一种泡生法蓝宝石晶体生长炉的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及蓝宝石面板材料加工设备，尤其是一种泡生法蓝宝石晶体生长炉。
【背景技术】
[0002]蓝宝石硬度极高、耐高温、耐磨损、抗腐蚀和透光波段宽，由于其具有的优质光学和物理特性而被运用于各种要求苛刻的领域。它可以在高温下保持其高强度、优良的热属性和透过率。它有着很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀。随着手机技术的迅猛发展，蓝宝石材料手机面板的应用需求日益增长，蓝宝石晶体已经成为现代工业极为重要的基础材料。传统的提拉法需要将晶体提出到坩祸外，冷却速度控制不精确，晶体生长较慢还易造成坩祸污染。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型提供一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，克服了上述技术不足，它能精确控制冷却速率，不需将晶体提出坩祸，避免坩祸污染。
[0004]本实用新型的技术方案:一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，包括坩祸、热交换器和保温材料。所述坩祸通过坩祸支撑架固定，所述坩祸和坩祸支撑架外设有保温材料，所述坩祸与保温材料之间的两侧各设有发热棒，所述发热棒两端连接水冷电极；所述热交换器设于坩祸口正上方，固定在保温材料中，它由籽晶通过钼质夹持器与耐热不锈钢水冷却器相连接形成，以控制籽晶提升以及籽晶附近的温度。所述坩祸下层容纳熔体，上层容纳晶体。
[0005]优选地，所述坩祸可采用钨坩祸，加热体由钨材料编成笼形状结构。
[0006]本技术方案的特点是利用利用温度控制晶体增长，虽然出其存在提拉过程，但到了晶体等径增长阶段，就可以依靠不断降温的结晶动力使晶体增长，不再使用提拉技术。
[0007]同现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点:它能精确控制冷却速率，不需将晶体提出坩祸，避免坩祸污染。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型结构示意图。
[0009]图中，I热交换器；2水冷电极；3籽晶；4坩祸；5晶体；6熔体；7保温材料；8发热棒；9坩祸支撑架。
【具体实施方式】
[0010]实施例:如图所示，一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，包括坩祸4、热交换器I和保温材料7。所述坩祸4通过坩祸支撑架9固定，所述坩祸4和坩祸支撑架9外设有保温材料7，所述坩祸4与保温材料7之间的两侧各设有发热棒8，所述发热棒8两端连接水冷电极2 ;所述热交换器I设于坩祸4 口正上方，固定在保温材料7中，它由籽晶3通过钼质夹持器与耐热不锈钢水冷却器相连接形成，以控制籽晶3提升以及籽晶3附近的温度。所述坩祸4下层容纳熔体6，上层容纳晶体5。优选地，所述坩祸4可采用钨坩祸，加热体由钨材料编成笼形状结构。
[0011]将籽晶3用热交换器I所设的钼质夹持器接触到高纯氧化铝熔体6表面，当籽晶3在熔体6固液面上开始生长与籽晶3结构相同的单晶时，钼质夹持器以很慢的速度提拉，提拉一段时间后形成晶颈，等熔体6与籽晶3界面凝固速度稳定后，不再提拉籽晶3，也不再旋转，仅以控制冷却速率的方式使单晶从上而下逐步凝固，最后凝固成一个单晶锭，然后再进行退货和冷却。
[0012]应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本实用新型的保护范围，这些都不会影响本实用新型实施的效果和专利的实用性。
【主权项】
1.一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，包括坩祸、热交换器和保温材料，所述坩祸通过坩祸支撑架固定，所述坩祸和坩祸支撑架外设有保温材料，所述坩祸与保温材料之间的两侧各设有发热棒，所述发热棒两端连接水冷电极；其特征在于，所述热交换器设于坩祸口正上方，固定在保温材料中，它由籽晶通过钼质夹持器与耐热不锈钢水冷却器相连接形成，以控制籽晶提升以及籽晶附近的温度。
2.根据权利要求1所述的一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，其特征在于，所述坩祸可采用钨坩祸，加热体由钨材料编成笼形状结构。
【专利摘要】一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，包括坩埚、热交换器和保温材料。所述坩埚通过坩埚支撑架固定，所述坩埚和坩埚支撑架外设有保温材料，所述坩埚与保温材料的之间的两侧各设有发热棒，所述发热棒两端连接水冷电极；所述热交换器设于坩埚口正上方，固定在保温材料中，它由籽晶通过钼质夹持器与耐热不锈钢水冷却器相连接形成，以控制籽晶提升以及籽晶附近的温度。所述坩埚下层容纳熔体，上层容纳晶体。同现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：它能精确控制冷却速率，不需将晶体提出坩埚，避免坩埚污染。
【IPC分类】C30B29-20, C30B17-00
【公开号】CN204491030
【申请号】CN201520121736
【发明人】胡海波, 位鹏, 黄涛
【申请人】胡海波
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年3月2日