专利名称：一种使用具有coc透明基材的光学器件的led光源的制作方法
技术领域：
本实用新型属于LED照明技术领域，尤其是光过滤技术和LED荧光 粉的涂敷方法。具体涉及溅射镀膜技术。
背景技术：
随着超高亮LED的出现，其效率越来越高，且价格逐渐下降。同时 LED具有寿命长、耐震动、发光效率高、无干扰、不怕低温、无汞污染问 题和性价比高等特点，是被半导体行业看好的替代传统照明器具的一大潜 力商品。超高亮度LED大大扩展了 LED在各种信号显示和照明光源领域 中的应用，如汽车内外灯、各种交通信号灯，室内外信息显示屏和背光源。 将LED产品用于照明，将为LED提供更广阔的应用空间。
形成白光LED的一种传统方式是蓝光或紫外芯片激发覆盖在芯片上 面的荧光粉，芯片在电驱动下发出的光激发荧光粉产生其它波段的可见光， 各部分混色形成白光。
靠荧光粉激发形成白光的LED芯片由III-V族化合物半导体GaN材料 制作合成。其中用于GaN芯片的衬底材料有A1203和SiC ，芯片可发出蓝 光、紫外光或其它短波^歐的光。
用于形成白光LED的焚光粉一般有YAG焚光粉(用于蓝光芯片激发 YAG荧光粉)和RGB荧光粉(用于紫外芯片激发RGB荧光粉)。其中采用 YAG荧光粉激发形成白光的方式最为普遍。
典型的白光LED封装结构对于小功率白光LED， LED芯片被放置 在支架中的反光碗内，支架既作为反光碗的载体又作为电极和电极引脚使 用，同时还提供了芯片热量扩散的通道。芯片放置于反光碗的中央，根据 芯片电极的设置不同，而在碗杯底部涂上银胶或绝缘胶(对于顶部单电极的 芯片，.底部涂导电的银胶，而对于顶部双电极的芯片，底部涂绝缘胶)，它 们既可以黏附并固定芯片又可实现芯片和电极间良好的欧姆接触；芯片的 电极通过金属线焊接与支架的另一电极相连，在GaN蓝色发光芯片上涂敷 约lOOum厚的钇铝石榴石(YAG)黄色荧光粉层，最后整个支架和芯片用环 氧树脂密封封接，中间不留空气。芯片发出的蓝光与焚光粉充分的作用而 激发荧光粉发出黄光，使黄光再与从荧光粉层透出的黄色光相混合形成白 光。而在荧光粉涂敷工艺方面，靠直接填充杯碗覆盖芯片的传统荧光粉涂敷方式由于工艺不可控而造成光色不均，并且直接填充杯碗的荧光粉涂敷 方式由于激发时局域热量的产生而使得荧光粉转化效率降低。在
US5962971 A、 US5959316 A、 US6294800(B1)等一系列专利及文献中用到 了荧光粉远域激发，LED生产厂商Lumileds、 Osram、 HP等公司均提出了 各自的荧光粉远域激发方案。荧光粉远域激发即荧光粉与芯片之间有一段 距离，荧光粉与芯片不直接接触，这种远场荧光粉涂敷方式有利于提高出 光效率和提高白光LED器件的性能。但是，采用树脂或硅胶的调荧光粉的 传统涂敷方式在用量上精确控制较难，使得成批做出的LED光色差别较大， 颜色可控性较差。
随着LED光源的应用范围越来越广泛，LED光源的光辐射危害问题
'必须力0以重#见。
光辐射危害主要是指不同波段的光对人体的过度照射导致的危害，主 要是对人眼和皮肤，如皮肤和眼睛的光化学危害、眼睛的近紫外危害、视 网膜蓝光光化学危害、视网膜无晶状体光化学危害、视网膜热危害和皮肤 热危害等，而两者之中更容易受到伤害的是眼睛。近年来，随着大功率LED 的曰益增加，LED的亮度越来越高，辐射危害性也越来越强。
在光辐射的波^1范围中，紫色、近紫外、紫外的短波长和近红外、红 外的长波长波段更易引起生物危害。
光辐射对眼睛的危害如下1)当人体受到一定时间的紫外辐射照射， 会引起光致角膜炎和光致结膜炎；2)长期的紫外光照射会引发白内障；3) 强烈的光辐射照射能导致视网膜灼伤，造成这种危害的效果最明显的波段 是435 440nm; 4)伴随着视网膜热危害，光辐射能对视网膜造成光化学危 害，甚至能够引发视网膜炎，波长440nm的光危害最大；5)长期受到红 外辐射影响会引发白内障，危害最大的波段是780 1400nm。
而对于皮肤，光辐射所造成的伤害有l)耐久晒黑，导致皮肤发红和 发痛的最显著的波段是320nm以下的紫外辐射；2)皮肤老化，长期的光 辐射能加速皮肤老化，呈现干燥、粗糙、皮革状和皱紋累累的外观；3)皮 肤癌，长期接受紫外辐射导致的最严重结果是引发皮肤癌。
目前国际国内在光辐射安全的测试评价方面已经制定了多个相应的标 准。但是LED是区别与传统非相干光源和激光等相干光源的新型光源，对 于LED的光辐射危害的测试与评价方法的研究目前还处于起步阶段。
由于LED在照明领域的不断发展，C正(国际照明委员会)在最新版 的CIE S 009/E:2002标准中对LED的安全性做出了 *见定。对LED造成皮肤 和眼睛的光化学危害、眼睛的近紫外危害、视网膜蓝光光化学危害、视网
6膜无晶状体光化学危害、视网膜热危害和皮肤热危害等危害的曝辐限值做
出了规定。CIE S 009/E:2002标准出台之后，正C于2002年全部引用，并 与2006年据此出版新标准IEC-62471 ，于2007年发布IEC 60825-2007,其
重要性可见一斑。
国内，针对于普通非相干、宽波段的灯与灯系统的国家标准"灯与灯 系统的光生物安全性"已于2006年正式实施(GB/T20145-2006),该标准 对各种灯具的光生物安全性给予指导。
由此，LED照明技术领域中的光过滤技术工艺和材料成为一项重要的 的学科。
有关LED光源的专利文献很多，但是未有对紫色、近紫外、紫外和近 红外、红外波段过滤的专利。
实用新型内容
本实用新型提供一种使用具有COC (Cyclic Olefin Copolymer,环烯烃 共聚物)透明基材的光学器件的LED光源。
如图1所示，本实用新型使用具有COC透明基材的光学器件的LED 光源，包括具有至少一个LED芯片11的LED器件1,以及安装在LED器 件上的具有COC透明基材的光学器件2,其中LED芯片发出的光经光学 器件射到外部；光学器件可以在封装LED器件1时就加入，也可以在对 LED器件进行二次封装时安装，又或者多个LED器件共同使用一个光学器 件。
LED器件可以为单色或多色，单色是在LED器件中封装某一种发射 波长的LED芯片，使其发出一种颜色的光， 一个LED器件内至少有一个 LED芯片；多色则是将多种不同发射波长的LED芯片共同封装在一个LED 器件中，如红、蓝、绿三色芯片共同封装或其它颜色芯片组合的共同封装。
具有COC透明基材的光学器件是由COC成型的透明基材进行镀膜形 成，膜层包括了荧光粉膜层和截止紫外线和红外线的膜层。LED光源工作 时，由蓝光或紫外芯片激发光学器件上面的荧光粉膜层，芯片在电驱动下 发出的光激发荧光粉产生其它波段的可见光，各部分混色形成白光；截止 紫外线和红外线的膜层能够吸收波长小于445nm的短波长范围和波长大于 700nm的长波长范围内的光。
本实用新型还提供一种具有COC透明基材的光学器件。
具极优异的光学性，高透明度与耐热性(高玻璃转移温度)，质轻， 低吸湿，耐热及优异的加工流动性、高耐热高光学特性、绝佳阻水、阻气性及耐酸碱溶剂等特性，比较适合用于LED光源的光学器件。
具有COC透明基材的光学器件由COC成型的透明基材进行镀膜，包
括由COC成型的任意曲面的透镜，或者任意薄膜片，或者任意立体几何形
状作为透明基材；其特征是由COC成型的透明基材表面镀荧光粉膜层和
截止紫外线和红外线的膜层。
所述的焚光粉膜层为荧光粉镀膜形成。荧光粉包括以下任何一种或以
下任意几种组合
1) 铝酸盐系列荧光材料，包括^f旦不限于
YAG荧光粉、含掺杂物的YAG荧光粉，可用于白光LED,波长可调， 激发光为绿色、黄绿色、黄色或橙黄色荧光粉。
2) 硅酸盐系列荧光材料，包括但不限于
含有稀土、硅、碱土金属、卣素、氧，以及铝或镓的硅酸盐荧光粉， 在蓝光、紫光或紫外光激发下发出峰值在500~600nm的宽带可见光，半 峰宽大于30nm;
由碱土金属、稀土、过渡金属、卣族元素等多种元素组合而成的荧光 粉，可以^皮作为激发光源的发射光谱在240~510nm的紫外-绿光区域的 发光元件激发，发出峰值在430 ~ 630范围内的发射光谱，可呈现蓝、蓝绿、 绿、黄绿、黄、黄红、红、白颜色的光；
铕激活的碱土金属磷硅酸盐荧光粉，发射波长范围在蓝绿到黄橙光； 适合于220 ~ 530nm激发的黄色荧光粉；和波长大于565nm的桔黄色 硅酸盐焚光粉。
3) 氮化物/氮氧化物系列荧光材料，包括但不限于
适于被420 ~ 470nm的LED芯片激发的荧光粉，产生黄光-红光的发
射；
可被500nm以下的光有效激发的荧光粉，得到520 ~ 780nm的宽谱发
射；
在紫外和蓝光激发下可产生黄红色或红光发射的荧光粉； 主要以发射绿光为主的荧光粉，通过调整碱土金属的比例可适当调节 发射主峰的位置；
可被蓝光和/或紫外线(380 ~ 480nm)激发产生黄绿光的荧光粉； 发射波长为550 ~ 610nm的荧光粉； 多项发黄绿光、黄光或红光的a-赛隆型焚光粉；
在250 ~ 500nm波长的紫外、可见光或电子射线激发后会发出在500 ~ 600nm的绿光的荧光砵分。4)其它焚光材料，包括但不限于
一种可被紫外光和近紫外光激发的荧光粉，有较宽的激发光谱，可被 在300-420nm的光线有效激发；通过改变组分和4参杂浓度，可以改变色坐 标；
一种红色荧光粉，其激发带与蓝光氮化镓LED的发射峰重叠，能够有 效被激发，主发射波长位于612nm附近；
一种可被紫外、紫光或蓝光LED有效激发而发红光，且在紫外激发时 另 一发射峰从红光到绿光可调的荧光粉；
一种荧光粉，通过波长为220至550nm的可见光或UV辐射被有效地 激发以获得希望的光发射，尤其是高效地发红光；
一种被LED激发时发出主峰位置612nm红光的萸光粉；
一种在300~500nm紫外或蓝光LED激发下发黄光的焚光4分。
所述的荧光粉膜层厚度为10~500微米。
所述的荧光粉膜层可以不止一层，可根据需要依一定次序镀若干层相 同或不同的萸光寿分膜层。
所述的截止紫外线和红外线的膜层包括紫外线截止膜层和红外线截止 膜层。
所述的紫外线截止膜层为氧化钛 一 氧化铈膜层，氧化钛和氧化铈的 质量比例为10~卯％ : 10~90%。所述的紫外线截止膜层厚度为10- 500纳 米；其滤波波长范围i殳定为445nm以下。
所述的红外线截止膜层由两种高、低折射率材料薄膜相互间隔堆叠而 成；该高折射率材料薄膜由五氧化二钽形成；该低折射率材料薄膜由二氧 化硅形成。所述的红外线截止膜层厚度为10~500纳米；其滤波波长范 围i殳定为大于700nm。
其中紫外线截止膜层和红外线截止膜层均可以不止一层，可根据需要 依一定次序镀若干层紫外线截止膜层和红外线截止膜层。
本实用新型使用具有COC透明基材的光学器件的LED光源，可以制 造任何形状的照明灯具，并且符合IEC 60825-2007和IEC 62471-2006，以 及光辐射安全国家标准GB/T20145-2006 "灯与灯系统的光生物安全性"。 本实用新型的LED光源可提高出光效率和提高白光LED器件的性能，避 免荧光粉受热老化，并且提高批量产品在光色上的一致性。由于本实用新 型的LED光源已经过滤了生物危害性较高的波段内的光辐射，因此，当该 LED光源使用时，就不需要另外附加过滤装置来降低光辐射危害。
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图1是本实用新型使用具有COC透明基材的光学器件的LED光源的
结构剖面示意图2是本实用新型LED光源的一实施例的光谱成分示意图3是透过本实用新型具有COC透明基材的光学器件的入射光波长
一入射光透射百分比的曲线图4是本实用新型另 一实施例的LED光源的剖面示意图5、图6、图7、图8是本实用新型LED光源的三种实施例的光谱
成分示意图9是本实用新型又一实施例多个LED器件共同使用一个光学器件 形成的LED光源的示意图IO是本实用新型又一实施例 一种灯具的示意图11是适用了本实用新型LED光源作为液晶电视背光源的示意图。
具体实施方式
实施例一
请参阅图1, 一个LED器件l,其中封装了一个LED芯片11， 一个光 学器件2位于LED芯片ll上方，并固定。
工作时，LED芯片11发出的光必须通过光学器件2后才能发射到外 部，由蓝光激发光学器件上面的荧光粉膜层，芯片在电驱动下发出的光激 发荧光粉产生其它波段的可见光，各部分混色形成白光；并由光学器件对 LED芯片发出的波长小于445nm和大于700nm范围内的光过滤。
LED芯片11发射主波长范围一般是420nm 480nm，光学器件上的荧 光粉膜层的成分为可激发黄光的铝酸盐YAG荧光粉。LED芯片发出的蓝 光通过光学器件并激发光学器件上的荧光粉膜层， 一部分蓝光转变为黄光； 蓝光和黄光混和就产生了白光，色坐标、色温取决于蓝光和黄光的比例。 LED光源的光谱成分如图2所示，透过光学器件的入射光波长一入射光透 射百分比的曲线如图3所示。
本实施例中，COC透明基材为圓形平板状薄片。
卖施例二
与实施例一基本相同，不同的是光学器件由COC透明基材成型为圆形 透镜曲面，如图4所示；又或是成型为方形透镜曲面，再进行清洗和镀膜。 实施例三
与实施例一基本相同，不同的是一个LED器件中，封装了多个同波长的LED芯片，如两个蓝光芯片共同封装，发射主波长范围一般是 420nm 480nm。
LED芯片发出的蓝光通过光学器件并激发光学器件上的荧光粉膜层， 一部分蓝光转变为黄光；蓝光和黄光混和就产生了白光，色坐标、色温取 决于蓝光和黄光的比例。并由光学器件对LED芯片发出的波长小于445nm 和大于700nm范围内的光过滤。LED光源的光谱成分如图2所示。
实施例四
与实施例一基本相同，不同的是一个LED器件中，封装了多个不同波 长的LED芯片。使用红光LED芯片和蓝光LED芯片共同封装在同 一个器 件中。光学器件上镀的荧光粉膜层成分为能由蓝光激发出绿光的硅酸盐或 氮化物焚光粉。将硅酸盐或氮化物焚光粉材料烧结制作成靶材，对COC透 明基材进行磁控溅射镀膜。
所述的蓝光LED芯片的发射主波长范围一般是380nm 480nm;红光 LED芯片的发射主波长范围一般是580nm 700nm;由蓝光激发荧光粉所发 射的绿色光的峰值波长范围一般是4卯nm 570nm。
LED光源中，两种LED芯片发出的蓝色、红色光以及荧光粉激发的 绿色光混合后，形成白光。这三种光成分理想地在光谱中形成互补，可在 高光效下实现高的显色性能。LED光源的光谱成分如图5所示。
LED光源的色坐标、色温取决于光源中的几种颜色光的比例。在LED 光源的光成分中，各种颜色的光所占的比例根据需要而定。可通过配置两 种芯片的数量和光学器件上荧光粉膜层的浓度、厚度，或者通过分别调节 LED芯片的工作电流来改变两种芯片的发光亮度，以改变整个光源的光谱 成分。在这个LED光源中，红光一般在总光强或总光通量中占有大于百分 之一比例，具体根据使用需要而定，如红光占5% 20%，或30% 40%，或 其他任意比例。
实施例五
与实施例一基本相同，不同的是一个LED器件中，封装了多个不同波 长的LED芯片。使用绿光LED芯片和蓝光LED芯片共同封装在同 一个器 件中。光学器件上镀的荧光粉膜层成分为能由蓝光激发出红光的氮化物荧 光粉。将氮化物荧光粉材料烧结制作成靶材，对COC透明基材进行磁控溅 射镀膜。
所述的蓝光LED芯片的发射主波长范围一般是380nm 480nm;绿光 LED芯片的发射主波长范围一般是490nm 540nm;由蓝光激发荧光粉所发
射的红色光的峰值波长范围一般是580nm 655nm。
liLED光源中，两种LED芯片发出的蓝色、绿色光以及焚光粉激发的 红色光混合后，形成白光。这三种光成分理想地在光谱中形成互补，可在 高光效下实现高的显色性能。LED光源的光谱成分如图6所示。
LED光源的色坐标、色温取决于光源中的几种颜色光的比例。在LED 光源的光成分中，各种颜色的光所占的比例根据需要而定。可通过配置两 种芯片的数量和光学器件上荧光粉膜层的浓度、厚度，或者通过分别调节 LED芯片的工作电流来改变两种芯片的发光亮度，以改变整个光源的光镨 成分。在这个LED光源中，绿光一般在总光强或总光通量中占有大于百分 之一比例，具体根据使用需要而定，如绿光占5% 20%,或30% 40%，或 其他任意比例。
实施例六
与实施例一基本相同，不同的是光学器件，焚光粉膜层中包括可由蓝 光激发出红光的氮化物荧光粉和可由蓝光激发出绿光的硅酸盐或氮化物荧 光粉。将上述两种荧光粉材料按比例混合均匀，并烧结制作成靶材，对COC 透明基材进行磁控溅射镀膜。
工作时，LED芯片发出的光必须通过光学器件后才能发射到外部，由 蓝光激发光学器件上面的荧光粉膜层，芯片在电驱动下发出的光激发两种 荧光粉材料，分别产生红光和绿光，各部分混色形成白光。这三种光成分 理想地在光谱中形成互补，可在高光效下实现高的显色性能。LED光源的 光谱成分如图7所示。
实施例七
与实施例六基本相同，不同的是光学器件，两种荧光粉材料分别烧结 制作成靶材，先由硅酸盐或氮化物焚光粉靶材对COC透明基材进行磁控溅 射镀膜，在此基础上，再由氮化物荧光粉靶材进行磁控溅射镀膜；或先由 氮化物荧光粉靶材对COC透明基材进行磁控溅射镀膜，再由硅酸盐或氮化 物荧光粉靶材进行磁控溅射镀膜；或根据需要，依一定次序镀若干层荧光 粉膜层和截止紫外线和红外线的膜层。
实施例/\
与实施例六基本相同，不同的是光学器件，荧光粉膜层中含有三种焚 光粉材料，包括可由蓝光激发出红光的氮化物荧光粉、可由蓝光激发出绿 光的硅酸盐或氮化物荧光粉、可由蓝光激发出黄光的YAG荧光粉。将上述 三种荧光粉材料按比例混合均匀，并烧结制作成靶材，对COC透明基材进 行磁控賊射镀膜。
工作时，LED芯片发出的光必须通过光学器件后才能发射到外部，由蓝光激发光学器件上面的荧光粉膜层，芯片在电驱动下发出的光激发两种 荧光粉材料，分别产生红光、绿光和黄光，各部分混色形成白光。这三种 光成分理想地在光谱中形成互补，可在高光效下实现高的显色性能。LED
光源的光谱成分如图8所示。并由光学器件对LED芯片发出的波长小于 445nm和大于700nm范围内的光过滤。 实施例九
如图9所示，多个LED器件1组合在一起，安装在PCB 3上。在所有 LED器件的出光方向，安装了一个光学器件2。
由多个LED器件共同使用一个光学器件，还包括其他必须元件如 PCB、外壳、电子元件等，构成一个LED光源；整个LED光源的结构才艮 据需要而定。此LED光源工作时，所有LED器件中的LED芯片发出的光 必须通过光学器件后才能发射到外部，由蓝光或紫外芯片激发光学器件上 面的荧光粉膜层，芯片在电驱动下发出的光激发焚光粉产生其它波段的可 见光，各部分混色形成白光。并由光学器件对LED芯片发出的波长小于 445nm和大于700nm范围内的光过滤。
其中LED器件1可以为单色或多色，为单色时，在LED器件中封装 至少一个某一种发射波长的LED芯片，举例如主波长为460nm的蓝光。 为多色时，将多种不同发射波长的LED芯片共同封装在一个LED器件中， 举例如红、蓝两色芯片共同封装或其它颜色芯片组合的共同封装。
实施例十
如图IO所示，是一种灯具的例子，同样是由多个LED器件共同使用 一个光学器件的LED光源。多个LED器件1按照一定规律组合在一起， 外部安装了一个立体球形罩子2,这个罩子是光学器件。此LED光源工作 时，所有LED器件中的LED芯片发出的光经光学器件混合成白光发射到 外部，并由光学器件对LED芯片发出的波长小于445nm和大于700nm范 围内的光过滤。
实施例十一
图ll是适用了本实用新型的实施例一 ~实施例八的LED光源作为液 晶电视背光源系统的示意图。
多个使用具有COC透明基材的光学器件的LED光源4安装在PCB5 上，LED光源均匀排列。
LED光源采用贴片安装(SMT)的形式，PCB上已制作好相应的电路， 使LED光源可以正常工作。
在LED光源的出光方向，依次排列着扩散板6和一 系列光学膜7。工作时，LED光源所发出的光都进入扩散板，经过充分反射混合，再
通过光学膜，其作用是对光线的方向进行整理。最后光线照射到液晶面板 的后表面，形成背光照明。
作为背光源，本实施例可以用于各种液晶显示设备，例如液晶电视、 监控器、显示器，适用于工业、民用、军用等领域。
以上只是本实用新型的优选实施方式进行了描述，本领域的技术人员 在本实用新型技术的方案范围内，进行的通常变化和替换，都应包含在本 实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种使用具有COC透明基材的光学器件的LED光源，其特征在于包括具有至少一个LED芯片的LED器件，以及安装在LED器件上的具有COC透明基材的光学器件，其中LED芯片发出的光经光学器件发射到外部。
2. 根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于所述光学器件在封装LED器件时就加入，或者在对LED器件进行二次封装时安装，又或者多个LED器件共同使用一个光学器件。
3. 根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于LED器件为单色或多色，单色是在LED器件中封装某一种发射波长的LED芯片， 一个LED器件内至少有一个LED芯片；多色是将多种不同发射波长的LED芯片共同封装在一个LED器件中。
4. 根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于所述具有COC透明基材的光学器件是由COC成型的透明基材进行镀膜形成，膜层包括了荧光粉膜层和截止紫外线和红外线的膜层。
5. 根据权利要求4所述的具有COC透明基材的光学器件，由COC成型的透明基材进行镀膜，包括由COC成型的任意曲面的透镜，或者任意薄膜片，或者任意立体几何形状作为透明基材；其特征是由COC成型的透明基材表面镀荧光粉膜层和截止紫外线和红外线的膜层。
6. 根据权利要求5所述的光学器件，其特征是所述的荧光粉膜层为荧光粉镀膜形成。荧光粉包括以下任何一种或以下任意几种组合1) 铝酸盐系列荧光材料，包括但不限于YAG荧光粉、含掺杂物的YAG荧光粉，可用于白光LED，波长可调，激发光为绿色、黄绿色、黄色或橙黄色荧光粉。2) 硅酸盐系列荧光材料，包括但不限于含有稀土、硅、碱土金属、卣素、氧，以及铝或镓的硅酸盐荧光粉，在蓝光、紫光或紫外光激发下发出峰值在500~600nm的宽带可见光，半峰宽大于30nm;由碱土金属、稀土、过渡金属、卣族元素等多种元素组合而成的荧光粉，可以被作为激发光源的发射光谱在240 ~ 510nm的紫外-绿光区域的发光元件激发，发出峰值在430-630范围内的发射光谱，可呈现蓝、蓝绿、绿、黄绿、黄、黄红、红、白颜色的光；铕激活的碱土金属磷硅酸盐荧光粉，发射波长范围在蓝绿到黄橙光；适合于220~ 530nm激发的黄色荧光粉；和波长大于565nm的桔黄色硅酸盐荧光粉。3) 氮化物/氮氧化物系列荧光材料，包括但不限于适于被420 ~ 470nm的LED芯片激发的荧光粉，产生黄光-红光的发射；可被500nm以下的光有效激发的荧光粉，得到520 ~ 780nm的宽谱发射；在紫外和蓝光激发下可产生黄红色或红光发射的荧光粉；主要以发射绿光为主的荧光粉，通过调整碱土金属的比例可适当调节发射主峰的位置；可被蓝光和/或紫外线(380 ~ 480nm)激发产生黄绿光的荧光粉；发射波长为550 ~ 610nm的荧光粉；多项发黄绿光、黄光或红光的a-赛隆型荧光粉；在250~500nm波长的紫外、可见光或电子射线激发后会发出在500 ~600nm的绿光的荧光粉。· 4.)其它荧光材料，包括但不限于一种可被紫外光和近紫外光激发的荧光粉，有较宽的激发光谱，可被在300-420nm的光线有效激发；通过改变组分和掺杂浓度，可以改变色坐标；一种红色荧光粉，其激发带与蓝光氮化镓LED的发射峰重叠，能够有效净皮激发，主发射波长位于612nm附近；一种可被紫外、紫光或蓝光LED有效激发而发红光，且在紫外激发时另 一发射峰从红光到绿光可调的荧光粉；一种荧光粉，通过波长为220至550nm的可见光或UV辐射被有效地激发以获得希望的光发射，尤其是高效地发红光；一种被LED激发时发出主峰位置612nrn红光的荧光粉；一种在300 500nm紫外或蓝光LED激发下发黄光的焚光粉
7. 根据权利要求5所述的光学器件，其特征是所述的荧光粉膜层厚度为10-500微米，荧光粉膜层根据需要依一定次序镀若千层相同或不同的焚光粉膜层。
8. 根据权利要求5所述的光学器件，其特征是所述的截止紫外线和红外线的膜层包括紫外线截止膜层和红外线截止膜层。
9. 根据权利要求5所述的光学器件，其特征是所述的紫外线截止膜层为氧化钛一氧化铈膜层，氧化钛和氧化铈的质量比例为10 90% : 10 90%。
10. 根据权利要求5所述的光学器件，其特征是所述的紫外线截止膜层 厚度为10~500纳米；其滤波波长范围设定为445nm以下。
11. 根据权利要求5所述的光学器件，其特征是所述的红外线截止膜层由两种高、低折射率材料薄膜相互间隔堆叠而成；该高折射率材料薄膜由五氧化二钽形成；该低折射率材料薄膜由二氧化硅形成。
12. 根据权利要求5所述的光学器件，其特征是所述的红外线截止膜层厚度为10~500纳米；其滤波波长范围设定为大于700nm。
13.根据权利要求5所述的光学器件，其特征是根据需要依一定次序 镀若干层紫外线截止膜层和红外线截止膜层。
专利摘要本实用新型提供一种使用具有COC透明基材的光学器件的LED光源，包括具有至少一个LED芯片的LED器件，以及安装在LED器件上的具有COC透明基材的光学器件。具有COC透明基材的光学器件是由COC成型的透明基材进行镀膜形成，膜层包括了荧光粉膜层和截止紫外线和红外线的膜层。LED光源工作时，由蓝光或紫外芯片激发光学器件上面的荧光粉膜层，产生其它波段的可见光，各部分混色形成白光；截止紫外线和红外线的膜层能够吸收波长小于445nm的短波长范围和波长大于700nm的长波长范围内的光。本实用新型还提供一种具有COC透明基材的光学器件。
文档编号C09K11/08GK201416781SQ20092013297
公开日2010年3月3日 申请日期2009年6月25日 优先权日2009年6月25日
发明者李欣洋 申请人:李欣洋