肟的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及制造后述的式（II)所示的肟〔以下，有时称作肟化合物（II)。〕的方 法。
【背景技术】
[0002] 肟作为内酰胺的原料、进而合成纤维的原料等而有用。作为制造肟化合物（II)的 方法，例如在国际公开第2005/009613号中记载了在肼自由基或肼化合物与氧化钛等氧化 促进剂的共存下利用氧使伯胺氧化的方法。
【发明内容】
[0003] 发明所要解决的课题
[0004] 但是，上述方法在肟化合物（II)的选择率的方面未必令人满意。为此，本发明的 目的在于提供以良好的选择率制造肟化合物（II)的方法。
[0005] 用于解决课题的手段
[0006] 本发明人等为了解决上述课题而进行深入研宄，结果完成了本发明。
[0007] SP，本发明包括以下的构成。
[0008] (1) 一种下述式（II)所示的肟的制造方法，其特征在于，在层状硅酸盐的存在下 利用氧使下述式（I)所示的胺〔以下，有时称作胺化合物（I)〕氧化。
[0009]
【主权项】
1. 一种下述式（II)所示的肟的制造方法，其特征在于，在层状硅酸盐的存在下利用氧 使下述式（I)所示的胺氫化，
式（I)中，R1及R2分别独立地表示氢原子、可以被取代的烃基或可以被取代的杂环基， 其中，R1及R2不同时为氢原子，或者R1及R2与R 1及R2所键合的碳原子一起形成可以被取 代的碳数3~12的脂环式烃基，
式（II)中，R1及R2分别表示与上述相同的含义。
2. 根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述层状硅酸盐为蒙脱石类。
3. 根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述层状硅酸盐含有选自氢离子、铵离 子、季铵离子、第4族金属元素的阳离子、第5族金属元素的阳离子、第6族金属元素的阳离 子、锗离子、带正电荷的第4族金属元素的氧化物、带正电荷的第5族金属元素的氧化物、带 正电荷的第6族金属元素的氧化物及带正电荷的氧化锗中的至少一种。
4. 根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述层状硅酸盐含有选自第4族金属元 素的阳离子、锗离子、带正电荷的第4族金属元素的氧化物及带正电荷的氧化锗中的至少 一种。
5. 根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述层状硅酸盐含有选自钛离子、锗离 子、带正电荷的氧化钛及带正电荷的氧化锗中的至少一种。
6. 根据权利要求3~5中任一项所述的制造方法，其中，所述层状硅酸盐还含有选自第 8族金属元素的阳离子、第9族金属元素的阳离子、第10族金属元素的阳离子、第11族金属 元素的阳离子、第12族金属元素的阳离子、第13族金属元素的阳离子、带正电荷的第8族 金属元素的氧化物、带正电荷的第9族金属元素的氧化物、带正电荷的第10族金属元素的 氧化物、带正电荷的第11族金属元素的氧化物、带正电荷的第12族金属元素的氧化物、带 正电荷的第13族金属元素的氧化物及带正电荷的硅的氧化物中的至少一种。
7. 根据权利要求1~6中任一项所述的制造方法，其中，所述层状硅酸盐是在150~ 600 °C下被烧成得到的硅酸盐。
8. -种下述式（III)所示的酰胺的制造方法，其特征在于，使利用权利要求1~7中任 一项所述的制造方法所制造的所述式（II)所示的肟发生贝克曼重排反应，
式（III)中，R1及R2分别独立地表示氢原子、可以被取代的烃基或可以被取代的杂环 基，其中，R1及R2不同时为氢原子，或者R1及R2与R 1所键合的氮原子和R2所键合的碳原子 一起形成可以被取代的碳数3~12的脂肪族杂环。
【专利摘要】本发明提供以良好的选择率制造肟化合物的方法。本发明提供一种下述式(II)所示的肟的制造方法，其特征在于，在层状硅酸盐的存在下利用氧使下述式(I)所示的胺〔以下，有时称作胺化合物(I)〕氧化。[式(I)中，R1及R2分别独立地表示氢原子、可以被取代的烃基或可以被取代的杂环基(其中，R1及R2不同时为氢原子。)，或者R1及R2与R1及R2所键合的碳原子一起形成可以被取代的碳数3～12的脂环式烃基。](式(II)中，R1及R2分别表示与上述相同的含义)。
【IPC分类】C07C251-44, C07D201-04, C07B61-00, C07C249-04
【公开号】CN104870420
【申请号】CN201380067841
【发明人】星野正大, 菊地悠太, 辻内翔
【申请人】住友化学株式会社
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2013年12月12日
【公告号】WO2014103850A1