1.一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的溶胶凝胶制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的溶胶凝胶制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述zno：掺杂金属氧化物的摩尔百分比为(96.00-100.00)：(0.00-4.00)；
3.根据权利要求1所述的一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的溶胶凝胶制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述聚乙烯醇水溶液的质量百分数为1％-5％；所述掺杂金属氧化物为co2o3，mno2，sio2；所述粉料压制成型时，每取0.1-0.15g粉料压制成直径为8.0mm，厚度为0.6-0.8mm的生坯。
4.根据权利要求1所述的一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的溶胶凝胶制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述bi盐：前驱体溶液：溶剂的质量比为(0.5％-2.0％)：(0.0％-49.75％)：(49.0％-99.5％)；所述bi盐与其它金属盐的混合体：前驱体溶液：溶剂的质量比为(0.5％-2.0％)：(0.0％-49.75％)：(49.0％-99.5％)；所述bi盐为bi(no3)3·5h2o；所述其它金属盐为mnso4·h2o或mn(no3)2·4h2o；所述前驱体溶液为无水乙醇；所述溶剂为丙三醇或去离子水；所述bi盐：其它金属盐的质量比为(1-3)：(1-3)。
5.根据权利要求1所述的一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的溶胶凝胶制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述水浴加热的温度为40-80℃，水浴加热的搅拌时间为1-4h。
6.根据权利要求1所述的一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的溶胶凝胶制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述聚乙烯醇水溶液的质量百分数为1％-5％，施加的压力为0.1-0.5mpa。
7.根据权利要求1所述的一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的溶胶凝胶制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述排胶温度为500-600℃，排胶时间为100-300min。
8.根据权利要求1所述的一种仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷的溶胶凝胶制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述烧结温度为600-1000℃，烧结时间为2-3h。
9.权利要求1-8任意一项制备方法制得的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷，其特征在于，该仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷为zno层-富bi层-zno层的三层结构坯体，其非线性系数为2.02-18.73，击穿电压为12.38-1072.40v，漏电流密度为0.03-2.13ma/cm2，富bi层厚度≤10.23μm。
10.权利要求9所述的仅包含单个双肖特基晶界势垒的三层结构压敏陶瓷在电力系统和电子线路中的应用。