原料的纯度，从而提高半导体釉制备后的抗污能力。
1.一种瓷绝缘子半导体釉配方，其特征在于，包括以下质量份的原料组成：氧化锌10-20份、氧化铝粉5-10份、石灰5-10份、钾长石15-20份、石英25-30份、高岭土10-15份、滑石粉5-10份、珍珠岩10-20份、蛭石5-10份、硅酸锆3-8份、光泽剂10-18份。
2.根据权利要求1所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述s7中，烧制的温度为1250-1300℃。
4.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述s6中，陈腐条件为无氧环境中，且在20℃的环境中进行陈腐。
5.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述s103中，过筛条件为200-300目，筛余料与除铁废料直接废弃。
6.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述s102中，添加的水为蒸馏水。
7.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述s3中，淬火用水为蒸馏水或淬火油。
8.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述s4中，高岭土和滑石粉加入前还需要进行除铁除杂处理。