一种低耗能的晶体生长热场装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种低耗能的晶体生长热场装置，包括热场炉本体、热电控制装置、观察镜、加热棒、塞头和盛放装置，热场炉本体由外层的钨钼材料层和内层的氧化锆纤维砖层组成，并在氧化锆纤维砖层内均匀分布若干组加热棒，且热场炉本体内为镂空结构，塞头设置在镂空结构的开口方向，并在镂空结构的底部设置有一组滑槽结构，滑槽上设置有盛放装置，盛放装置上方设置有热电控制装置，热电控制装置由石英管筒和设置在石英管筒内的热电偶组成，观察镜设置在盛放装置上方。通过装置上设计的钨钼材料层和内层的氧化锆纤维砖层，以及加热棒的加热功能，还有热电控制装置的配合使用，达到有效实现装置的节能，装置使用操作简单，可被进一步推广应用。
【专利说明】
一种低耗能的晶体生长热场装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及晶体生长装置领域，具体涉及一种低耗能的晶体生长热场装置。
【背景技术】
[0002]晶体生长是指物质在一定温度、压力、浓度、介质、pH等条件下由气相、液相、固相转化，形成特定线度尺寸晶体的过程。原理是基于物种晶相化学势与该物种在相关物相中化学势间准平衡关系的合理维持。
[0003]在现在的晶体生长方法是多样的，如水热法生长人工水晶，区域熔融法生长硅、锗单晶、氢氧焰熔融法生长轴承用宝石，航天失重法培养晶体以及升华法；同质或异质外延生长法等。晶体生成的一般过程是先生成晶核，而后再逐渐长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段:①介质达到过饱和、过冷却阶段;②成核阶段;②生长阶段。
[0004]然而在实际晶体生长过程中，需要较多的设备仪器，对温度、压力、浓度、介质、pH等多个条件进行控制，对能源的消耗较大，同时也对环境带来了一定的影响，给企业的生产成本带来压力，不便于进一步工业化的生产加工。
【实用新型内容】
[0005]针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种低耗能的晶体生长热场装置，能够有效实现装置的节能，使用操作简单，可被进一步推广应用。
[0006]为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现:
[0007]—种低耗能的晶体生长热场装置，包括热场炉本体、热电控制装置、观察镜、加热棒、塞头和盛放装置，所述的热场炉本体由外层的钨钼材料层和内层的氧化锆纤维砖层组成，并在氧化锆纤维砖层内均匀分布若干组加热棒，且所述的热场炉本体内为镂空结构，塞头设置在镂空结构的开口方向，并在镂空结构的底部设置有一组滑槽结构，所述的滑槽上设置有盛放装置，盛放装置上方设置有热电控制装置，所述的热电控制装置由石英管筒和设置在石英管筒内的热电偶组成，观察镜设置在盛放装置上方。
[0008]优选地，所述的加热棒为SiC加热棒。
[0009]优选地，所述的热场炉本体镂空结构开口方向为侧面。
[0010]优选地，所述的盛放装置为坩祸。
[0011]优选地，所述的热场炉本体上设置有与塞头相配合的耳扣结构。
[0012]本实用新型提供了一种低耗能的晶体生长热场装置，通过钨钼材料层和内层的氧化锆纤维砖层两层保温装置，不仅能提高结构强度，适应晶体生长时的高压环境，还能有效保证了 SiC加热棒在进行加热时，温度有效提升，大大节省了加热加压时，减少能耗，镂空结构的底部设置有一组滑槽结构，方便放置，拿取盛放装置上的晶体原料，热电控制装置能进行有效热电偶操作，准确有效，且观察镜能方便使用者实时观察热场炉本体内的生长状况。整个装置操作简，使用方便，可被进一步推广应用。
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1本实用新型的整体结构示意图；
[0015]其中:1、热场炉本体;2、热电控制装置;3、观察镜;4、加热棒;5、塞头;6、滑槽;7、盛放装置;101、钨钼材料层；102、氧化锆纤维砖层;201、石英管筒;202、热电偶;501、耳扣。
【具体实施方式】
[0016]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0017]如图1所示，本实施例提供一种低耗能的晶体生长热场装置，包括热场炉本体1、热电控制装置2、观察镜3、加热棒4、塞头5和盛放装置7，热场炉本体I由外层的钨钼材料层101和内层的氧化锆纤维砖层102组成，并在氧化锆纤维砖层102内均匀分布若干组加热棒4，且热场炉本体I内为镂空结构，塞头5设置在镂空结构的开口方向，并在镂空结构的底部设置有一组滑槽6结构，滑槽7上设置有盛放装置7，用于在高温状况下，方便拿去盛放装置7上的晶体原料，盛放装置7上方设置有热电控制装置2，热电控制装置2由石英管筒201和设置在石英管筒内的热电偶202组成，能准确有效用热电偶202对盛放装置7上放置的晶体原料进行有效操作，节省能耗操作，观察镜设置在盛放装置上方，方便观察晶体生长状况。
[0018]加热棒4为SiC加热棒。热场炉本体I镂空结构开口方向为侧面。盛放装置7为坩祸，减少成本制作。热场炉本体I上设置有与塞头5相配合的耳扣501结构，有效起到密闭塞头5的作用。整个装置操作简单，使用方便，可进行进一步推广应用。
[0019]以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
【主权项】
1.一种低耗能的晶体生长热场装置，包括热场炉本体、热电控制装置、观察镜、加热棒、塞头和盛放装置，其特征在于，所述的热场炉本体由外层的钨钼材料层和内层的氧化锆纤维砖层组成，并在氧化锆纤维砖层内均匀分布若干组加热棒，且所述的热场炉本体内为镂空结构，塞头设置在镂空结构的开口方向，并在镂空结构的底部设置有一组滑槽结构，所述的滑槽上设置有盛放装置，盛放装置上方设置有热电控制装置，所述的热电控制装置由石英管筒和设置在石英管筒内的热电偶组成，观察镜设置在盛放装置上方。2.如权利要求1所述的低耗能的晶体生长热场装置，其特征在于，所述的加热棒为SiC加热棒。3.如权利要求1所述的低耗能的晶体生长热场装置，其特征在于，所述的热场炉本体镂空结构开口方向为侧面。4.如权利要求1所述的低耗能的晶体生长热场装置，其特征在于，所述的盛放装置为坩祸。5.如权利要求1所述的低耗能的晶体生长热场装置，其特征在于，所述的热场炉本体上设置有与塞头相配合的耳扣结构。
【文档编号】C30B35/00GK205474116SQ201620292778
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月8日
【发明人】张新峰
【申请人】张新峰