本发明属于材料物理改性领域，涉及一种高透光率、耐热PC/PAR合金的制备方法。
背景技术：
随着现代科学技术的发展，高性能工程塑料复合材料的应用与发展尤为重要，发往多采用单一的工程塑料作为改性研究对象，但在某些特殊领域，单一的工程塑料已满足不了其发展的要需求。近年来，将两种或两种以上的塑料利用物理共混或化学接枝的方法而获得的高性能、多功能化的工程塑料合金，能改善或提高现在塑料的性能并降低成本，共混改性中，物理共混在实际应用中占80％以上。工程塑料物理共混制备高性能合金最大的问题就是两种塑料之间的相容问题，其相容性直接决定了工程塑料合金的综合性能。
聚碳酸酯具有良好的物理力学性、耐热性、透光性以及化学稳定性，但包括电子电器、仪表、航空航天、汽车等众多高新技术领域对聚碳酸酯的机械性能、光学性能、热性能提出了更高的要求。因此，实现聚碳酸酯的高强度、耐高温、透明性等是聚碳酸酯的发展方向。聚芳基酸酯为双酚A型聚酯结构，从结构上看与聚碳酸酯具有一定的相容性，且透明性好，如果将PAR与PC共混，能显著提高聚碳酸酯的耐热性并保持其透明性，大大扩大了聚碳酸酯的应用范围。
聚碳酸酯与聚芳酯共混，共混物具有两个玻璃化温度，分别对应于PAR及PC。但经适当的温度混炼后，由于发生了酯交换反应，生成了新的共缩型聚酯，它起到了相容剂的作用，PC/PAR共混物成为相容体系，而且只有一个对应于此相容体系的玻璃化温度，其相应的塑料合金在耐热性等物理性能上，也出现了一定的协同效应。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是，解决产品酯交换的程度，透光率，易加工、高耐热，而提供一种高透光率、耐热PC/PAR合金。
为了实现上述目的，本发明提供一种高透光率、耐热PC/PAR合金，可能通过以下技术方案来实现，即一种高透光率、耐热PC/PAR合金，由不饱和二元酸、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、不饱和二元酸单体、酯交换抑制剂、抗氧剂、润滑剂、相容剂，通过共混酯交换反应制备得到，该高透光率、耐热PC/PAR合金，由下列组分按重量百分比制成：
所述的聚碳酸酯为中、高、低粘中一种或几种；
所述的聚芳基酸酯为双酚A型的聚酯；
所述的抗氧剂为亚磷酸酯类、受阻酚类、硫代二丙酸二硬脂醇酯中的一种或几种；
所述的酯交换剂为本领域的技术人员公知的种类，采用的为乙酸锰、亚磷酸三苯酯系、焦磷酸二氢钠中的一种或几种；
本发明中PC/PAR合金的制备方法，其特征在于，先将酯交换剂稀释于溶解液中，待完全溶解后与聚碳酸酯、聚芳基酸酯一起混入搅拌机中，高速搅拌5分钟，而后依次加入抗氧剂、润滑剂、相容剂等高速搅拌3-5分钟，出料喂入双螺杆挤出机中，然后经挤出机熔融塑化、机头挤出、拉条、冷却、切粒、干燥，得到成品。
所述的双螺杆挤出机的加工温度为260-320℃，螺杆转速在300-400转/分钟，挤出机型为35机；
本发明采用上述配方及处理方法制得一种高透光率、耐热PC/PAR合金，其优点是该合金的相容剂佳，在改善相容性的同时保持了高透光性，明显提升材料的耐热等级，扩大了使用范围，低残留量、无刺激性气味，有利于环境保护和人的身体健康；加工工艺简单，易于大规模生产；
具体实施方案
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。
实施一：
制备本发明的PC/PAR合金,
将聚碳酸酯、聚芳基酸酯树脂放入烘箱中用110℃烘烤3小时，以除去原材料中的水分，,将物料投入混料机中高速搅拌3-5分钟，挤出机各段温度控制在260-320之间，挤出切粒得到PC/PAR合金产品CR01.按照重量百分比称取以下组分：
实施例二
与实施例一相同，不同点在于：
将物料混合挤出造粒即得PC/PAR合金产品CR02。
实施例三
与实施例一相同，不同点在于：
将物料混合挤出造粒即得PC/PAR合金产品CR03.
实施例四
与实施例一相同，不同点在于：
将物料混合挤出造粒即得PC/PAR合金产品CR04.
实施例五
与实施例一相同，不同点在于：
将物料混合挤出造粒即得PC/PAR合金产品CR04.
实施例六
与实施例一相同，不同点在于：
将物料混合挤出造粒即得PC/PAR合金产品CR06.
性能测试
按照如下的方法对实施例1-6制得的PC/PAR合金进行测试，结果如表1所示。
拉伸强度的测试方法按照GB 1040规定的方法，缺口冲击即常温抗冲击性能的测试方法按GB 1843规定的方法测试，弯曲强度及模量的测试方法GB 9341按照规定的方法，热变形温度的测试方法按照GB 1634规定的方法。
由上述条件制得的材料性能如表1所示：
从表一中可以看出，当选用DSDP作为酯交换剂时，对合金的相容效果改善最明显，在添加一定量的相容剂对材料的耐热提升比较大，但对透光率有影响，本发明的PC/PAR有着各自的优点，适用于对透光率和耐热要求高的场合，仅针对PC/PAR合金特定比例进行了试验。需要说明的是，普通的技术人员针对上述的实施例还可以调整比例，通过多次的实验，得到一些改进。但上无论怎么改进，只要这些技术在本发明的构思范围内，就等同于本专利的技术方案，属于本专利的保护范围。