技术总结
本发明涉及传感器敏感元件及其制备方法，具体涉及一种荧光偏振荧光磁性分子印迹传感器的制备方法，该方法具体包括以下步骤：步骤一、Fe3O4纳米颗粒的制备；步骤二、Fe3O4@SiO2的制备；步骤三、荧光Fe3O4@SiO2的制备；步骤四、荧光MIP‑ Fe3O4@SiO2的制备；步骤五、非印迹荧光磁性聚合物（NIP‑ Fe3O4@SiO2）的制备。本发明方法制备了一种同时具有荧光和磁性的分子印迹聚合物，并采用荧光偏振技术对该聚合物和被测物质进行检测，得到荧光偏振荧光磁性分子印迹传感器。该方法克服传统荧光分子印迹传感器检测存在的只能检测具有荧光性质的被测物的问题；同时，该方法简化制备工艺流程，增加了检测灵敏性，将检测限可降低至ng/L。
技术研发人员：赵晨;贾光锋;陆文总;李滚;孟祥艳;潘海仙;任郁苗
受保护的技术使用者：西安工业大学
文档号码：201610992984
技术研发日：2016.11.11
技术公布日：2017.03.22