用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板。属于多晶硅制造 领域。
【背景技术】
[0002] 不可再生能源的不断减少，使得可再生能源越来越受到广泛的关注，风能，水能等 可再生能源受到地理位置、气候等条件的极大影响，太阳能的利用成为了可再生资源利用 的主力军。在铸造多晶硅生产过程中，不可避免的会因坩埚强度、坩埚运输过程磕碰、硅料 密度过大等原因而出现漏硅事故。现有漏硅报警机制为硅液毫无引导地沿着光滑平整的坩 埚垫板流动，在重力作用下，落在下方石墨碳毡上，而碳毡每边只有3-4个溢流孔，很难保证 硅液第一时间即落入溢流孔中，报警通常较为滞后，因报警滞后未能第一时间采取急冷措 施，往往造成炉台热场尤其是DS块以下部件全部损毁，甚至有漏穿下炉体，造成爆炸伤人的 重大安全事故发生，给生产企业造成大量经济损失。
【发明内容】
[0003] 本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种能够快速报警的用于铸造多晶硅 漏硅快速报警的坩埚垫板。
[0004] 本实用新型的目的是这样实现的：
[0005] -种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板，它包括坩埚垫板本体，所述坩埚 垫板本体的表面设置有环形连接的四道第一导流槽，所述坩埚垫板本体上从每道第一导流 槽上向外侧开设有多道第二导流槽至坩埚垫板本体外边缘。
[0006] 所述第一导流槽距离坩埚垫板本体的边缘5~30_。
[0007] 所述第一导流槽的宽度为5~10mm，所述第一导流槽的深度为5~10mm。
[0008] 所述第二导流槽的宽度为3~10mm，所述第二导流槽的深度为5~10mm。
[0009] 第一导流槽在每个第二导流槽相应处为最低点。
[0010] 与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
[0011] 本实用新型用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板能够快速报警，从而能够保 证安全，减少损失。
【附图说明】
[0012] 图1为本实用新型的俯视图。
[0013]图2为本实用新型的侧视图。
[0014] 图3为本实用新型的实施例1示意图。
[0015] 图4为本实用新型的实施例2示意图。
[0016] 图5为本实用新型的实施例3示意图。
[0017] 其中：
[0018] 第一导流槽1
[0019] 第二导流槽2
[0020] i甘埚垫板本体3。
【具体实施方式】
[0021] 参见图1~图2,本实用新型涉及的一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板， 它包括坩埚垫板本体3,所述坩埚垫板本体3的表面设置有环形连接的四道第一导流槽1，所 述第一导流槽1距离坩埚垫板本体3的边缘5~30mm，所述第一导流槽1的宽度为5~10mm，所述 第一导流槽1的深度为5~10mm，所述坩埚垫板本体3上从每道第一导流槽1上向外侧开设有 多道第二导流槽2至坩埚垫板本体3外边缘，所述第二导流槽2的宽度为3~10_，所述第二导 流槽2的深度为5~10mm。
[0022] 第一导流槽1在每个第二导流槽2相应处为最低点，这样就可以保证硅液经第一导 流槽1第一时间从第二导流槽2流至距漏硅点最近的溢流孔，进而熔断溢流线触发报警，从 而有效解决了硅液在现有坩埚垫板上毫无导流严重滞后报警的问题。
[0023] 实施例1:
[0024] 参见图3,坩埚垫板本体厚度Η为40mm，第一导流槽1的截面形状为弧形，第一导流 槽1外侧距离谢埚垫板本体边缘L=30mm，宽度W=10mm，对应溢流孔处深度h=5mm，对应溢流孔 与溢流孔中心位置深度为1mm，第二导流槽2截面形状为弧形，宽度10mm，深度5mm，长度为 30mm；
[0025] 实施例2:
[0026]参见图4,坩埚垫板本体厚度Η为40mm，第一导流槽1的截面形状为倒梯形，第一导 流槽1外侧距离谢埚垫板本体边缘L=20mm，宽度W=8mm，对应溢流孔处深度h=8mm，对应溢流 孔与溢流孔中心位置深度为3mm，第二导流槽2截面形状为倒梯形，宽度8mm，深度8mm，长度 20mm；
[0027] 实施例3:
[0028]参见图5,坩埚垫板本体厚度Η为40mm，导流槽1的截面形状为倒三角形，第一导流 槽1外侧距离谢埚垫板本体边缘L=5mm，宽度W=5mm，对应溢流孔处深度h=10mm，对应溢流孔 与溢流孔中心位置深度为5mm，第二导流槽2截面形状为倒三角形，宽度5mm，深度10mm，长度 7mm〇
[0029] 以下是二个实施例在漏娃发生后漏娃重量及热场经济损失对比：
[0030] 原垫板损失为近两年来平均损失，实施例损失为实验垫板平均损失。
[0031] 下表为漏硅经济损失对比 Γηη"?
【主权项】
1. 一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板，它包括坩埚垫板本体(3)，其特征在 于所述坩埚垫板本体(3)的表面设置有环形连接的四道第一导流槽(1)，所述坩埚垫板本体 (3)上从每道第一导流槽（1)上向外侧开设有多道第二导流槽(2)至坩埚垫板本体(3)外边 缘。2. 根据权利要求1所述的一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板，其特征在于 所述第一导流槽(1)距离坩埚垫板本体(3)的边缘5~30mm。3. 根据权利要求1所述的一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板，其特征在于 所述第一导流槽(1)的宽度为5~10mm，所述第一导流槽(1)的深度为5~10mm。4. 根据权利要求1所述的一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板，其特征在于 所述第二导流槽(2)的宽度为3~10mm，所述第二导流槽(2)的深度为5~10mm。5. 根据权利要求1所述的一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板，其特征在于 第一导流槽(1)在每个第二导流槽(2)相应处为最低点。
【专利摘要】本实用新型涉及的一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板，它包括坩埚垫板本体（3），其特征在于所述坩埚垫板本体（3）的表面设置有环形连接的四道第一导流槽（1），所述坩埚垫板本体（3）上从每道第一导流槽（1）上向外侧开设有多道第二导流槽（2）至坩埚垫板本体（3）外边缘。
【IPC分类】C30B28/06, C30B29/06
【公开号】CN205275778
【申请号】CN201520992342
【发明人】纪东方, 郭宽新, 韦家庚, 朱庆龙
【申请人】海润光伏科技股份有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年12月4日