专利名称：：一种柔性聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备方法
技术领域：
：本发明涉及一种柔性聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜及其制法。
背景技术：
：自从1977年，美国化学家MacDiarmid，物理学家Heeger和日本化学家Shirakawa首次发现掺杂碘的聚乙炔具有金属的特性以来，导电聚合物受到了各国科学家，产业界和政府的高度重视。导电聚合物的出现不仅打破了聚合物仅能作为绝缘体的传统观念，而且为低维的有机固体电子学的建立和完善做出了重要贡献。由于其特有的轻质和高柔性的特点，以导电聚合物作为活性材料的电子设备，如聚合物发光二极管(PLEDs)和光伏电池等显示出许多优异的性能。[参见R.H.Friend,R.W.Gymer，A.B.Homes,J.H.Burroughes，R.N.Marks,C.Taliani，D.D.C.Bradley,D.A.DosSantos,J.L.Bredas，M.Logdlund，W.R.Salaneck，Nature1999,397,121]制备高性能塑料电子设备需要克服的一个主要难关就是制备导电性和稳定性能与无机电极材料相当的有机电极材料。氧化铟锡(ITO)是如今电子工业中通用的透明无机阳极材料。但由于其自身的脆性以及弯折后导电性的巨大变化，ITO并不适用于制备柔性电子设备。[参见(a)D.R.Cairns，R.P.Witte，H.D.K.Sparacin，S.M.Sachsman，D.C.Paine，G.P.Grawford，R.R.Newton，Appl.Phys.Lett.2000,76,1425.(b)R.Paetzold，K.Heuser，D.Henseler，S.Roeger，G.Wittma皿，A.Winnacker，Appl.Phys.Lett.2003,82,3342.]因此制备高导电性的塑料电极就成为塑料电子工业发展的关键。聚(3，4_乙烯二氧噻吩)(PEDOT)因为在氧化态下具有高导电性、稳定性和高透明性的特点而被广泛用做有机电极材料。[参见(a)Pettersson，L.A.A.;Carlsson，F.;Ingana..s，0.;Arwin，H.ThinSolidFilms1998，313-314，356.(b)Ingana"Groenendaal，L.;Jonas，F.;Freitag，D.;Pielartzik，H.;Reynolds，J.R.Adv.Mater.2000，12,481.]与其他导电聚合物相似，由于PEDOT的刚性链结构，因此难以通过溶液或熔融的方式加工成膜。德国Bayer公司发明了一种方法，将ED0T在水中进行聚合，同时向水中加入水溶性离子聚合物——聚(苯乙烯磺酸钠)(PSS)，从而制得了水溶性的PED0T-PSS复合物。[参见(a)LGroe體daal，F.Jonas，D.Freitag，H.Pielartzik，J.R.Reynolds,Adv.Mater.2000，12，481.(b)S.Kirchmeyer;K.Reuter;J.Mater.Chem.2005，15，2077.]这种水溶性复合物具有良好的成膜性，因而在许多电子设备中被广泛应用。但是这种PED0T-PSS复合薄膜的电导率一般不超过10S'cm—、尽管众多研究人员通过多种方法提高了PED0T-PSS复合膜的电导率，但是人们仍然认为它不是用来制作有机电极的理想材料，因为为了维持它的水溶性，导电聚合物PEDOT链的共轭长度必然受到限制，而链的共轭长度又是影响聚合物电导率的关键因素。[参见(a)J.Y.Kim，J.H.Jung，D.E.Lee，J.Joo.，Synth.Met.2002，126,311.(b)F.Zhang，M.Johansson,M.R.Andersson，J.C.Hummelen，0.Inganas，Adv.Mater.2002，14,662.(c)S.L.Lai，Y.Chan，M.K.Fung，C.S.Lee，S.T.Lee，Mater.Sci.Eng.B2003,104，26.(d)S.K.M.Jonsson，J.Birgerson，X.Crispin,G.Greczynski，W.Osikowicz，A.W.DeniervandeGon，W.R.Salaneck，M.Fahlman，SynthMet.2003，139，1.(e)Y._H.Ha，N.Nikolov，S.K.Pollack,J.Mastrangelo，B.D.Martin,R.Shashidhar;Adv.F皿ct.Mater.2004，14，615.]直接在基体上沉积PEDOT可以制得复合导电薄膜，这种方法不会受PEDOT溶解性的影响，因而被大量使用。常用的技术有以下几种旋涂或喷涂法[参见Y,H.Ha，N.Nikolov，S.K.Pollack,J.Mastrangelo,B.D.Martin,R.Shashidhar;Adv.Funct.Mater.2004，14，615.];层层自组装法(LbL)[参见(a)R.R.Smith,A.P.Smith,J.T.Strieker,B.E.Taylor,M.F.Durstock，Macromolecules2006，39，6071.(b)Jiang，G.;Baba，A.;Advi酒la，R.;Langmuir2007，23，817.];电化学沉积法[参见Groenendaal，L.;Zotti，G.;Aubert，P.H.;Waybright，S.M.;Reynolds，J.R.Adv.Mater.2003，15，855.];化学气相沉积法(oCVD)[参见:(a)A.Kros;S.W.F.M.vanH6vell;N.A.J.M.Sommerdijk;R.J.M.Nolte;Adv.Mater.2001，13，1555.(b)Winther-Jensen，B.;West，K.Macromolecules2004,37,4538.(c)P.Lock,S.GapIm，K.K.Gleason，Macromolecules2006，39，5326.(d)S.G.Im，K.K.Gleason，Macromolecules2007，40，6552.]和原位聚合法[参见D.Hohnholz，A.G.MacDiarmid，D.M.Sarno，W.E.Jones，Jr，Chem.Co匪n.，2001,2444]。在这些方法中，旋涂或者喷涂法最容易实现。这种方法可以用来制备几微米厚的PEDOT膜，但是膜的厚度和粗糙度不容易控制。层层自组装法可以制备几纳米厚的PEDOT膜，而且可以通过控制层数来控制膜的厚度，但是制备过程繁琐，费时费力。电化学沉积法可以制得电极支撑或自支撑的高电导率薄膜(>300S*Cm—"，但所得的PEDOT膜通常不透明，尺寸较小，而且只能使用导电材料，如IT0和金属等作为基体。化学气相沉积法可以制备出电导率高达1000Scm—1的透明PEDOT膜，但是反应装置复杂，而且反应过程中需要高真空度，这限制了它的应用范围。原位聚合法简单易行，所得的PEDOT膜性质均一，电导率和透明性均较高；而且膜的厚度可以通过控制反应条件，如反应温度和单体浓度等进行调控，因而被广泛应用。由于表面的惰性，多数聚合物基体都需要进行表面改性以改善其界面性能，尤其是改善与其它膜的粘接性能。常用的方法有等离子体处理，表面接枝聚合等。杨万泰等提出的受限光催化氧化法(CP0)是一种简便易行的方法。将过硫酸铵夹在两层聚合物之间(上层为透明薄膜)构成三明治结构，在紫外光照射下，可以将硫酸根(_S04—)引入到聚合物表面。参见(a)杨万泰，杨鹏，一种聚合物表面改性方法，中国发明专利CN1388153;(b)P.Yang，J.Deng，W.T.Yang，Polymer2003,44,7157.这种方法可以在短时间内(几分钟)将聚烯烃、聚酯、尼龙、橡胶等多种聚合物的表面变成亲水表面，从而大大改善了聚合物的表面性能。现在这种方法已经在多个方面得到应用，如在聚合物表面沉积Ti02薄膜及正相和反相图案的制备参见P.Yang，M.Yang，SLZou，JYXie，W.T.Yang，J.A.C.S.，2003，44,7157.；半导体ZnO薄膜的沉积及正相和反相图案的制备参见:P.Yang，S.L.Zou，W.T.Yang，Small,2008，4(9)，1527.；以及生物芯片的制备参见S.H.Gan，P.YangandW.T.Yang，Biomacromolecules，2009，10(5)，1238.等。本发明也是在此方法基础上，先对聚合物进行表面改性，再沉积导电聚合物PEDOT，来制备柔性的导电聚合物薄膜。
发明内容本发明的目的是提供一种在有机聚合物基体上制备柔性导电聚合物聚(3，4_乙烯二氧噻吩)薄膜的方法。本发明的技术方案如下—种在有机聚合物基体上的导电聚合物聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，它是由3，4_乙烯二氧噻吩单体在非质子极性溶剂中经氧化剂原位氧化聚合、具有柔性、高电导率、纳米微纤状堆积结构的复合导电薄膜。—种制备上述聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的方法它是先将亲水化处理过的有机聚合物基体放入3，4_乙烯二氧噻吩的非质子极性溶剂的溶液中，快速加入氧化剂的溶液，控制反应时间及温度。反应过程中可以看到溶液中产生蓝色沉淀。反应结束后，将有机聚合物基体取出，用甲醇及去离子水漂洗多次，得到表面为蓝色的复合薄膜，深度随反应时间及反应温度变化。上述的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜制法，所述的有机聚合物基体是聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯、聚(异戊二烯)、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚(乙烯-乙酸乙烯酯)、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚(对苯二甲酸乙二醇酯)、聚酰亚胺、尼龙、聚砜、聚硅氧烷、聚氨酯等或者由这些聚合物的单体构成的共聚物。上述的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜制法，所述的有机聚合物基体在使用前均经过表面亲水化处理，表面亲水化处理的方法是按照中国专利CN1388153，一种聚合物表面改性方法，杨万泰，杨鹏，申请号02125664.0进行的。上述的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜制法，所述的非质子极性溶剂是乙腈、甲醇、乙醇或丙酮，优选乙腈。上述的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜制法，所述的氧化剂是三氯化铁或对甲基苯磺酸铁。上述的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜制法，所述的单体浓度为0.010.5mol*L—、优选0.050.2mol*L—、尤其是0.lmol*L—1;所述的氧化剂浓度为O.02lmol*L—、优选0.10.4mo1L—、尤其是0.2mo1L—1;所述的单体及氧化剂溶液的体积相等。上述的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜制法，所述的反应时间为160分钟，优选210分钟，尤其是25分钟。上述的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜制法，所述的反应温度为05(TC，优选1035°C，尤其是2030°C。本发明的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜经红外光谱测定，结果表明其与文献报道的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)的红外谱图基本相似[参见(a)Tran-VanF.，GarreauS.，LouarnG.，FroyerG.，ChevrotC.，J.Mater.Chem.2001，11，1378.(b)ChiuW.W.，Travas-SejdicJ.，CooneyR.P.，BowmakerG.A.，Synth.Met.，2005，155,80.]。本发明的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜经紫外可见分光光度计测定，沉积时间小于5分钟时对可见光的透过率达到90%以上。本发明的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜经四电极法测定，结果表明25°C反应超过2分钟电导率即可达300Scm—、本发明的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜经电子显微镜测定，结果表明所得复合薄膜具有纳米微纤状堆积结构，微纤的长度为200纳米，直径为4070纳米。图1为实施例2制得的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的红外光谱。图2为实施例2制得的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜在2(TC下分别反应2，5，10，20，30分钟的紫外_可见透射光谱。图3为实施例2制得的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜在2(TC下分别反应5，10，20，30分钟的电子显微镜照片。具体实施例方式以下以实施例对上述发明进行具体描述，但并不局限于实施例内容。实施例l.有机聚合物基体表面的亲水化处理亲水化处理是参照中国专利CN1388153，一种聚合物表面改性方法，杨万泰，杨鹏，申请号02125664.0进行的。操作步骤如下采用微量进样器量取100yL已配制好的过硫酸铵水溶液注入两层聚合物之间，然后用两片石英片将双层聚合物压实，过硫酸铵水溶液夹在两聚合物之间形成三明治结构，过硫酸铵水溶液均匀分布在双层聚合物之间，移入高压汞灯辐照装置(功率1000W，A=254nm处的光强为90士5W/m2)中进行辐照，过硫酸铵水溶液浓度为30wt%，25t:室温下照射90秒。再用去离子水浸泡表面10分钟，去除表面的过硫酸铵水溶液，再用丙酮冲洗表面以除去表面附着的水分，然后将膜放置在环境空气中静置5分钟以使丙酮完全挥发。实施例2.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备以双向拉伸聚丙烯薄膜(BOPP)为基体。用移液管量取5mL0.lmol/L的3，4_乙烯二氧噻吩单体的乙腈溶液，将其倒入试管或小烧杯中，将表面亲水化处理后的BOPP薄膜置入单体溶液中。在2(TC，不断振荡或搅拌的状态下，将5mL0.2mol/L三氯化铁的乙腈溶液加入上述反应溶液中。继续震荡或搅拌，分别反应2，5，10，20，30分钟。反应过程中，溶液由透明变为有蓝色沉淀产生，同时有聚合物在膜表面沉积，聚合物膜的颜色变为蓝色。反应结束后将BOPP膜取出，分别用甲醇和去离子水漂洗多次，以除去表面上未反应的单体和氧化剂，以及吸附在表面上的齐聚物和沉淀物。漂洗完毕用甲醇冲洗，然后将膜放置在环境空气中静置5分钟以使甲醇完全挥发，得到BOPP-PEDOT复合导电薄膜。表1为实施例2制得的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜在2(TC下分别反应2，5，10，20，30分钟的电导率值。<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>实施例3.聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚乙烯，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.5mol/L，三氯化铁浓度为lmol/L，反应温度为0t:，反应时间为2分钟。所得复合导电薄膜的电导率为320S/cm。实施例4.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚氯乙烯，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.3mol/L，三氯化铁浓度为0.6mol/L，反应温度为l(TC，反应时间为5分钟。所得复合导电薄膜的电导率为322S/cm。实施例5.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚苯乙烯，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.01mol/L，三氯化铁浓度为0.02mo1/L，反应温度为5(TC，反应时间为60分钟。所得复合导电薄膜的电导率为334S/cm。实施例6.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚甲基丙烯酸甲酯，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.02mol/L，三氯化铁浓度为0.04mol/L，反应温度为40°C，反应时间为30分钟。所得复合导电薄膜的电导率为320S/cm。实施例7.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚(乙烯_乙酸乙烯酯)，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.05mol/L，三氯化铁浓度为0.lmol/L，反应温度为30°C，反应时间为15分钟。所得复合导电薄膜的电导率为314S/cm。实施例8.聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚乙酸乙烯酯，3，4_乙烯二氧噻吩单体浓度为O.lmol/L，三氯化铁浓度为0.2mol/L，反应温度为2(TC，反应时间为20分钟。所得复合导电薄膜的电导率为318S/cm。实施例9.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚乙烯醇，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.2mol/L，三氯化铁浓度为0.4mol/L，反应温度为2(TC，反应时间为15分钟。所得复合导电薄膜的电导率为342S/cm。实施例10.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚碳酸酯，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.4mol/L，三氯化铁浓度为0.8mol/L，反应温度为25t:，反应时间为1分钟。所得复合导电薄膜的电导率为318S/cm。实施例11.聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.lmol/L，三氯化铁浓度为O.2mol/L，反应温度为15t:，反应时间为10分钟。所得复合导电薄膜的电导率为308S/cm。实施例12.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚酰亚胺，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.15mol/L，三氯化铁浓度为0.3mol/L，反应温度为25t:，反应时间为5分钟。所得复合导电薄膜的电导率为310S/cm。实施例13.聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为尼龙，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.25mol/L，三氯化铁浓度为0.5mol/L，反应温度为5t:，反应时间为25分钟。所得复合导电薄膜的电导率为324S/cm。实施例14.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为聚氨酯，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.35mol/L，三氯化铁浓度为0.7mol/L，反应温度为l(TC，反应时间为15分钟。所得复合导电薄膜的电导率为326S/cm。实施例15.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为甲基硅橡胶，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.lmol/L，三氯化铁浓度为0.2mo1/L，反应温度为l(TC，反应时间为15分钟。所得复合导电薄膜的电导率为335S/cm。实施例16.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用有机聚合物基体为天然橡胶生胶，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.2mol/L，三氯化铁浓度为0.4mol/L，反应温度为3(TC，反应时间为5分钟。所得复合导电薄膜的电导率为315S/cm。实施例17.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用溶剂为甲醇，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.2mol/L，三氯化铁浓度为0.4mol/L，反应温度为30°C，反应时间为20分钟。所得复合导电薄膜的电导率为318S/cm。实施例18.聚(3，4_乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用溶剂为乙醇，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.4mol/L，三氯化铁浓度为0.8mol/L，反应温度为25°C，反应时间为30分钟。所得复合导电薄膜的电导率为306S/cm。实施例19.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用溶剂为丙酮，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.25mol/L，三氯化铁浓度为0.5mol/L，反应温度为3(TC，反应时间为30分钟。所得复合导电薄膜的电导率为303S/cm。实施例20.聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备按照实施例2的步骤制备聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜，所用氧化剂为对甲基苯磺酸铁，3，4-乙烯二氧噻吩单体浓度为0.15mol/L，三氯化铁浓度为0.3mol/L，反应温度为10分钟。所得复合导电薄膜的电导率为333S/cm。8权利要求一种柔性聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备方法，其特征在于包含如下步骤(1)将有机聚合物基体通过受限光催化氧化的方法进行表面改性，使有机聚合物表面变为亲水性，表面改性方法是采用微量进样器量取100μL已配制好的过硫酸铵水溶液注入两层聚合物之间，然后用两片石英片将双层聚合物压实，过硫酸铵水溶液夹在两聚合物之间形成三明治结构，过硫酸铵水溶液均匀分布在双层聚合物之间，移入功率1000W，λ＝254nm处的光强为90±5W/m2的高压汞灯辐照装置中进行辐照，过硫酸铵水溶液浓度为30wt％，25℃室温下照射90秒；再用去离子水浸泡表面10分钟，去除表面的过硫酸铵水溶液，再用丙酮冲洗表面以除去表面附着的水分，然后将膜放置在环境空气中静置5分钟以使丙酮完全挥发；(2)在室温下将上述步骤(1)得到的表面亲水化的有机聚合物放入3，4-乙烯二氧噻吩和氧化剂的非质子极性溶剂的溶液中，原位化学氧化聚合制得聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合薄膜。2.按权利要求l所述的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备方法，其特征为所述的3，4-乙烯二氧噻吩浓度为0.010.5mo1L—、所述的氧化剂浓度为0.02lmolL—、且氧化剂浓度是3，4-乙烯二氧噻吩浓度的2倍；所述的单体及氧化剂溶液的体积相等；聚合时间为160分钟，反应温度为050°C。3.按权利要求1所述的制备方法，其特征为所述的有机聚合物基体是聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯、聚(异戊二烯)、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚(乙烯-乙酸乙烯酯)、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚(对苯二甲酸乙二醇酯)、聚酰亚胺、尼龙、聚砜、聚硅氧烷、聚氨酯或者由这些聚合物的单体构成的共聚物。4.按权利要求1所述的制备方法，其特征为所述的氧化剂是三氯化铁或对甲基苯磺酸铁。5.按权利要求1所述的制备方法，其特征为所述的非质子极性溶剂是乙腈、甲醇、乙醇或丙酮。全文摘要本发明属于导电聚合物领域，提供一种柔性聚(3，4-乙烯二氧噻吩)复合导电薄膜的制备方法。该方法是将亲水化处理过的有机聚合物基体放入3，4-乙烯二氧噻吩和氧化剂的非质子极性溶剂的溶液中，使聚(3，4-乙烯二氧噻吩)在有机聚合物基体表面上沉积。本发明制得的复合导电薄膜经紫外可见分光光度计测定，沉积时间小于5分钟时对可见光的透过率达到90％以上；本发明制得的复合导电薄膜具有纳米微纤状堆积结构，电导率可达300S/cm以上。文档编号C08J7/16GK101704958SQ20091023627公开日2010年5月12日申请日期2009年10月23日优先权日2009年10月23日发明者杨万泰,梁杰申请人:北京化工大学