本发明涉及有机电致发光材料技术领域，特别是涉及一种化合物及制备方法、一种有机发光显示装置。
背景技术：
有机电致发光材料(oled)的发光机理可分为电致荧光发光和电致磷光发光两种，荧光是单重态激子的辐射衰减跃迁，磷光则是三重态激子辐射衰减到基态所发射的光。荧光材料的内量子效率不超过25％，而电致磷光材料的内量子效率理论上达到100％。
然而，现有的磷光主体材料存在三线态能级较低、分子密度较小、玻璃化温度较低以及分子热稳定性差等不足。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明提供了一种化合物及制备方法、一种有机发光显示装置。
根据本发明的一方面，提供了一种化合物，具有[化学式1]所示的结构：
[化学式1]
其中，d表示电子给体单元，x1-x9各自独立地选自c原子或者n原子，且x3和x4中至少一个为n原子，x6和x7中至少一个为n原子，
a和b各自独立地选自0或者1，a1和a2各自独立地选自取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c3-c20环烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c20杂环基、取代或未取代的c6-c40芳基、取代或未取代的c10-c40稠芳基、和取代或未取代的c4-c40杂芳基中的任意一种或者一种以上。
根据本发明的一个实施方式，x3与x6为相同的取代基，x4与x7为相同的取代基，x1与x8为相同的取代基，x2与x9为相同的取代基，a1和a2可以为相同的或者不同的取代基。
根据本发明的一个实施方式，所述化合物选自：
中的任意一种，
其中，d表示电子给体单元，x5选自c原子或者n原子，
a和b各自独立地选自0或者1，a1和a2各自独立地选自取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c3-c20环烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c20杂环基、取代或未取代的c6-c40芳基、取代或未取代的c10-c40稠芳基、和取代或未取代的c4-c40杂芳基中的任意一种或者一种以上。
根据本发明的一个实施方式，d单元选自苯胺基、苯胺衍生物类取代基、咔唑基、咔唑衍生物类取代基、吖啶基、吖啶衍生物类取代基中的一种或者一种以上。
根据本发明的一个实施方式，d单元选自苯胺基或苯胺衍生物类取代基：
其中，m、n和p各自独立地选自0、1、2或3；
#表示与[化学式1]中的杂芳基连接的位置；
r1、r2、r3各自独立地选自氢原子、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的亚甲硅烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c10-c30稠芳基中的任意一种或一种以上。
根据本发明的一个实施方式，d单元选自咔唑基或咔唑衍生物类取代基：
z选自c原子、n原子、o原子、s原子或si原子；q独立地选自0、1、2或3；
#表示与[化学式1]中的杂芳基连接的位置；
r4独立地选自氢原子、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的亚甲硅烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c10-c30稠芳基中的任意一种或一种以上。
根据本发明的一个实施方式，d单元选自吖啶基或吖啶衍生物类取代基：
z选自c原子、n原子、o原子、s原子或si原子；x选自c原子、n原子、o原子或者s原子；m、n、p和q各自独立地选自0、1、2或3；
#表示与[化学式1]中的杂芳基连接的位置；
r1、r2、r3、r4各自独立地选自氢原子、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的亚甲硅烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c10-c30稠芳基中的任意一种或一种以上。
根据本发明的一个实施方式，d单元选自
中的任意一种；
其中，每个结构式中的r各自独立地选自氢原子、取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c3-c20环烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c20杂环基、取代或未取代的c6-c40芳基、取代或未取代的c5-c40杂芳基中的任意一种或一种以上；
#表示d单元与[化学式1]中的杂芳基能够连接的位置。
根据本发明的一个实施方式，所述化合物选自：
中的任意一种。
根据本发明的另一方面，提供了如上所述的化合物的制备方法，包括由[化学反应式1]至[化学反应式4]表示的以下步骤：
将
[化学反应式1]
[化学反应式2]
[化学反应式3]
[化学反应式4]
其中，y和z表示两种彼此不同的卤素，且y选自i或者br，z选自br或者cl。
根据本发明的又一方面，提供了一种有机发光显示装置，包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：
有机功能层，所述有机功能层包括一层或多层有机膜层，且至少一层所述有机膜层为发光层；
所述有机功能层包含如上所述的化合物。
根据本发明的显示装置例如可以是手机显示屏、电脑显示屏、液晶电视显示屏等。
根据本发明的一个实施方式，所述发光层的磷光主体材料包含如上所述的化合物。
根据本发明的一个实施方式，所述发光层的掺杂材料包含如上所述的化合物。
根据本发明的一个实施方式，所述有机功能层包含电子传输层，且所述电子传输层材料包含如上所述的化合物。
根据本发明的一个实施方式，所述有机功能层包含空穴传输层，且所述空穴传输层材料包含如上所述的化合物。
根据本发明的一个实施方式，所述有机功能层包含盖帽层cpl，且所述盖帽层材料包含如上所述的化合物。
根据本发明的一个实施方式，所述有机电致发光器件还包括：
第一电极；
设置于所述有机功能层上的第二电极；
所述有机功能层设置于第一电极上。
根据本发明的化合物作为有机电致发光器件中的主体材料或盖帽层(cpl)材料时，具有较高的三线态能级et和较大的分子密度，并具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，有效提高载流子的平衡迁移，扩宽激子复合区域，有效提高光的取出效率，降低驱动电压，并使得器件的发光效率和寿命有了很大提升，在电致发光器件技术领域中得到了很好的应用。
根据本发明的化合物作为有机电致发光器件中的掺杂材料、空穴传输层材料、电子传输层材料时，能够降低驱动电压，提高发光效率、亮度、热稳定性、色彩纯度及器件寿命。
附图说明
图1为化合物h3的homo、lumo能级分布图；其中，图1中的(a)为化合物h3的homo能级分布图，图1中的(b)为化合物h3的lumo能级分布图。
图2为根据本发明的有机电致发光器件的结构示意图。
图3为手机显示屏的示意图。
其中，1-基底，2-第一电极2，3-有机功能层，4-第二电极，5-显示屏。
具体实施方式
具体实施方式仅为对本发明的说明，而不构成对本发明内容的限制，下面将结合具体的实施方式对本发明进行进一步说明和描述。
本发明提供了一种化合物及制备方法、一种有机发光显示装置。
根据本发明的一方面，提供了一种化合物，具有[化学式1]所示的结构：
[化学式1]
其中，d表示电子给体单元，x1-x9各自独立地选自c原子或者n原子，且x3和x4中至少一个为n原子，x6和x7中至少一个为n原子，
a和b各自独立地选自0或者1，a1和a2各自独立地选自取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c3-c20环烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c20杂环基、取代或未取代的c6-c40芳基、取代或未取代的c10-c40稠芳基、和取代或未取代的c4-c40杂芳基中的任意一种或者一种以上。
c1-c20烷基可以例如选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基或叔丁基等饱和脂肪族烃基中的一种或几种。上述c1-c20烷基可以具有取代基也可以不具有取代基。
c3-c20环烷基可以例如选自环丙基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、降冰片基、金刚烷基等饱和环烷基中的一种或几种。上述c3-c20环烷基可以具有取代基也可以不具有取代基。
c1-c20烷氧基可以例如选自甲氧基、乙氧基、丙氧基等脂肪族烷氧基中的一种或几种。上述c1-c20烷氧基可以具有取代基也可以不具有取代基。
c3-c20杂环基可以例如选自吡喃环、哌啶环、环酰胺等环内具有碳原子以外的杂原子的官能团中的一种或几种。上述c3-c20杂环基可以具有取代基也可以不具有取代基。
c6-c40芳基可以例如选自苯基、二联苯基、9,9-芴基、苯三联苯基等芳香烃基中的一种或几种。上述c6-c40芳基可以具有取代基也可以不具有取代基。
c10-c40稠芳基可以例如选自萘基、蒽基、菲基、9,10-苯并菲基、1,2-苯并菲基、苊烯基、苝基、芘基、茚基等并环芳基中的一种或几种。上述c10-c40稠芳基可以具有取代基也可以不具有取代基。
c5-c40杂芳基可以例如选自呋喃基、噻吩基、吡咯基、噁唑基、噻唑基、吡唑基、吡喃基、咪唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、1,3,4-噁二唑基、1,2,4-三唑基、1,3,5-三嗪基、吲哚基、苯并咪唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、喹啉基、喹喔啉基、邻菲罗啉基、吩嗪基、哒嗪基中的一种或一种以上。上述c5-c40杂芳基可以具有取代基也可以不具有取代基。
当c1-c20烷基、c3-c20环烷基、c1-c20烷氧基、c3-c20杂环基、c6-c40芳基、c10-c40稠芳基和c5-c40杂芳基具有取代基时，取代基可以例如选自烷基、环烷基、烷氧基、杂环基、芳基、稠芳基、杂芳基等。
对于本文中其他位置提到的c1-c20烷基、c3-c20环烷基、c1-c20烷氧基、c3-c20杂环基、c6-c40芳基、c10-c40稠芳基、c5-c40杂芳基，也应作与以上相同的理解。
根据本发明的一个实施方式，x3与x6为相同的取代基，x4与x7为相同的取代基，x1与x8为相同的取代基，x2与x9为相同的取代基，a1和a2可以为相同的或者不同的取代基。
根据本发明的一个实施方式，所述化合物选自：
中的任意一种，
其中，d表示电子给体单元，x5选自c原子或者n原子，
a和b各自独立地选自0或者1，a1和a2各自独立地选自取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c3-c20环烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c20杂环基、取代或未取代的c6-c40芳基、取代或未取代的c10-c40稠芳基、和取代或未取代的c4-c40杂芳基中的任意一种或者一种以上。
根据本发明的一个实施方式，d单元选自苯胺基、苯胺衍生物类取代基、咔唑基、咔唑衍生物类取代基、吖啶基、吖啶衍生物类取代基中的一种或者一种以上。
根据本发明的一个实施方式，d单元选自苯胺基或苯胺衍生物类取代基：
其中，m、n和p各自独立地选自0、1、2或3；
#表示与[化学式1]中的杂芳基连接的位置；
r1、r2、r3各自独立地选自氢原子、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的亚甲硅烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c10-c30稠芳基中的任意一种或一种以上。
根据本发明的一个实施方式，d单元选自咔唑基或咔唑衍生物类取代基：
z选自c原子、n原子、o原子、s原子或si原子；q独立地选自0、1、2或3；
#表示与[化学式1]中的杂芳基连接的位置；
r4独立地选自氢原子、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的亚甲硅烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c10-c30稠芳基中的任意一种或一种以上。
根据本发明的一个实施方式，d单元选自吖啶基或吖啶衍生物类取代基：
z选自c原子、n原子、o原子、s原子或si原子；x选自c原子、n原子、o原子或者s原子；m、n、p和q各自独立地选自0、1、2或3；
#表示与[化学式1]中的杂芳基连接的位置；
r1、r2、r3、r4各自独立地选自氢原子、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的亚甲硅烷基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c10-c30稠芳基中的任意一种或一种以上。
根据本发明的一个实施方式，d单元选自
中的任意一种；
其中，每个结构式中的r各自独立地选自氢原子、取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c3-c20环烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c20杂环基、取代或未取代的c6-c40芳基、取代或未取代的c5-c40杂芳基中的任意一种或一种以上；
#表示d单元与[化学式1]中的杂芳基能够连接的位置。
本发明中，“#表示d单元与[化学式1]中的杂芳基能够连接的位置”是指当一个化学结构中存在两个或以上的#时，这些#中的任意一个都可以作为d单元与[化学式1]中的杂芳基连接的位置。
根据本发明的一个实施方式，所述化合物选自h1至h16中的任意一种。
根据本发明的另一方面，提供了如上所述的化合物的制备方法，包括由[化学反应式1]至[化学反应式4]表示的以下步骤：
将
[化学反应式1]
[化学反应式2]
[化学反应式3]
[化学反应式4]
其中，y和z表示两种彼此不同的卤素，且y选自i或者br，z选自br或者cl。
当x3与x6为相同的取代基，x4与x7为相同的取代基，x1与x8为相同的取代基，x2与x9为相同的取代基，a1和a2可以为相同的或者不同的取代基。
当a1与a2为相同的取代基，也即
当a1与a2为不同的取代基时，中间体ii与y-a1反应得到中间体iii，之后中间体iii再与y-a2反应得到目标化合物。
以下给出了若干具体化合物的制备方法和结果。
制备过程中涉及到的中间体a1-a4的结构如表1所示。其中，中间体a1-a4的制备方法参照[化学反应式1]。
表1中间体a1-a4的结构
化合物h3的合成
第一步：250ml三口瓶中，通入氮气，在150mldmf中，依次加入中间体a1(0.03mol)、吩噻嗪硼酸酯(0.036mmol)和醋酸钯(0.0003mol)，加入中，混合搅拌，然后加入k3po4(0.045mol)水溶液，在温度130℃下回流反应10h。自然冷却至室温，加水100ml，将所得混合物过滤并在真空烘箱中干燥。将所得残余物过硅胶柱进一步分离纯化，得到中间体h3-1；
第二步：氮气氛围保护下，在100ml甲苯中，加入中间体h3-1(0.03mol)、4-溴-吡啶(0.042mol)、pd2(dba)3(0.00018mol)、叔丁醇钠(0.00018mol)和三叔丁基磷(0.00018mol)，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液加热回流10-15小时；取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得化合物h3。
化合物h3元素分析结构(分子式c41h26n8s)：理论值：c,74.30；h,3.95；n,16.91；s,4.84。测试值：c,74.30；h,3.94；n,16.93；s,4.83。通过液相质谱联用分析得esi-ms(m/z)(m+)：理论值为662.20，测试值为662.76。
按照与化合物h3合成类似的方法，得到化合物h1、h2和h5。
化合物h4的合成
第一步：250ml三口瓶中，通入氮气，在150mldmf中，依次加入中间体a2(0.03mol)、吩嗪硼酸酯(0.036mmol)和醋酸钯(0.0003mol)，加入中，混合搅拌，然后加入k3po4(0.045mol)水溶液，在温度130℃下回流反应10h。自然冷却至室温，加水100ml，将所得混合物过滤并在真空烘箱中干燥。将所得残余物过硅胶柱进一步分离纯化，得到中间体h4-1；
第二步：氮气氛围保护下，在100ml甲苯中，加入中间体h4-1(0.03mol)、4-溴-吡啶(0.042mol)、pd2(dba)3(0.00018mol)、叔丁醇钠(0.00018mol)和三叔丁基磷(0.00018mol)，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液加热回流10-15小时；取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得化合物h4。
化合物h4元素分析结构(分子式c50h33n9)：理论值：c,79.03；h,4.38；n,16.59。测试值：c,79.03；h,4.36；n,16.61。通过液相质谱联用分析得esi-ms(m/z)(m+)：理论值为759.29，测试值为759.86。
化合物h8的合成
第一步：250ml三口瓶中，通入氮气，在150mldmf中，依次加入中间体a3(0.03mol)、二苯胺硼酸酯(0.036mmol)和醋酸钯(0.0003mol)，加入中，混合搅拌，然后加入k3po4(0.045mol)水溶液，在温度130℃下回流反应10h。自然冷却至室温，加水100ml，将所得混合物过滤并在真空烘箱中干燥。将所得残余物过硅胶柱进一步分离纯化，得到中间体h8-1；
第二步：氮气氛围保护下，在100ml甲苯中，加入中间体h8-1(0.03mol)、4-溴-吡啶(0.042mol)、pd2(dba)3(0.00018mol)、叔丁醇钠(0.00018mol)和三叔丁基磷(0.00018mol)，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液加热回流10-15小时；取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得化合物h8。
化合物h8元素分析结构(分子式c53h32n10)：理论值：c,78.70；h,3.99；n,17.31。测试值：c,78.70；h,4.01；n,17.29。通过液相质谱联用分析得esi-ms(m/z)(m+)：理论值为808.28，测试值为808.89。
按照与化合物h8合成类似的方法，得到化合物h6、h7、h11和h12。
化合物h9的合成
第一步：250ml三口瓶中，通入氮气，在150mldmf中，依次加入中间体a4(0.03mol)、吩嗪硼酸酯(0.036mmol)和醋酸钯(0.0003mol)，加入中，混合搅拌，然后加入k3po4(0.045mol)水溶液，在温度130℃下回流反应10h。自然冷却至室温，加水100ml，将所得混合物过滤并在真空烘箱中干燥。将所得残余物过硅胶柱进一步分离纯化，得到中间体h9-1；
第二步：氮气氛围保护下，在100ml甲苯中，加入中间体h9-1(0.03mol)、4-溴-吡啶(0.042mol)、pd2(dba)3(0.00018mol)、叔丁醇钠(0.00018mol)和三叔丁基磷(0.00018mol)，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液加热回流10-15小时；取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得化合物h9。
化合物h9元素分析结构(分子式c43h30n8)：理论值：c,78.40；h,4.59；n,17.01。测试值：c,78.40；h,4.57；n,17.03。通过液相质谱联用分析得esi-ms(m/z)(m+)：理论值为658.26，测试值为658.75。
按照与化合物h9合成类似的方法，得到化合物h10。
化合物h16的合成
第一步：250ml三口瓶中，通入氮气，在150mldmf中，依次加入中间体a2(0.03mol)、咔唑硼酸酯(0.036mmol)和醋酸钯(0.0003mol)，加入中，混合搅拌，然后加入k3po4(0.045mol)水溶液，在温度130℃下回流反应10h。自然冷却至室温，加水100ml，将所得混合物过滤并在真空烘箱中干燥。将所得残余物过硅胶柱进一步分离纯化，得到中间体h16-1；
第二步：氮气氛围保护下，在100ml甲苯中，加入中间体h16-1(0.03mol)、4-溴-联吡啶(0.03mol)、pd2(dba)3(0.00018mol)、叔丁醇钠(0.00018mol)和三叔丁基磷(0.00018mol)，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液加热回流10-15小时；取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得化合物h16-2。
第三步：氮气氛围保护下，在100ml甲苯中，加入中间体h16-2(0.03mol)、4-溴-萘(0.03mol)、pd2(dba)3(0.00018mol)、叔丁醇钠(0.00018mol)和三叔丁基磷(0.00018mol)，搅拌混合物，将上述反应物的混合溶液加热回流10-15小时；取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得化合物h16。
化合物h16元素分析结构(分子式c43h30n8)：理论值：c,78.78；h,3.99；n,17.23。测试值：c,78.40；h,3.98；n,17.24。通过液相质谱联用分析得esi-ms(m/z)(m+)：理论值为731.8，测试值为731.75。
按照与化合物h16合成类似的方法，得到化合物h13、h14和h15。
根据本发明的又一方面，提供了一种有机发光显示装置，包括有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：
有机功能层，所述有机功能层包括一层或多层有机膜层，且至少一层所述有机膜层为发光层；
所述有机功能层包含如上所述的化合物。
根据本发明的一个实施方式，所述发光层的磷光主体材料包含如上所述的化合物。当所述发光材料作为发光层的主体材料时，所述客体材料选自bczvbi、香豆素-6、dcjtb等。
根据本发明的一个实施方式，所述发光层的掺杂材料包含如上所述的化合物。
根据本发明的有机功能层还可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子阻挡层(ebl)、空穴阻挡层(hbl)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)。
根据本发明的一个实施方式，所述有机功能层包含电子传输层，且所述电子传输层材料包含如上所述的化合物。
根据本发明的一个实施方式，所述有机功能层包含空穴传输层，且所述空穴传输层材料包含如上所述的化合物。
根据本发明的一个实施方式，所述有机功能层包含盖帽层cpl，且所述盖帽层材料包含如上所述的化合物。
根据本发明的一个实施方式，所述有机电致发光器件还包括：
第一电极；
设置于所述有机功能层上的第二电极；
所述有机功能层设置于第一电极上。
根据本发明的阳极材料可以是金属，例如铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂等；可以是合金，例如金属氧化物-氧化铟、氧化锌、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等；可以是导电性聚合物，例如聚苯胺、聚吡咯、聚(3-甲基噻吩)等。除了上述这些有助于空穴注入的材料及其组合外，还可以是其他已知的适合做阳极的材料。
根据本发明的阴极材料可以是金属，例如铝、镁、银、铟、锡、钛等；可以是合金，例如多层金属材料-lif/al、lio2/al、baf2/al等；除了上述有助于电子注入的材料及其组合外，还可以是其他已知的适合做阴极的材料。
根据本发明的有机电致发光器件的结构如图2所示，其中，基底1为玻璃或其他适合材质(如塑料)；第一电极2为ito或igzo等透明电极；有机功能层3包括一层或多层有机膜层；第二电极4为金属阴极。其中，第一电极2和第二电极4可互换，即第一电极2为金属阴极，第二电极4为ito或igzo等透明电极。
优选地，所述有机电致发光器件采用真空蒸镀法制备得到。
ito/空穴注入层(厚度：10nm；材料：三氧化钼moo3)/空穴传输层(厚度：80nm；材料：tapc)/发光层(厚度：30nm：材料：化合物9和ir(ppy)3，100:10的重量配比)/电子传输层(厚度：40nm；材料：tpbi化合物)/电子注入层(厚度：1nm；材料：lif)/a1。
具体制备流程如下：
对ito透明电极(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥后再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ito表面的有机残留物。然后将经清洗的ito玻璃安装在真空室中，调节基准压力至1×106托。将蒸镀膜厚为10nm的三氧化钼moo3作为空穴注入层使用，紧接着蒸镀80nm厚度的tapc作为空穴传输层。上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作oled发光器件的发光层，使用本发明的化合物h9作为主体材料，ir(ppy)3作为掺杂材料，掺杂重量比为1:10，发光层总厚度为300nm。在上述发光层之后，蒸镀40nm厚的空穴阻挡/电子传输层材料tpbi，以及膜厚为1nm的电子注入层材料氟化锂(lif)。最后，制作膜厚为80-100nm的铝(al)层，作为阴极反射电极使用。
如上所述地完成oled发光器件后，用既知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的发光效率、发光光谱以及器件的电流-电压特性。所得器件结构组成如图2所示；所得器件的测试结果见表3所示。
根据本发明的一个实施方式，所述有机电致发光器件采用溶液加工法制备得到。
制备非掺杂器件的具体步骤包括：将ito玻璃依次使用丙酮、碱性洗液、超纯水、异丙醇各超声清洗两次，每次15分钟，然后用臭氧清洗机处理15分钟。向玻璃基底上旋转涂布40nm厚的pedot:pss溶液，放置于真空烘箱120℃下45分钟烘干，然后涂布根据本发明的化合物的邻二氯苯溶液(浓度为12mg/ml)作为发光层，厚度为40nm。将基片转移到真空腔室进行热蒸发镀膜，制备电子传输层(tmpypb，50nm)、电子注入层(lif，0.5-1nm)和阴极(al，100nm)，形成完整的器件。
制备掺杂器件的步骤还包括：分别配制主体发光材料和客体发光材料的邻二氯苯溶液(浓度为12mg/ml)，用移液枪移取50ul(5％)的客体材料溶液加入到主体材料溶液中，磁力搅拌均匀后涂布发光层。其他均与制备非掺杂器件的具体步骤相同。
优选地，所述溶液加工法为喷墨打印法。
根据本发明的有机发光显示装置例如可以是手机显示屏、电脑显示屏、液晶电视显示屏等，本实施例对比不作特殊限定。图3为手机显示屏的示意图，其中，5表示显示屏。
由此可见，根据本发明的化合物和有机发光显示装置的可选因素较多，根据本发明的权利要求可以组合出不同的实施例。本发明的实施例仅作为对本发明的具体描述，并不作为对本发明的限制。下面将结合含有本发明的化合物的有机电致发光器件作为实施例对本发明进行进一步描述。
实施例1～16
运用密度泛函理论(dft)，针对化合物h1至化合物h16，利用gaussian09程序包在b3lyp/6-31g(d)泛函基组下，优化并计算得到了分子前线轨道的分布情况。
图1示出了化合物h3的轨道排布情况，其中，图1中的(a)为化合物h3的homo能级分布图，图1中的(b)为化合物h3的lumo能级分布图。从图1中可以明显看出，化合物h3的homo和lumo分别排布在不同的单元上，实现了供体和给体之间较好的分离，这有利于给体和供体基团之间的共振，减小系间能差△est，从而提高单线态到三线态的系间穿越能力。
实施例1～16的相关数据如表2所示。由表2可以看出，本案设计的材料三线态能级较高，均大于2.70ev，同时所有化合物的△est相对较小，实现了较小的单线态和三线态能级差，利于有机功能层之间的载流子传输。(表2中，et表示三线态能级，△est表示单线态和三线态能级差。)
表2化合物h1～h16的相关性能数据
真空蒸镀法制备的器件
将化合物h1作为发光材料，设计了非掺杂器件n1，结构为：ito(150nm)/moo3(10nm)/tapc(80nm)/h1(30nm)/tpbi(40nm)/lif(1nm)/al(100nm)。
将化合物h1至h16作为主体材料，ir(ppy)3作为客体材料，设计了掺杂器件n1至n16，结构为：ito(150nm)/moo3(10nm)/tapc(80nm)/h1(30nm)/ir(ppy)3(50nm)/tpbi(40nm)/lif(1nm)/al(100nm)。
上述器件的相关数据如表3所示。由表3可以看出，以h1为主体发光材料的非掺杂器件n1取得了9.65％的最大外量子效率，这说明，对称连接方式使得材料呈现高度扭曲的立体构型，增大空间位阻，极大减弱了由π-π堆积(π-πstacking)导致的三线态激子淬灭问题，从而获得了较为满意的器件性能。
由表3可以看出，n1(掺杂)器件的最大外量子效率可达14.99％，相对于非掺杂器件eqe(max)(％)提高约45％。这主要得益于h1材料自身较高的et以及相对小的△est特性，利于主体材料与客体材料之间载流子的传输和复合，提高了器件效率。n1(掺杂)器件～n16(掺杂)器件的eqe(max)(％)均在14％以上，且具有较为纯正的蓝光发射。(表3中，v表示工作电压，el(max)表示最大电流效率，eqe(max)表示最大外量子效率。)
表3真空蒸镀法制备的器件性能结果
溶液法制备的器件
将化合物h1作为发光材料，设计了非掺杂器件n17，结构为：ito(100nm)/pedot:pss(40nm)/h1(40nm)/tmpypb(50nm)/lif(0.5nm)/al(100nm)。
将化合物h1至h16作为主体材料，bczvbi作为客体材料，设计了掺杂器件n17至n32，结构为：ito(100nm)/pedot:pss(40nm)/h1(40nm)/bczvbi(50nm)/tmpypb(50nm)/lif(0.5nm)/al(100nm)。
上述器件的相关数据如表4所示。由表4可以看出，以h1为主体发光材料的非掺杂器件n17取得了7.64％的最大外量子效率，这说明，邻位连接方式使得材料呈现高度扭曲的立体构型，增大空间位阻，极大减弱了由π-π堆积(π-πstacking)导致的三线态激子淬灭问题，从而获得了较为满意的器件性能。
由表4可以看出，n17(掺杂)器件的最大外量子效率可达12.02％，相较于非掺杂器件eqe(max)(％)提高约40％。这主要得益于h1材料自身较高的et以及相对小的△est特性，利于主体材料与客体材料之间载流子的传输和复合，提高了器件效率。n17(掺杂)器件～n32(掺杂)器件的eqe(max)(％)均在11％以上，且具有较为纯正的蓝光发射。(表4中，v表示工作电压，el(max)表示最大电流效率，eqe(max)表示最大外量子效率。)
表4溶液法制备的器件性能结果
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。