专利名称：芴化合物、发光元件、发光装置、电子设备、照明装置及有机化合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及芴化合物、发光元件、发光装置、电子设备、照明装置及有机化合物。
背景技术：
近年来，对利用电致发光性(EL=Electr0Iuminescence)的发光元件进行深入研究和开发。在这种发光元件的基础结构中，将包含发光物质的层插入一对电极之间。通过对该元件施加电压，可以得到来自发光物质的发光。这种发光元件是自发光型，具有如下优点，即其像素的可见度高于液晶显示器并且不需要背光灯等。由此，被认为适合用作平面显示元件。另外，该发光元件可被制造为是薄且轻的，这是极大的优点。而且，非常快的响应速度也是其特征之一。另外，这些发光元件可以形成为膜状，因此能提供平面光发射。因此，可容易地形成具有大面积的元件。在由白炽灯和LED为代表的点光源或由荧光灯为代表的线光源中难以得到该特征。因此，作为可应用于照明等的面光源的利用价值也高。根据发光物质是有机化合物还是无机化合物，对该利用EL的发光元件进行大致的分类。在使用将有机化合物用于发光物质且在一对电极之间设置包含该有机化合物的层的有机EL时，通过对发光元件施加电压，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到包含发光有机化合物的层，而使电流流过。并且，当这些载流子(电子及空穴)重新结合而有机化合物从电子及空穴都产生在发光性的有机分子中的状态的激发态回到基态时发光。至于这种发光元件，在改善其元件特性的方面上，存在有依赖于物质的许多问题， 所以为了解决这些问题，而进行元件结构的改进、物质的开发等。利用有机EL的发光元件由多个层构成，通常在发光层与电极之间设置载流子传输层。作为其理由之一，可以举出为了防止发光层中的激发能转移到电极而导致猝灭。另外，作为与发光层相邻的载流子传输层，也优选使用具有其激发能高于发光层的激发能的材料(激子阻挡材料(an exciton-blocking material))，以便防止发光层的激发能转移。 就是说，可以认为最高占据分子轨道能级(HOMO能级)-最低空分子轨道能级(LUM0能级) 之间的带隙(Bg)宽的材料是优选的。另外，在利用有机EL的发光元件中，设置在发光层与电极之间的载流子传输层有时由多个层构成，作为其理由之一，可以举出为了调节相邻层之间的载流子注入势垒。可以认为注入势垒越大越能够抑制载流子的穿过，由此可以在发光层中更有效地重新结合。另外，当使用发射磷光的元件时，如果接触于发光物质的材料的三重态激发能的能级(Tl能级)不充分高于该发光物质，发光物质的激发能降低。因此，作为磷光发光元件中的发光层的主体材料和与发光层相邻的载流子传输层的材料，使用其Tl能级高于磷光发光元件的Tl能级的材料。但是，一般的带隙宽或Tl能级高的材料的大部分是不使共轭扩大且分子量小的材料。由于其分子量小，这些材料具有很多课题热物理性质显著不好(玻璃转变温度(Tg)低、容易进行结晶化)；膜质不良好；以及蒸镀时的稳定性不好等。因此，被要求在保持宽带隙和高Tl能级的同时，解决这些课题的材料。例如，在非专利文献1中，作为用于发光元件的空穴传输层的材料，公开了 4， 4’ -双[N- (1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称NPB)。[非专利文献 l]Chem. Mater. 1998，10，p. 2235-2250但是，NBP在可见区域具有吸收。因此，当将NBP用于发光元件时，发生如下问题， 即NBP吸收从发光层释放的可见光的一部分，而光提取效率降低。另外，由于其带隙不充分宽且其LUMO能级低，有时发生从发光层到相邻的NPB的电子的穿过。并且，有时不能使载流子平衡最适化而发生效率的降低或颜色变化。另外，发光层一侧的激发能转移到与此相邻的NPB，有时导致猝灭。
发明内容
由此，本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有空穴传输性，并且其带隙宽的物质。或者，本发明的一个方式的目的之一是通过将该物质应用于发光元件，提供一种发光效率高的发光元件。或者，本发明的一个方式的目的之一是通过将该物质应用于发光元件，提供一种寿命长的发光元件。或者，本发明的一个方式的目的之一是提供一种使用该发光元件的发光装置、使用该发光元件的电子设备、照明装置。本发明的一个方式是由通式(Gl)表示的芴化合物。[化学式1]
权利要求
1.一种由通式(Gl)表示的芴化合物，
2.根据权利要求1所述的芴化合物，其中所述R1至R15分別独立地由结构式(R-I)至 (R-14)中的任ー个表示，
3.根据权利要求1所述的芴化合物，其中所述a1及a2分別独立地由结构式(a-1) 至(a-7)中的任ー个表示，
4.根据权利要求1所述的芴化合物，其中所述为1至12的烷基和碳数为6至14的芳基中的取代基。
5.根据权利要求1所述的芴化合物，其中所述Ar1由结构式(Ar1-I) 任一个表示，和α2中的至少一个具有选自碳数至(Ar1H)中的
6.根据权利要求1所述的芴化合物，其中所述Ar1表示碳数为6至18且具有1以上的取代基的芳基、具有1以上的取代基的4-二苯并噻吩基、或者具有1以上的取代基的4-二苯并呋喃基，并且所述1以上的取代基分别独立地为碳数为1至12的烷基或碳数为6至14 的芳基。
7.一种包括根据权利要求1所述的芴化合物的发光元件，该发光元件包括 阳极；阴极；所述阳极和所述阴极之间的发光层；以及所述阳极和所述发光层之间的包含所述芴化合物的层。
8.根据权利要求7所述的发光元件，其中所述包含芴化合物的层与所述阳极接触。
9.根据权利要求8所述的发光元件，其中所述包含芴化合物的层包含金属氧化物。
10.根据权利要求9所述的发光元件，其中所述金属氧化物是氧化钼。
11.一种包括根据权利要求7所述的发光元件的发光装置。
12.一种包括根据权利要求11所述的发光装置的电子设备。
13.—种包括根据权利要求11所述的发光装置的照明装置。
14.一种由通式(6 表示的有机化合物，
15.根据权利要求14所述的有机化合物， 其中，所述有机化合物由通式(G!3)表示，
16.根据权利要求14所述的有机化合物，其中所述有机化合物由结构式(700)表示，
17. —种由通式(G4)表示的有机化合物，
18.根据权利要求17所述的有机化合物， 其中，所述有机化合物由通式(GO表示，
19
20. 一种由通式(G6)表示的有机化合物，
21.根据权利要求20所述的有机化合物， 其中，所述有机化合物由通式(G7)表示，
22.根据权利要求20所述的有机化合物，其中所述有机化合物由结构式(740)表示，
全文摘要
本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有空穴传输性，并且其带隙宽的物质。提供由通式(G1)表示的芴化合物。在通式(G1)中，α1及α2分别独立地表示取代或未取代的碳数为6至13的亚芳基，Ar1表示取代或未取代的碳数为6至18的芳基、取代或未取代的4-二苯并噻吩基或取代或未取代的4-二苯并呋喃基，n及k分别独立地表示0或1，Q1表示硫或氧，R1至R15分别独立地表示氢、碳数为1至12的烷基或碳数为6至14的芳基。
文档编号C07C33/46GK102408407SQ20111027805
公开日2012年4月11日 申请日期2011年9月7日 优先权日2010年9月8日
发明者下垣智子, 大泽信晴, 尾坂晴惠, 川上祥子, 濑尾哲史, 竹田恭子, 能渡广美, 铃木恒德, 高须贵子 申请人:株式会社半导体能源研究所