技术特征：
1.一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：准备原料，原料的重量组分分别为聚对苯二甲酸丁二醇酯60～80份，聚对苯二甲酸乙二醇酯20～40份，相容剂5～10份，碳纳米管5～8份，fe3o4纳米线5～10份，石墨烯3～5份，纳米银线1～5份，表面处理剂0.6～1份，抗氧剂0.5～1份；步骤二：将上述原料混合均匀后加入到双螺杆共混造粒机内，由双螺杆共混造粒机将组分进行熔融混合成颗粒状，双螺杆共混造粒机的加热温度为280度，真空度为100pa；步骤三：将混料送入至干燥塔内进行烘干结晶，干燥塔预热温度为175℃，干燥至含水率≤200ppm；步骤四：干燥后的混料通过熔融挤出设备中挤出成型后以72℃/min速度冷却，将冷却后的固体在110-115℃条件下进行纵向拉伸，在130-145℃条件下进行横向拉伸，在200-235℃进行热定型，得到抗静电聚酯薄膜。2.根据权利要求1所述的一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，fe3o4纳米线通过以下制备方法得到：步骤一：称取硫代硫酸钠和硫酸亚铁加入peg和水的混合溶液中，用naoh调节ph为1l，然后倒入反应釜内衬中；步骤二：密封反应釜，在180℃下保温8h，反应结束冷却至室温；步骤三：将黑色沉淀物用去离子水洗涤，去除多余的离子杂质，用磁铁进行沉降收集，60℃真空干燥，得到fe3o4纳米线。3.根据权利要求1所述的一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，所述石墨烯的制备方式为将氧化石墨在600-1000℃，0.5-3min条件下还原剥离。4.根据权利要求1所述的一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，所述纳米银线的制备步骤为：在10-400ml0.1-0.5mmfecl3的乙二醇溶液中，加入0.15-0.75m的pvp，搅拌至pvp完全溶解后，再逐滴加入10-400ml0.1-0.5m的agno3溶液，搅拌10-20分钟，然后把混合液转移至水热合成反应釜内，在160℃下反应2-4小时，自然冷却，即得到纳米银线。5.根据权利要求1所述的一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，所述相容剂由马来酸酐接枝丙烯腈-丁二烯-苯乙烯三元共聚物、马来酸酐接枝乙烯-辛烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈-甲基丙烯酸缩水甘油酯三元无规共聚物中的一种或多种按任意配比混合组成。6.根据权利要求1所述的一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，所述表面处理剂由硅烷偶联剂、甲基硅油、硅酮粉中的一种或多种按任意配比混合组成。7.根据权利要求1所述的一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，所述抗氧剂由抗氧剂1010、抗氧剂168中的一种或两种按任意配比混合组成。8.根据权利要求1所述的一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管直径10-15nm，长度1-10μm；fe3o4纳米线直径20-50nm，长度10-50μm。9.根据权利要求1所述的一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，所述石墨烯的厚度为0.35～20nm，直径为1～20μm。10.根据权利要求1所述的一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，其特征在于，所述纳米银线的直径为40～500nm，长度为5～50μm。
技术总结
本发明公开了一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤一：准备原料，原料的重量组分分别为聚对苯二甲酸丁二醇酯70份，聚对苯二甲酸乙二醇酯30份，相容剂7.5份，碳纳米管6.5份，Fe3O4纳米线7.5份，石墨烯4份，纳米银线3份，表面处理剂0.8份，抗氧剂0.75份；步骤二：将上述原料混合均匀后加入到双螺杆共混造粒机内进行熔融混合成颗粒状；步骤三：将混料送入至干燥塔内进行烘干结晶；步骤四：干燥后的混料通过熔融挤出设备中挤出成型后以冷却，将冷却后的固体进行纵向拉伸和横向拉伸，最后热定型，得到抗静电聚酯薄膜。本发明制备的抗静电聚酯薄膜通过四种填料实现了在聚合物基体中填料的低接触电阻、高导电网络的有效搭建。有效搭建。
技术研发人员：林壁鹏 赵成海 秦柏威
受保护的技术使用者：深圳市西陆光电技术有限公司
技术研发日：2022.09.05
技术公布日：2022/11/2