一种端氢基聚硅氧烷生产系统的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种端氢基聚硅氧烷生产系统，包括：原料预处理装置，用于对原料甲基环硅氧烷进行脱水、脱氯处理；调聚釜，供原料反应，得到粗产物；粗产物后处理装置，用于去除粗产物中的杂质；成品储罐，用于收集成品端氢基聚硅氧烷。本实用新型生产系统利用甲基环硅氧烷和四甲基二氢二硅氧烷生产端氢基聚硅氧烷，不需添加有机溶剂，反应条件温和，而且不排放有害气体，安全环保。
【专利说明】 一种端氢基聚硅氧烷生产系统
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种化工产品生产系统，尤其涉及一种端氢基聚硅氧烷生产系统。
【背景技术】
[0002]端氢基聚硅氧烷是指活性氢封端的聚二甲基硅氧烷，又名端氢硅油，CAS号为70900-21-9，分子式为HMe2(OSiMe2)nMe2H (η为链节数，简写为HPMS)。它是生产有机硅改性嵌段或接枝共聚物的关键起始原料和重要的有机硅中间体，利用其端基上的S1-H键，通过硅氢化反应，可在聚硅氧烷分子链上引入各种有机基团；所以端氢基聚硅氧烷在塑料、树脂改性、硅油改性、液体硅橡胶的交联剂、特种有机硅表面活性剂及树枝状聚合物的合成中有着重要的用途。目前，文献报道的端氢基聚硅氧烷的合成方法，主要包括水解缩合法和催化平衡法等。
[0003]文献公开了(来国桥，幸松民等，有机硅产品合成工艺及应用(第二版)[Μ].北京:化学工业出版社，2010:368)采用水解缩合法制备端氢基聚硅氧烷，主要由Me2HSiCl与 Me2SiCl2 反应生成 HMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2H。文献(Okanoto M.JP-Koka1.平 6-100684(1994))采用(Me2SiO)4及(HMe2Si)2O,经酸催化平衡，制得收率较好的HMe2SiO(Me2SiO)nSiMe2H。
[0004]但现有的制备端氢基聚硅氧烷的方法均存在一定缺陷。如在水解缩合法中，硅氢键比较活泼，水解时容易产生凝胶，因此需加入甲苯、烷烃、醚类等溶剂。而在酸催化平衡时，不能使用碱性催化剂，因为碳氢键在碱性条件下容易发生断裂，且原料甲基环硅氧烷的质量对产物端氢基硅氧烷的收率及品质影响较大。
[0005]目前国内生产含氢硅油的工艺流程已使用多年，基本上都是用苯系溶剂，浓硫酸作为调聚催化剂。苯系溶剂是一种易挥发，着火点低的液体，对生产要求特别严格；用浓硫酸作为催化剂，会造成环境污染，设备腐蚀较大，而且耗费大量的水资源，同时产品质量不稳定，性能较差，这些不仅造成工艺操作不安全，限制了这些方法的工业化应用。
实用新型内容
[0006]本实用新型提供了一种端氢基聚硅氧烷生产系统，该系统结构简单，而且安全性能好，对环境污染小。
[0007]—种端氢基聚娃氧烧生产系统,包括:
[0008]原料预处理装置，用于对原料甲基环硅氧烷进行脱水、脱氯处理；
[0009]调聚釜，供原料反应，得到粗产物；
[0010]粗产物后处理装置，用于去除粗产物中的杂质；
[0011]成品储罐，用于收集成品端氢基聚硅氧烷。
[0012]本系统主要用端氢基聚硅氧烷的合成，其主要原料包括甲基环硅氧烷、四甲基二氢二硅氧烷(HMM)和催化剂，以八甲基环四硅氧烷(D4)为例，反应式如下:[0013]
【权利要求】
1.一种端氢基聚硅氧烷生产系统,包括: 原料预处理装置，用于对原料甲基环硅氧烷进行脱水、脱氯处理； 调聚釜，供原料反应，得到粗产物； 粗产物后处理装置，用于去除粗产物中的杂质； 成品储罐，用于收集成品端氢基聚硅氧烷。
2.如权利要求1所述的端氢基聚硅氧烷生产系统，其特征在于，包括与调聚釜连通的甲基环硅氧烷精品储te、四甲基~-S1二硅氧烷储te和?隹化剂储te，且连通的管道上设有控制阀。
3.如权利要求2所述的端氢基聚硅氧烷生产系统，其特征在于，所述原料预处理装置为装填有吸附剂的精制器，精制器入口连接甲基环硅氧烷粗品储罐，精制器出口连接甲基环硅氧烷精品储罐。
4.如权利要求2所述的端氢基聚硅氧烷生产系统，其特征在于，包括氮气储罐，所述氮气储罐通过管道连接调聚釜和催化剂储罐。
5.如权利要求1所述的端氢基聚硅氧烷生产系统，其特征在于，所述粗产物后处理装置包括过滤器、粗产物储罐、计量泵、脱低釜和蒸馏塔，过滤器底部连接粗产物储罐，计量泵设于粗产物储罐和脱低釜之间，蒸馏塔设于脱低釜的上方，脱低釜的底部连接成品储罐。
6.如权利要求1所述的端氢基聚硅氧烷生产系统，其特征在于，所述调聚釜顶部设有放空口。
【文档编号】C08G77/08GK203393076SQ201320463626
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年7月31日 优先权日:2013年7月31日
【发明者】薛常洪, 谭军, 欧阳玉霞, 程旭阳, 鄢清佳, 陈关喜 申请人:嘉兴联合化学有限公司