一种有机化合物及其使用该有机化合物的电致发光器件的制作方法

文档序号:3494781阅读:251来源:国知局
一种有机化合物及其使用该有机化合物的电致发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机化合物,其具有如式I所示的结构:其中R1为取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、苯基、联苯基、萘基、蒽基;R2独立地选自单取代或多取代的取代基和氢原子、取代或为取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代C6-C30芳氧基、取代或未取代C6-C30芳胺基、取代或未取代的C2-C30杂环、取代或未取代C6-C30稠和多环基团、羟基、氰基和取代未取代的氨基。本发明还公开了一种使用该有机化合物的电致发光器件。
【专利说明】一种有机化合物及其使用该有机化合物的电致发光器件

【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种有机化合物,具体涉及一种用于有机电致发光器件的有机氮杂环 类衍生物及其在电致发光显示【技术领域】中的应用。

【背景技术】
[0002] 有机电致发光技术,即有机发光二极管技术,被视为下一代显75技术。与传统液晶 (Liquid Crystal Display,IXD)技术相比,无需背光源照射和滤色器,像素可自身发光呈现 在彩色显示板上。并且,拥有超高对比度、超广可视角度、曲面、薄型等特性。
[0003] 有机电致发光器件最早可以追溯到1963年Pope等人研究以蒽为单晶片 (10-20 μ m)的蓝色电致发光,因为蒽单晶发光层较厚和所使用的电极材料的制约,器件的 发光启动电压高达400V,且效率和亮度较低。然而,这并不影响它在有机电致发光二极 管(0LED)发展历上的地位,此后的二十多年间,有机电致发光的研究进展一直很慢。直至 1987年,美国柯达公司的C.W. Tang等开发出双层结构以8-羟基喹啉铝(Alq3)作发光层、 芳香二胺作空穴传输层、ΙΤ0作阳极、Mg : Ag(10:l)合金作阴极的"三明治"型器件,才揭 开0LED器件新的篇章。1990年剑桥大学Cavendish实验室又发现以聚合物为主体的EL发 光器件,开辟了 EL器件的又一个新途径。而后十几年中,由于高解析度RGB彩色像素 ,TFT 背板的限制及大面积上的困难,0LED的研究进展一直很缓慢。而近年来人们对0LED的研 究又成为平板显示的热点,随着器件工艺日趋成熟,材料设计、合成的不断改善,己基本实 现了全彩色"0LED梦幻显示器"的量产之梦。
[0004] 有机电致发光器件研究中材料起着决定性的作用,因其制备工艺中薄膜是用真空 蒸镀法制备,呈无定型态。材料的晶化将使发光性能下降被认为是器件老化的主要原因。 有鉴于此,在薄膜制备工艺中通常需要采用适当的措施来降低或者阻止有机层材料的结晶 化。第一、增加分子结构的不对称性;第二、增加分子结构的空间位阻,减少分子聚集。
[0005] 虽然目前已知的0LED材料,从性能上较之前已有很大的提升,但还没有达到令人 满意的发光效率、寿命和光纯度。
[0006] 因此,开发稳定高效的0LED材料,提高器件效率,延长器件寿命,改善光纯度,具 有很重要的实际意义。


【发明内容】

[0007] 本发明通过分子设计,合成出一系列新型电致发光材料,可用在空穴传输层、空穴 注入层和光学耦合层,大大降低了器件的启动电压,提高了器件的电流效率,使器件具有更 高的发光效率,更长的寿命,同时改善了光的纯度。
[0008] 为了实现上述器件性能,本发明采用的技术方案如下:
[0009] 本发明提供了一种有机化合物,其具有如式I所示的结构:
[0010]

【权利要求】
1. 一种有机化合物,其具有如式I所示的结构:
其中: 札为取代或未取代的C6-C30芳基或取代或未取代的C6-C30芳氧基; 馬独立地选自单取代或多取代的取代基、氢原子、羟基或氰基,优选取代或为取代的 C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代 C6-C30芳氧基、取代或未取代C6-C30芳胺基、取代或未取代的C2-C30杂环、取代或未取代 C6-C30稠和多环基团、或取代未取代的氨基。
2. 根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述C6-C30芳基选自苯基、联苯基、萘 基或蒽基。
3. 根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物选自具有G1-G11所示的结 构的化合物:

4. 一种电致发光器件,包括使用权利要求1-3中任一项所述的化合物中的至少一种作 为空穴注入材料和/或空穴传输材料。
5. 根据权利要求4所述的电致发光器件,其特征在于,所述器件包括基板以及依次层 叠设置于基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及阴极。
6. 根据权利要求5所述的电致发光器件,其特征在于,所述器件还包括光学耦合层,其 设置与所述阴极之上。
7. 根据权利要求6中任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述光学稱合层的材 料选自权利要求1-3中任一项所述的化合物中至少一种。
8. 根据权利要求4-7中任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述阳极材料选自 氧化铟锡、氧化铟锌和二氧化锡中的至少一种。
9. 根据权利要求4-8中任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述发光层材料选 自二咔唑联苯、9,10-二(2-萘基)蒽、11'(--73)或了?81掺杂的二咔唑联苯以及11'(--73) 或TPBi掺杂的9, 10-二(2-萘基)蒽中的至少一种。
10. 根据权利要求4-9中任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述电子传输层材 料选自4, 7-二苯基-1,10-菲啰啉和三(8-羟基喹啉)铝中的至少一种。
【文档编号】C07D209/86GK104045595SQ201410289553
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年6月25日 优先权日:2014年6月25日
【发明者】贾学艺, 吕瑶, 许军 申请人:北京绿人科技有限责任公司
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