低介质损耗角正切二氧化硅溶胶及低介质损耗角正切二氧化硅溶胶的制造方法与流程

文档序号:37383110发布日期:2024-03-22 10:35阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种二氧化硅粒子,其满足下述(i)、(ii)、和(iii)的事项,且1ghz下的介质损耗角正切为0.01以下,

2.根据权利要求1所述的二氧化硅粒子,其特征在于,所述二氧化硅粒子的表面的至少一部分被具有选自烷基、碳原子数6~12的芳基、和具有不饱和键的取代基中的至少1个取代基的有机硅化合物被覆着。

3.根据权利要求1所述的二氧化硅粒子,其是在所述二氧化硅粒子的至少一部分的表面结合具有选自烷基、碳原子数6~12的芳基、和具有不饱和键的取代基中的至少1个取代基的有机硅化合物的至少一部分而成的。

4.根据权利要求2或3所述的二氧化硅粒子,所述有机硅化合物的取代基选自碳原子数1~10的烷基、苯基、苯基甲基、和乙烯基中的至少一种。

5.根据权利要求2~4中任一项所述的二氧化硅粒子,所述有机硅化合物为与所述取代基一起还具有水解性基的化合物。

6.根据权利要求2或3所述的二氧化硅粒子,所述有机硅化合物选自下述式(a)~(g)所示的化合物中的至少一种,

7.根据权利要求2~6中任一项所述的二氧化硅粒子,其是所述有机硅化合物以所述二氧化硅粒子的每1nm2表面积0.5个~6个的比例被覆该二氧化硅粒子的表面或结合于表面而成。

8.一种二氧化硅分散液,是权利要求1所述的二氧化硅粒子分散于水、或有机溶剂中而得的。

9.一种二氧化硅分散液,是权利要求2~7中任一项所述的二氧化硅粒子分散于选自醇类、酮类、烃类、酰胺类、醚类、酯类和胺类中的至少1种有机溶剂中而得的。

10.一种复合材料,其包含权利要求2~7中任一项所述的二氧化硅粒子、和有机树脂材料。

11.根据权利要求10所述的复合材料,所述有机树脂材料为选自环氧树脂、酚醛树脂、丙烯酸系树脂、马来酰亚胺树脂、聚氨酯、聚酰亚胺、聚四氟乙烯、环烯烃聚合物、不饱和聚酯、乙烯基三嗪、交联性聚苯醚和固化性聚苯醚中的至少1种。

12.根据权利要求10或11所述的复合材料,其具有选自半导体器件材料、覆铜叠层板、柔性配线材料、柔性显示器材料、天线材料、光配线材料和传感材料中的用途。

13.一种表面修饰二氧化硅粒子的制造方法,其包含下述工序:将下述二氧化硅粒子、与具有选自烷基、碳原子数6~12的芳基、和具有不饱和键的取代基中的至少1个取代基的有机硅化合物在有机溶剂中进行混合的工序,

14.一种表面修饰二氧化硅粒子的制造方法,其包含下述(a)工序~(c)工序:

15.根据权利要求14所述的表面修饰二氧化硅粒子的制造方法,(b)工序和(c)工序中的任一者或两者在减压下进行。

16.根据权利要求14所述的表面修饰二氧化硅粒子的制造方法,在(a)工序中准备的二氧化硅溶胶为水分量为0.1~2质量%的二氧化硅溶胶。

17.根据权利要求14所述的表面修饰二氧化硅粒子的制造方法,在(a)工序中准备的二氧化硅溶胶为将在200~380℃、2mpa~22mpa下进行了水热合成的水性二氧化硅溶胶溶剂置换为碳原子数1~4的醇的二氧化硅溶胶。

18.一种表面修饰二氧化硅分散液的制造方法,其包含下述(a)工序和(b)工序:

19.根据权利要求18所述的表面修饰二氧化硅分散液的制造方法,其进一步包含下述(d)工序:


技术总结
本发明的课题是提供1GHz下的介质损耗角正切为0.01以下的二氧化硅粒子及其分散液。解决手段是满足下述(i)、(ii)、和(iii)的事项的、1GHz下的介质损耗角正切为0.01以下的二氧化硅粒子及其分散液,(i)平均一次粒径为5nm~120nm,(ii)采用水蒸气吸附而测得的比表面积(SH2O)与采用氮吸附而测得的比表面积(SN2)之比(SH2O/SN2)为0.6以下,(iii)下述式(1)所示的全部硅烷醇基率为5%以下,全部硅烷醇基率(%)=(Q2×2/4+Q3×1/4+Q4×0/4)····式(1)[在式(1)中,Q2、Q3、Q4表示二氧化硅粒子的硅原子中的Q2结构、Q3结构和Q4结构的含有比率。]。

技术研发人员:中田豪,江原和也,荒木惠,杉泽雅敏
受保护的技术使用者:日产化学株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/3/21
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