一种防缺陷多晶硅坩埚的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅领域，尤其涉及一种防缺陷多晶硅坩祸。
【背景技术】
[0002]众所周知，当今世界电力供应渐趋紧张，光伏技术的运用可以有效地缓解这一局面。光伏发电主要有单晶、多晶电池片技术，与单晶相比，多晶光伏具有能耗小、效率高等优点；同样的时间内，耗用同样的能源，多晶产出将是单晶的6?7倍，因而多晶近些年得到广泛运用。
[0003]目前，对于多晶硅熔融结晶所使用的坩祸，业内都采用高纯石墨材料制作，自身制造成本较大；而且石墨坩祸结晶出的多晶硅铸锭，其含杂量较高，硅锭的有效收得率非常低，以及存在使用效果不理想等缺陷，同时尚不能大规模生产应用。因此，研究开发一种防缺陷多晶硅坩祸，具有十分重要的实际意义。
【实用新型内容】
[0004]为此，鉴于现有技术存在的上述问题，本实用新型的一个目的在于提供一种具有均匀且适宜防缺陷多晶硅坩祸。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型提供的一种防缺陷多晶硅坩祸，包括具有一敞口端的坩祸，其中，坩祸包括长方体槽状的坩祸本体，所述坩祸本体下面设置一内底面，所述内底面均匀设置有多个用于在多晶硅铸锭工艺中作为形核点的盲孔，坩祸本体的内底面上设置有一多晶硅砂层，所述盲孔形成于所述多晶硅砂层上。
[0006]作为优选，所述多晶硅坩祸的内底面为长方形，所述盲孔在所述多晶硅坩祸坩祸的内底面上成矩阵排列。
[0007]作为优选，所述多晶硅砂层的厚度为0.4_4mm。
[0008]优选地，所述多晶硅坩祸为一正方体容器，所述多晶硅坩祸的边长范围为0.8-lm。
[0009]本实用新型的有益效果是:
[0010]本实用新型提供了一种防缺陷多晶硅坩祸，在坩祸本体内底面上形成若干在多晶硅铸锭工艺中作为形核点的盲孔，通过热场与工艺的配合，控制长晶初期的过冷度，从而可以得到均匀的具有一定尺寸大小的小晶粒。本实用新型的防缺陷多晶硅坩祸制备成本低且形核点均匀、适宜。
【附图说明】
[0011]图1是一种防缺陷多晶硅坩祸立体结构示意图。
[0012]其中:1_樹祸本体，2_盲孔，3_多晶娃砂层。
【具体实施方式】
[0013]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
[0014]在一个实施例中，如图1所示，
[0015]—种防缺陷多晶硅坩祸，包括具有一敞口端的坩祸，其中，坩祸包括长方体槽状的坩祸本体1，所述坩祸本体1下面设置一内底面，所述内底面均匀设置有多个用于在多晶硅铸锭工艺中作为形核点的盲孔2，坩祸本体的内底面上设置有一多晶硅砂层3，所述盲孔形成于所述多晶硅砂层上。
[0016]作为优选，所述多晶硅坩祸的内底面为长方形，所述盲孔在所述多晶硅坩祸坩祸的内底面上成矩阵排列。
[0017]作为优选，所述多晶硅砂层的厚度为0.4_4mm。
[0018]进一步地，所述多晶硅坩祸为一正方体容器，所述多晶硅坩祸的边长范围为0.8-lm0
[0019]以上所揭露的仅为本实用新型较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种防缺陷多晶硅坩祸，其特征在于:包括具有一敞口端的坩祸，其中，坩祸包括长方体槽状的坩祸本体(1 )，所述坩祸本体(1)下面设置一内底面，所述内底面均匀设置有多个用于在多晶硅铸锭工艺中作为形核点的盲孔(2)，坩祸本体的内底面上设置有一多晶硅砂层(3 )，所述盲孔(2 )形成于所述多晶硅砂层(3 )上。2.根据权利要求1所述的一种防缺陷多晶硅坩祸，其特征在于，所述多晶硅坩祸的内底面为长方形，所述盲孔(2)在所述多晶硅坩祸坩祸的内底面上成矩阵排列。3.根据权利要求1所述的一种防缺陷多晶硅坩祸，其特征在于，所述多晶硅砂层的厚度为 0.4_4mm。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的一种防缺陷多晶硅坩祸，其特征在于，所述多晶硅坩祸为一正方体容器，所述多晶硅坩祸的边长范围为0.8-lm。
【专利摘要】本实用新型涉及一种防缺陷多晶硅坩埚，包括具有一敞口端的坩埚，其中，坩埚包括长方体槽状的坩埚本体，所述坩埚本体下面设置一内底面，所述内底面均匀设置有多个用于在多晶硅铸锭工艺中作为形核点的盲孔，坩埚本体的内底面上设置有一多晶硅砂层，所述盲孔形成于所述多晶硅砂层上，通过热场与工艺的配合，控制长晶初期的过冷度，从而可以得到均匀的具有一定尺寸大小的小晶粒。本实用新型的防缺陷多晶硅坩埚制备成本低且形核点均匀、适宜。
【IPC分类】C30B28/06, C30B29/06
【公开号】CN205035497
【申请号】CN201520626089
【发明人】钟伟, 陆文研
【申请人】无锡舜阳新能源科技有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年8月19日