专利名称：：金属硅通氧去钙生产工艺的制作方法
技术领域：
：本发明涉及金属硅熔炼工艺，具体涉及金属硅去钙的生产工艺。在现有
技术领域：
中，金属硅去钙生产工艺都是沿袭原苏联的冶炼方法，即一般皆采用通氯去钙的方法来降低金属硅产品中的含钙量。这种方法虽然能达到降低金属硅含钙量的目的，但仍存在许多缺陷，特别是通氯后，产品表面会残留氯化钙(Cacl2)，容易产生受潮，风化的现象，产品的表面容易吸附金属硅粉末，而且在通氯过程中会污染周围的环境，对操作工人的身体健康亦有一定的影响。本发明的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种工艺方法简单，产品表面光亮，不易受潮，不易风化的金属硅通氧去钙生产工艺。本发明的目的是通过下列技术方案实现的。其方法是先将完全熔炼好的金属硅熔液灌入抬包，再将通氧石墨棒插入硅熔液内，适当搅动后保温，然后通氧，通氧完毕后再将金属硅熔液倒入地模后进行第二次浇铸，最后进行排渣处理，完成了整个工艺过程。本发明在现有技术的基础上作了较大的改进，根据此工艺生产出来的产品表面光亮、干燥、美观、不易风化受潮，其工艺方法简单，生产成本低，容易操作，去除了氯气对操作者的不利影响，减少了环境污染，具有广阔的应用前景。附图为本发明的工艺流程图。下面结合附图详述本发明的具体方法1、将完全熔炼好的金属硅熔液灌入抬包，灌至抬包深度的2/3处。2、将通氧石墨棒插入硅熔液的中间部位，适当搅动，石墨棒长度1-1.2m，外径100～150mm，内径直径10～20mm，石墨棒与铁管连接，铁管再与橡胶管连接，再经减压阀与氧气瓶连接。一般情况下，氧气瓶气压13Mpa，容量6m3，纯度99.4％。通过减压之后保持4-5Mpa工作气压。3、将金属硅熔液继续流向抬包，直到灌满，盖上稻草保温。4、通氧5～15分钟，一般根据用户对金属硅产品含Ca量多少的要求以及硅石原料中的含Ca量的多少来决定，对金属硅熔液出炉后第一抬包通氧时间可适当延长，观察检测结果后具体掌握。通氧过程中，金属硅熔液沸腾氧分子和金属硅中的钙分子发生化学反应()产生氧化钙，将其排除，达到降低金属硅含钙量的目的。5、通氧完毕之后将金属硅熔液倒入“地模”进行第二次浇铸。6、进行排渣处理，金属硅熔液通氧之后除产生氧化钙之外。还会产生三氧化二铝(即)沉淀，排渣后同时达到降低金属硅的含铝量和其他杂质。7、对冷却后的金属硅产品及时检测，迅速了解产品的Si、Fe、Al、Ca的含量，及时调整通氧时间，确保产品质量。8、将冷却后的产品脱模、精整、包装。经湖南商检局检验结果<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="664">时间检测项目计量单位标准要求实检结果单项评定1化学成份Si％≥99.099.55合格Ca％≤0.10.05合格Al％≤0.20.10合格Fe％≤0.50.30合格2包装良好合格</table></tables>权利要求1.一种金属硅通氧去钙生产工艺，其方法为先将完全熔炼好的金属硅熔液灌入抬包，再将通氧石墨棒插入硅熔液内，适当搅动后保温，然后通氧，通氧完毕后将金属硅熔液倒入地模后进行第二次浇铸，最后进行排渣处理。2.根据权利要求1所述的金属硅通氧去钙生产工艺，其特征在于通氧时间为5～15分钟。3.根据权利要求1所述的金属硅通氧去钙生产工艺，其特征在于石墨棒长度为1～1.2m，外径为100～150mm，内孔直径为10～20mm。全文摘要一种金属硅通氧去钙生产工艺,其方法为先将完全熔炼好的金属硅熔液灌入抬包,再将通氧石墨棒插入硅熔液内,适当搅动后保温,然后通氧,通氧完毕后将金属硅熔液倒入地模后进行第二次浇铸,最后进行排渣处理。本发明工艺方法简单,产品表面光亮,不易受潮、风化,去除了氯气对操作者的不利影响,减少了环境污染,具有广阔的应用前景。文档编号C01B33/00GK1176225SQ97107989公开日1998年3月18日申请日期1997年3月21日优先权日1997年3月21日发明者刘钧,李新亮申请人:刘钧,李新亮