有机化合物及有机光电装置及显示装置的制作方法

相关申请的引证

本申请请求在2016年3月23日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0034769号的优先权和利益，其全部内容通过引证并入本文中。

本发明公开了有机化合物、有机光电装置和显示装置。

背景技术：

有机光电装置是将电能转化成光能的装置，反之亦然。

有机光电装置根据其驱动原理可以分类如下。一种是光电装置，其中由光能产生激子，分离成电子和空穴，并传输到不同的电极以产生电能，并且另一种是发光装置，其中将电压或电流供应到电极以由电能产生光能。

有机光电装置的实例可以是有机光电子装置，有机发光二极管，有机太阳能电池和有机感光鼓。

其中，有机发光二极管(oled)最近由于对于平板显示器的需求增加而获得关注。有机发光二极管通过将电流施加到有机发光材料而将电能转化成光，并具有其中有机层插入在阳极和阴极之间的结构。

有机发光二极管的性能可以受到有机层的特性影响，并且其中可以主要受有机层的有机材料的特性影响。特别地，需要开发能够增加空穴和电子迁移率并且同时增加电化学稳定性的有机材料，使得有机发光二极管可应用于大尺寸平板显示器。

技术实现要素：

一个实施方式提供了能够实现具有高效率和长寿命的有机光电装置的有机化合物。

另一个实施方式提供了包含该有机化合物的有机光电装置。

又一个实施方式提供了包括该有机光电装置的显示装置。

根据一个实施方式，提供由化学式1表示的有机化合物。

[化学式1]

其中，在化学式1中，

x是o或s，l¹是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团或取代或未取代的c2至c30杂环基团，

r¹和r²独立地是取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基团或它们的组合，并且

r³至r¹³独立地是氢、氘、卤素、氰基基团、羟基基团、氨基基团、取代或未取代的c1至c20胺基团、硝基基团、取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c1至c20烷氧基基团、取代或未取代的c6至c20芳氧基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基团或它们的组合。

另一个实施方式提供一种有机光电装置，其包括彼此面对的阳极和阴极以及在阳极和阴极之间的至少一个有机层，其中有机层包含该有机化合物。

又一个实施方式提供包括该有机光电装置的显示装置。

可以实现具有高效率和长寿命的有机光电装置。

附图说明

图1至3是显示根据实施方式的有机发光二极管的截面图。

<标号说明>

100、200、300：有机发光二极管

105：有机层

110：阴极

120：阳极

130：发射层

140：空穴传输层

141：第一空穴传输层

142：第二空穴传输层

具体实施方式

下文中详细描述本发明的实施方式。然而，这些实施方式是示例性的，本发明不限于此，并且本发明由权利要求的范围限定。

在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的”指由氘、卤素、羟基基团、氨基基团、取代或未取代的c1至c30胺基团、硝基基团、取代或未取代的c1至c40甲硅烷基基团、c1至c30烷基基团、c1至c10烷基甲硅烷基基团、c3至c30环烷基基团、c3至c30杂环烷基基团、c6至c30芳基基团、c6至c30杂环基团、c1至c20烷氧基基团、氟基团、c1至c10三氟烷基基团如三氟甲基基团或氰基基团取代，代替取代基或化合物的至少一个氢。

另外，取代的卤素、羟基基团、氨基基团、取代或未取代的c1至c20胺基团、硝基基团、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基团、c1至c30烷基基团、c1至c10烷基甲硅烷基基团、c3至c30环烷基基团、c3至c30杂环烷基基团、c6至c30芳基基团、c6至c30杂环基团、c1至c20烷氧基基团、氟基团、c1至c10三氟烷基基团如三氟甲基基团等或氰基基团中的两个相邻取代基可以彼此稠合以形成环。例如，取代的c6至c30芳基基团可以与另一个相邻的取代的c6至c30芳基基团稠合以形成取代或未取代的芴环。

在本说明书中，当没有另外提供特别定义时，“杂”指在一个官能团中包括至少一个选自由n、o、s、p和si组成的组的杂原子和其余的碳。

在本说明书中，“芳基基团”指具有至少一个烃环分析族部分的基团，并且广义地，由单键和包含直接或间接稠合的烃环芳香族部分的非芳香族稠环连接的烃环芳香族部分。芳基基团可以是单环、多环或稠环多环(即共有相邻的碳原子对的环)的官能团。

在本说明书中，“杂环基团”包括杂芳基基团，以及包含至少一个选自n、o、s、p和si的杂原子代替环状化合物如芳基基团、环烷基基团、稠环或它们的组合的碳(c)的环状基团。当杂环基团是稠环时，杂环基团的每个或全部环可以包含至少一个杂原子。

更具体地，取代或未取代的c6至c30芳基基团和/或取代或未取代的c2至c30杂环基团指取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的蒽基基团、取代或未取代的菲基基团、取代或未取代的并四苯基基团、取代或未取代的芘基基团、取代或未取代的联苯基团、取代或未取代的对三联苯基团、取代或未取代的间三联苯基团、取代或未取代的屈基基团、取代或未取代的三亚苯基基团、取代或未取代的苝基基团、取代或未取代的茚基基团、取代或未取代的呋喃基基团、取代或未取代的噻吩基基团、取代或未取代的吡咯基基团、取代或未取代的吡唑基基团、取代或未取代的咪唑基基团、取代或未取代的三唑基基团、取代或未取代的噁唑基基团、取代或未取代的噻唑基基团、取代或未取代的噁二唑基基团、取代或未取代的噻二唑基基团、取代或未取代的吡啶基基团、取代或未取代的嘧啶基基团、取代或未取代的吡嗪基基团、取代或未取代的三嗪基基团、取代或未取代的苯并呋喃基基团、取代或未取代的苯并噻吩基基团、取代或未取代的苯并咪唑基基团、取代或未取代的吲哚基基团、取代或未取代的喹啉基基团、取代或未取代的异喹啉基基团、取代或未取代的喹唑啉基基团、取代或未取代的喹喔啉基基团、取代或未取代的萘啶基基团、取代或未取代的苯并噁嗪基基团、取代或未取代的苯并噻嗪基基团、取代或未取代的吖啶基基团、取代或未取代的吩嗪基基团、取代或未取代的吩噻嗪基基团、取代或未取代的吩噁嗪基基团、取代或未取代的芴基基团、取代或未取代的二苯并呋喃基基团、取代或未取代的二苯并噻吩基基团、取代或未取代的咔唑基团、它们的组合或上述基团的组合的稠环，但不限于此。

在本说明书中，取代或未取代的亚芳基基团或取代或未取代的杂亚芳基基团是指如上定义的并具有两个连接点的取代或未取代的芳基基团或取代或未取代的杂芳基基团，例如取代或未取代的亚苯基基团、取代或未取代的亚萘基基团、取代或未取代的亚蒽基基团、取代或未取代的亚菲基基团、取代或未取代的亚并四苯基基团、取代或未取代的亚芘基基团、取代或未取代的亚联苯基基团、取代或未取代的亚三联苯基基团、取代或未取代的亚四联苯基基团、取代或未取代的亚屈基基团、取代或未取代的亚三亚苯基基团、取代或未取代的亚苝基基团、取代或未取代的亚茚基基团、取代或未取代的亚呋喃基基团、取代或未取代的亚噻吩基基团、取代或未取代的亚吡咯基基团、取代或未取代的亚吡唑基基团、取代或未取代的亚咪唑基基团、取代或未取代的亚三唑基基团、取代或未取代的亚噁唑基基团、取代或未取代的亚噻唑基基团、取代或未取代的亚噁二唑基基团、取代或未取代的亚噻二唑基基团、取代或未取代的亚吡啶基基团、取代或未取代的亚嘧啶基基团、取代或未取代的亚吡嗪基基团、取代或未取代的亚三嗪基基团、取代或未取代的亚苯并呋喃基基团、取代或未取代的亚苯并噻吩基基团、取代或未取代的亚苯并咪唑基基团、取代或未取代的亚吲哚基基团、取代或未取代的亚喹啉基基团、取代或未取代的亚异喹啉基基团、取代或未取代的亚喹唑啉基基团、取代或未取代的亚喹喔啉基基团、取代或未取代的亚萘啶基基团、取代或未取代的亚苯并噁嗪基基团、取代或未取代的亚苯并噻嗪基基团、取代或未取代的亚吖啶基基团、取代或未取代的亚吩嗪基基团、取代或未取代的亚吩噻嗪基基团、取代或未取代的亚吩噁嗪基基团、取代或未取代的亚芴基基团、取代或未取代的亚二苯并呋喃基基团、取代或未取代的亚二苯并噻吩基基团、取代或未取代的亚咔唑基团、它们的组合或上述基团的组合的稠环，但不限于此。

在本说明书中，空穴特性是指当施加电场时提供电子以形成空穴，并且由于根据最高已占分子轨道(homo)水平的传导特性，在阳极中形成的空穴可以易于注入到发光层中，且发光层中形成的空穴可以易于传输到阳极中，并在发光层中传输的能力。

另外，电子特性指当施加电场时接受电子，并且由于根据最低未占分子轨道(lumo)水平的传导特性，在阴极中形成的电子可以易于注入到发光层中，且发光层中形成的电子可以易于传输到阴极中，并且在发光层中传输的能力。

在本说明书中，有机光电装置或有机光电显示装置是指具有与有机发光二极管或有机发光二极管(oled)显示器相同的含义。

下文中，描述了根据一个实施方式的有机化合物。

根据一个实施方式的有机化合物由化学式1表示。

[化学式1]

在化学式1中，

x是o或s，

l¹是单键、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团或取代或未取代的c2至c30杂环基团，

r¹和r²独立地是取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基团或它们的组合，并且

r³至r¹³独立地是氢、氘、卤素、氰基基团、羟基基团、氨基基团、取代或未取代的c1至c20胺基团、硝基基团、取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c1至c20烷氧基基团、取代或未取代的c6至c20芳氧基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基团或它们的组合。

由化学式1表示的有机化合物是被具有杂原子的稠环取代的胺化合物，并且胺化合物在最靠近具有杂原子的稠环的环的邻位键合。

在有机发光二极管中，邻近发射层的层(空穴传输层(htl)，电子传输层(etl))应当具有比发射层更高的s1能级以增加发光效率和寿命，并且特别地，空穴传输层(htl)应当具有高lumo能级以有效地阻挡从电子传输层(etl)传输通过发射层的电子。由化学式1表示的有机化合物是在最靠近稠环的环的邻位处键合的胺化合物，并且因此具有比在稠环的其它位置处键合的胺化合物更高的s1能级和lumo能级，并且因此，可以增加有机发光二极管的效率和寿命。另外，有机化合物具有稠环基团并且保持平面分子结构，因而可以对增加薄膜的稳定性具有较大作用，并且因此增加了寿命。

另外，与由化学式a表示的稠环相比，由化学式1表示的有机化合物的稠环具有在r'和r”位置处稠合的一个另外的环，因而可以进一步增加分子平面度并在有机沉积膜的形成过程中保持稳定的薄膜状态，并且因此对于实现在低驱动电压下具有高效和长寿命，且同时具有电化学和热稳定性的有机发光二极管具有较大影响。

[化学式a]

由化学式1表示的有机化合物可以例如由选自化学式2-1至化学式2-4中的一种表示。

在化学式2-1至化学式2-4中，

x是o或s，

r¹至r¹³独立地是氢、氘、卤素、氰基基团、羟基基团、氨基基团、取代或未取代的c1至c20胺基团、硝基基团、取代或未取代的c1至c20烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c1至c20烷氧基基团、取代或未取代的c6至c20芳氧基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团、取代或未取代的c3至c40甲硅烷基基团或它们的组合。

r¹和r²可以独立地是取代或未取代的c6至c30芳基基团或取代或未取代的(一价)c3至c12杂环基团。

例如，r¹和r²独立地是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联苯基团、取代或未取代的三亚苯基团、取代或未取代的三联苯基团、取代或未取代的芴基团、取代或未取代的双芴基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的异屈基团、取代或未取代的蒽基团、取代或未取代的二苯并呋喃基团、取代或未取代的二苯并噻吩基基团、它们的组合或它们的组合的稠环。

例如，r¹和r²可独立地是组1的基团中的一种，但不限于此。

[组1]

由化学式1表示的有机化合物可以选自化学式(cf)a-1至化学式(cf)a-9、化学式(cf)b-1至化学式(cf)b-93、化学式(cf)c-1至化学式(cf)c-12、化学式(cf)d-1至化学式(cf)d-9和化学式(cf)e-1至化学式(cf)e-9，但不限于此。下文中，“cf”指化学式。

该有机化合物可以应用于有机光电装置。

该有机化合物可单独或与其它有机化合物一起应用于有机光电装置。该有机化合物可以组合物形式与其它有机化合物一起应用。

下文中，描述了包含该有机化合物的有机光电装置。

有机光电装置可以是将电能转化成光能的任何装置，反之亦然，没有特别限制，并且可以例如是有机光电二极管，有机发光二极管，有机太阳能电池和有机感光鼓。

有机光电装置可包括彼此面对的阳极和阴极、在阳极和阴极之间的至少一个有机层，并且有机层包含该有机化合物。

本文中，参照附图描述了有机发光二极管作为有机光电装置的一个实例。

图1至3是显示根据每个实施方式的有机发光二极管的截面图。

参照图1，根据一个实施方式的有机发光二极管100包括阳极120和阴极110以及阳极120和阴极110之间的有机层105。

阳极120可以由具有较大功函数的导体制成以有助于空穴注入，并且可以例如是金属，金属氧化物和/或导电聚合物。阳极120可以例如是金属镍、铂、钒、铬、铜、锌、金等或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等；金属和氧化物的组合如zno和al或者sno2和sb；导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-亚乙基-1,2-二氧基)噻吩)(pedt)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。

阴极110可以由具有较小功函数的导体制成以有助于电子注入，并且可以例如是金属，金属氧化物和/或导电聚合物。阴极110可以例如是金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡等，或它们的合金；多层结构材料如lif/al、lio2/al、lif/ca、lif/al和baf2/ca，但不限于此。

有机层105包含该有机化合物。

参照图2，根据一个实施方式的有机发光二极管200包括彼此面对的阳极120和阴极110，以及阳极120和阴极110之间的有机层105，并且有机层105包括发射层130和空穴传输层140。

空穴传输层140布置在阳极120和发射层130之间，并且包含该有机化合物。

参照图3，根据一个实施方式的有机发光二极管300包括彼此面对的阳极120和阴极110，以及阳极120和阴极110之间的有机层105。

有机层105包括发射层130和空穴传输层140，且空穴传输层140包括邻近阳极120的第一空穴传输层141和邻近发射层130的第二空穴传输层142。

邻近发射层130的第二空穴传输层142中可以包含该有机化合物。

第一空穴传输层141可以包含例如由化学式3表示的有机化合物。

[化学式3]

在化学式3中，

r⁷¹至r⁷⁴独立地是氢、氘、取代或未取代的c1至c10烷基基团、取代或未取代的c6至c30芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团或它们的组合，

r⁷¹和r⁷²独立地存在或形成稠环，

r⁷³和r⁷⁴独立地存在或形成稠环，

ar⁴至ar⁶独立地是取代或未取代的c6至c30芳基基团或取代或未取代的c2至c30杂环基团，并且

l⁴至l⁷独立地是单键、取代或未取代的c2至c10亚烷基基团、取代或未取代的c2至c10亚烯基基团、取代或未取代的c2至c10亚炔基基团、取代或未取代的c6至c30亚芳基基团、取代或未取代的c2至c30杂环基团或它们的组合。

例如，化学式3的ar⁴可以是取代或未取代的苯基基团或取代或未取代的联苯基团，且化学式3的ar⁵和ar⁶可以独立地是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联苯基团、取代或未取代的芴基团、取代或未取代的双芴基团、取代或未取代的三亚苯基团、取代或未取代的蒽基团、取代或未取代的三联苯基团、取代或未取代的二苯并呋喃基团或取代或未取代的二苯并噻吩基基团。

由化学式3表示的化合物可以例如是由化学式j-1至化学式j-144表示的化合物中的一种，但不限于此。

在图1至3中，有机层105除了发射层130和空穴传输层140外，可进一步包括空穴注入层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层和/或空穴阻挡层。

有机发光二极管100、200和300可通过以下制造：在基板上形成阳极或阴极，使用干式成膜法如真空沉积法(蒸发)、溅射、等离子镀和离子镀形成有机层，以及在其上形成阴极或阳极。

有机发光二极管可应用于显示装置，例如有机发光二极管(oled)显示器。

下文中参照实施例更详细地说明实施方式。然而这些实施例不在任何意义上被解释为限制本发明的范围。

下文中，只要没有特别说明，在实施例和合成实施例中使用起始物料和反应物购自sigma-aldrichco.ltd.或tciinc.

中间体的合成

合成实施例1：中间体a的合成

在圆底烧瓶中将37.81g(178.36mmol)的4-二苯并呋喃硼酸、30g(162.14mmol)的2-溴苯甲醛、5.62g(4.86mmol)的四(三苯基膦)钯(0)和44.82g(324.29mmol)的碳酸钾悬浮在500ml甲苯和250ml蒸馏水中，然后回流并搅拌12小时。在完成该反应后，将产物冷却至室温并然后萃取。随后，将其中的有机层硅胶过滤并浓缩，向其中添加甲醇以产生固体，并将该固体过滤和洗涤以获得中间体a(39.87g，82％)

lc-mass(理论值：272.30g/mol，测量值：m+＝272g/mol)

合成实施例2：中间体b的合成

在圆底烧瓶中将39.87g(146.42mmol)根据合成实施例1的中间体a和55.21g(161.06mmol)的(甲氧基甲基)三苯基氯化鏻悬浮在500ml四氢呋喃中，和然后保持在0℃下。随后，在0℃下向其中缓慢添加19.72g(175.70mmol)的叔丁醇钾，并将获得的混合物在室温下搅拌12小时。在完成反应后，添加600ml蒸馏水用于萃取，将萃取的溶液浓缩，悬浮在500ml二氯甲烷中，用硫酸镁干燥，用硅胶过滤，并再次浓缩。将浓缩的反应溶液溶解在200ml二氯甲烷中，向其中缓慢添加15g甲磺酸，并将该混合物在室温下搅拌12小时。在完成反应后，将其中产生的固体过滤，用200ml蒸馏水和200ml甲醇洗涤，并干燥以获得中间体b(24.34g,62％)。

lc-mass(理论值：272.30g/mol，测量值：m+＝272g/mol)

合成实施例3：中间体c的合成

在圆底烧瓶中将24.34g(90.72mmol)根据合成实施例2的中间体b溶解在250ml的thf中，并将其冷却至-78℃。以逐滴方式向其中添加43.5ml(108.86mmol)的n-buli(在hex中2.5m)，并将获得的混合物在室温下搅拌16小时。在冷却至-78℃后，向其中添加25ml(108.86mmol)的硼酸三异丙酯，并将该混合物在室温下搅拌12小时。当反应完成时，向其中添加1nhcl，将该混合物搅拌一小时，将其中产生的固体过滤并用蒸馏水和丙酮洗涤以获得中间体c(22g，78％)。

lc-mass(理论值：312.13g/mol，测量值：m+＝312g/mol)

合成实施例4：中间体d的合成

在圆底烧瓶中将15g(117.58mmol)的4-氯苯胺、65.78g(282.20mmol)的3-溴联苯、3.38g(5.88mmol)的pd(dba)2、2.38g(11.76mmol)的p(t-bu)3和33.9g的nao(t-bu)悬浮在500ml甲苯中，然后回流和搅拌12小时。当反应完成时，向其中添加蒸馏水，将混合物搅拌并萃取30分钟，并仅将其中的有机层硅胶柱分离(己烷/二氯甲烷＝9:1(v/v))以获得中间体d(31g,61％)。

lc-mass(理论值：431.96g/mol，测量值：m+＝431g/mol)

合成实施例5：中间体e的合成

在圆底烧瓶中将20g(476.41mmol)的n-(4-溴苯基)-n,n-双(1,1'-联苯-4-基)胺、1.03g(1.26mmol)的pd(dppf)cl2、12.8g(50.38mmol)的双(频哪醇合)二硼和12.36g(125.94mmol)的乙酸钾悬浮在210ml甲苯中，然后回流和搅拌12小时。当反应完成时，将产物冷却至室温并过滤，并将过滤的溶液硅胶过滤和浓缩。将浓缩的产物用丙酮重结晶以获得中间体e(17g,77％)。

合成实施例6：中间体f的合成

通过以下获得中间体f(24g，41％)：除了使用40.7g(178.36mmol)4-二苯并噻吩硼酸替代合成实施例1中的4-二苯并呋喃硼酸作为初始物料，依次实施合成实施例1至3。

有机化合物的合成

实施例1：由化学式b-2表示的化合物的合成

在圆底烧瓶中将10g(32.04mmol)根据合成实施例3的中间体c、14.11g(35.24mmol)的n-(4-溴苯基)-n-苯基联苯-4-胺、1.11g(0.93mmol)的四(三苯基膦)钯(0)和8.86g的碳酸钾悬浮在150ml甲苯和70ml蒸馏水中，然后回流并搅拌12小时。当反应完成时，将产物萃取、硅胶过滤和浓缩，然后在丙酮中重结晶以获得化合物b-2(14.2g，75.5％)。

lc-mass(理论值：587.71g/mol，测量值：m+＝587g/mol)

实施例2：由化学式b-3表示的化合物的合成

在圆底烧瓶中将10g(32.04mmol)根据合成实施例3的中间体c、16.79g(35.24mmol)根据合成实施例5的中间体e、1.11g(0.93mmol)的四(三苯基膦)钯(0)和8.86g的碳酸钾悬浮在150ml甲苯和70ml蒸馏水中，然后回流并搅拌12小时。当反应完成时，将产物萃取、硅胶过滤、浓缩和在丙酮中重结晶以获得化合物b-3(15.6g，73.6％)。

lc-mass(理论值：663.80g/mol，测量值：m+＝663g/mol)

实施例3：由化学式b-75表示的化合物的合成

在圆底烧瓶中将6g(19.22mmol)根据合成实施例3的中间体c、8.30g(19.22mmol)根据合成实施例4的中间体d、1.11g(0.93mmol)的四(三苯基膦)钯(0)和8.86g的碳酸钾悬浮在150ml甲苯和70ml蒸馏水中，并然后回流和搅拌12小时。在完成该反应后，向其中添加蒸馏水，并将获得的混合物搅拌30分钟。然后将产物用二氯甲烷萃取，并进行硅胶柱分离以获得化合物b-75(6.3g,49.4％)。

lc-mass(理论值：663.80g/mol，测量值：m+＝663g/mol)

实施例4:由化学式b-77代表的化合物的合成

除了在圆底烧瓶中使用10g(30.47mmol)根据合成实施例6的中间体f代替根据合成实施例3的中间体c，根据与实施例1相同的方法获得化合物b-77(12.7g，69％)

lc-mass(理论值：603.77g/mol，测量值：m+＝603g/mol)

有机发光二极管的制造

装置实施例1

在玻璃基板上涂覆ito(氧化铟锡)至厚，并将涂覆的玻璃用蒸馏水超声波清洗。在用蒸馏水清洗后，将玻璃基板用溶剂如异丙醇、丙酮、甲醇等超声波清洗并干燥，然后移动到等离子体清洗机，通过使用氧等离子体清洗5分钟，并移动到真空沉积器。将该获得的ito透明电极用作阳极，在ito基板上通过真空沉积4,4'-双[n-[4-{n,n-双(3-甲基苯基)氨基}-苯基]-n-苯基氨基]联苯(dntpd)形成厚的空穴注入层。随后，通过真空沉积由化学式j-9表示的化合物形成厚的第一空穴传输层，并通过真空沉积在实施例1中合成的化合物(化学式b-2)形成厚的第二空穴传输层。在空穴传输层上，通过以3重量％的掺杂量真空沉积作为主体的9,10-二-(2-萘基)蒽(adn)和作为掺杂物的2,5,8,11-四(叔丁基)苝(tbpe)形成厚的发射层。

然后在发射层上真空沉积alq3以形成厚的电子传输层。在电子传输层上依次真空沉积lif和al以形成阴极，制造有机发光二极管。

装置实施例2

除了使用实施例2的化合物(化学式b-3)代替实施例1的化合物(化学式b-2)以形成第二空穴传输层(htl)，根据与装置实施例1相同的方法制造有机发光二极管。

装置实施例3

除了使用实施例3的化合物(化学式b-76)代替实施例1的化合物(化学式b-2)以形成第二空穴传输层(htl)，根据与装置实施例1相同的方法制造有机发光二极管。

装置实施例4

除了使用实施例4的化合物(化学式b-78)代替实施例1的化合物(化学式b-2)以形成第二空穴传输层(htl)，根据与装置实施例1相同的方法制造有机发光二极管。

装置比较实施例1

除了形成第一空穴传输层(htl)至厚，而不形成第二空穴传输层(htl)，根据与装置实施例1相同的方法制造有机发光二极管。

评估

测量根据装置实施例1至装置实施例4和装置比较实施例1的每种有机发光二极管的取决于电压的电流密度变化、亮度变化和发光效率。

具体测量方法如下，并且结果示于表1中。

(1)取决于电压变化的电流密度变化的测量

对所获得的有机发光二极管，使用电流-电压计(keithley2400)，在将电压从0v增加至10v的同时，测量在元器件中流动的电流值，并将测量的电流值除以面积以提供结果。

(2)取决于电压变化的亮度变化的测量

在将有机发光二极管的电压从0v增加至10v的同时，通过使用亮度计(minoltacs-1000a)测量亮度。

(3)电流效率的测量

通过使用来自项目(1)和(2)的亮度、电流密度和电压(v)来计算在相同电流密度(10ma/cm²)下的电流效率(cd/a)。

(4)homo能级的测量

通过使用gaussian程序的dft方法，通过在b3lyp/6-31g(d,p)水平中结构上优化来获得homo能级。

[表1]

电流密度：10ma/cm²

参照表1，根据装置实施例1至装置实施例4的有机发光二极管与根据装置比较实施例1的有机发光二极管相比，显示出更低的驱动电压以及改善的效率和寿命特性。

尽管已经关于目前被认为是实际的示例性实施方式描述了本发明，但应理解的是，本发明不限于所公开的实施方式，而是相反，本发明旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同设置。因此，上述的实施方式应当被理解为是示例性的，而不以任何方式限制本发明。