专利名称：超低曝光后烘烤光致抗蚀剂材料的制作方法
技术领域：
本发明涉及光刻领域。更具体地说，本发明涉及含有缩醛键的光致抗蚀剂聚合物以及其在光刻(lithographic)光致抗蚀剂组合物中的用途，尤其是在化学增幅光致抗蚀剂中的用途。
背景技术：
化学增幅光致抗蚀剂由于在MSnm和更短的波长下具有更好的曝光速度 (photo-speed)，同时在亚0. 25微米的范围中提供可接受的图像空间分辨率，所以已取代断链光致抗蚀剂(chain-scission photoresists)。但是，对于高级图案化节点(advanced patterning nodes)在亚IOOnm尺度上的可接受空间分辨需要改良的化学增幅光致抗蚀剂材料和组合物。差的光刻图像分辨率限制了集成电路装置的缩放(scaling)。
发明内容
本发明的第一方面为一种聚合物，其包含具有下列结构的第一单体
权利要求
1. 一种聚合物，包含 下列结构的第一单体
2.如权利要求1所述的聚合物，其中XpR1及R3不含氟原子。
3.如权利要求1所述的聚合物，其中&选自-ch2ch2co-、-ch2ch2cooch2ch2co-和
4.如权利要求1所述的聚合物，其中R1选自
5.如权利要求1所述的聚合物，其中&选自直链烷基氟代醇类、支链烷基氟代醇类、具有侧链烷基氟代醇基的环烷类和具有侧链烷基氟代醇基的双环烷类。
6.如权利要求1所述的聚合物，其中民选自直链和支链烷基、双环烷基和杂双环烷基。
7.如权利要求1所述的聚合物，其中所述第一单体选自
8.如权利要求1所述的聚合物，其中所述第二单体选自
9.
10.一种光致抗蚀剂制剂，包含浇铸溶剂； 光酸产生剂；以及聚合物，其包含 下列结构的第一单体下列结构的第二单体
11.如权利要求10所述的光致抗蚀剂制剂，其中XpR1和R3不含氟原子。
12.如权利要求10所述的光致抗蚀剂制剂，其中 R1选自
13.如权利要求10所述的光致抗蚀剂制剂，其中所述第一单体选自
14.如权利要求10所述的光致抗蚀剂制剂，其中所述第二单体选自
15.如权利要求10所述的光致蚀剂制剂，其中所述第三单体选自
16. 一种方法，包括(a)在衬底上形成光致抗蚀剂制剂层，该光致抗蚀剂制剂包含 浇铸溶剂； 光酸产生剂；以及聚合物，其包含 下列结构的第一单体
17.如权利要求16所述的方法，其中XpR1及R3不含氟原子。
18.如权利要求16所述的方法，其中 R1选自
19.如权利要求16所述的方法，其中所述第一单体选自
20.如权利要求16所述的方法，其中所述第二单体选自
21.如权利要求16所述的方法，其中所述第三单体选自
22.如权利要求16所述的方法，其中所述聚合物基本上由下述单体构成
23.如权利要求16所述的方法，其中所述聚合物基本上由下述单体构成
24.如权利要求16所述的方法，其中所述聚合物基本上由下述单体构成
全文摘要
本发明涉及包含在聚合物骨架与酸不稳定的缩醛基之间具有侧链间隔基的第一甲基丙烯酸酯单体、具有包括氟代烷基的侧基的第二甲基丙烯酸酯单体及具有侧链烃基的第三甲基丙烯酸酯单体的聚合物。本发明还涉及包含该聚合物、光酸产生剂及浇铸溶剂的光致抗蚀剂制剂。本发明还涉及将由该光致抗蚀剂制剂形成的光致抗蚀剂薄膜图案化的方法，其特征为在约60℃或以下的温度下进行曝光后烘烤。
文档编号C08F220/28GK102308258SQ201080007232
公开日2012年1月4日 申请日期2010年1月26日 优先权日2009年2月23日
发明者D·L·戈尔德法尔布, M·克霍雅斯特, P·瓦拉纳西 申请人:国际商业机器公司