用于包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀溶液组合物的制作方法

文档序号:3745519阅读:622来源:国知局
专利名称:用于包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀溶液组合物的制作方法
技术领域
本发明涉及一种用于包含钥(Mo)和钛(Ti)的合金层或氧化铟层的刻蚀溶液组合物。
背景技术
作为半导体器件或平板显示器的电极,包含Mo和Ti的合金层以及氧化铟层可以通过湿法刻蚀或干法刻蚀来进行刻蚀。包含Mo和Ti的合金层以及氧化铟层可以通过单一的刻蚀溶液组合物来进行刻蚀。但是,当使用当前使用的已开发的刻蚀溶液组合物刻蚀由包含Mo和Ti的合金层以及氧化铟层组成的双层时,可能会导致差的刻蚀剖面。

发明内容
因此,本发明紧记相关技术中存在的上述问题,并且本发明的目的在于提供一种刻蚀溶液组合物,该刻蚀溶液组合物可有效刻蚀用作半导体器件或平板显示器的电极的包含Mo和Ti的合金层、氧化铟层以及由合金层和氧化铟层组成的双层。本发明的另一个目的是提供一种刻蚀溶液组合物,该刻蚀溶液组合物可展示良好的刻蚀剖面,保存液体化学品能力强,因此很稳定。本发明的另一个目的是提供一种刻蚀溶液组合物,即使基板尺寸很大,但是该刻蚀溶液组合物也可维持刻蚀均匀度。为实现上述目的,本发明提供一种用于包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀溶液组合物,基于该组合物的总重量,该刻蚀溶液组合物包括5 30被%的H202、0. 01 5界1:%的含氟化合物、O. I 5wt%的可溶于水的环胺化合物、O. 01 IOwt %的无机酸;和余量的水。另外,本发明提供一种平板显示器,该平板显示器包括用上述刻蚀溶液组合物刻蚀的电极。


结合附图,从下面的具体描述中很容易理解本发明的上述和其他目的、特征和进一步的优势,其中图I至图3是显示由包含Mo和Ti的合金层和氧化铟层组成的双层的表面的显微镜图像,其中,该双层由实例I至3中的刻蚀溶液组合物刻蚀;图4至图7是显不由包含Mo和Ti的合金层和氧化铟层组成的双层的表面的显微镜图像,其中,该双层由比较例I至4中的刻蚀溶液组合物刻蚀。
具体实施例方式下文将具体描述本发明。根据本发明的刻蚀溶液组合物用于刻蚀包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层。该包
3含Mo和Ti的合金层或氧化铟层可以是像素电极。根据本发明的刻蚀溶液组合物包括H2O2、含氟化合物、可溶于水的环胺化合物、无机酸和水。在根据本发明的刻蚀溶液组合物中,H2O2是用于氧化包含Mo和Ti的合金层、氧化铟层以及包含合金层和氧化铟层的双层的主要氧化剂。而且,基于该组合物的总重量,H2O2 的含量为5 30wt%,特别为10 25wt%。如果H2O2的量低于上述范围的下限,则刻蚀能力就会变差。相反,如果H2O2的量超过上述范围的上限,则刻蚀速率可能会变得太快,从而难以控制刻蚀过程。在根据本发明的刻蚀溶液组合物中,含氟化合物是一种在水中离解以产生F离子的化合物。含氟化合物影响包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀速率,具体地,增加包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀速率。基于该组合物的总重量,含氟化合物的含量为O. 01 5wt %的,特别为 O. 051wt%。如果含氟化合物的量低于上述范围的下限,则刻蚀速率可能会降低,且留下刻蚀残余物。相反,如果含氟化合物的量超过上述范围的上限,则刻蚀能力不会提升,且位于电极下方的保护层和金属层可能会恶化(deteriorate)。对含氟化合物没有特别限制,只要其能用于本领域中就行。这种含氟化合物可从 HF,NaF,NH4F,NH4BF4,NH4FHF,KF,KHF2,AIF3 和 HBF4 组成的组中选择。特别有用的是 NH4FHF。在根据本发明的刻蚀溶液组合物中,可溶于水的环胺化合物保护位于电极下方的
铜基金属层。基于该组合物的总重量,可溶于水的环胺化合物的含量为O. I 5wt%,特别为 O. I lwt%。如果可溶于水的环胺化合物的量低于上述范围的下限,则数据线可能会因为位于电极下方的铜基金属接线被刻蚀而不受期待地断开。相反,如果可溶于水的环胺化合物的量超过上述范围的上限,则包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀速率可能会降低。对可溶于水的环胺化合物没有特别限制,只要其能用于本领域中就行。该可溶于水的环胺化合物可以具有I 30个碳。该可溶于水的环胺化合物可从苯并三唑基化合物、 氨基四唑基化合物、咪唑基化合物、吲哚基化合物、嘌呤基化合物、吡唑基化合物、吡啶基化合物、嘧啶基化合物、吡咯基化合物、吡咯烷基化合物和吡咯啉基化合物组成的组中选择。 在这些化合物中,氨基四唑基化合物的实例可包括氨基四唑、5-氨基-I-苯基四唑、5-氨基-I (I-奈基)四唑、I-甲基-5-氨基四唑、1,5_ 二氨基四唑等。特别有用的是氨基四唑。在根据本发明的刻蚀溶液组合物中,无机酸调整该组合物的pH,具体地,降低该组合物的PH以抑制H2O2的分解,从而创造出能够刻蚀包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的环境。基于该组合物的总重量,无机酸的含量为O. 01 10wt%,特别为O. I 2wt%。如果无机酸的量低于上述范围的下限,则其调整PH的能力可能会下降,从而不受期待地降低包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀速率,并加快H2O2分解。相反,如果无机酸的量超过上述范围的上限,则包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀速率可能会提升,但是位于电极下方的层可能会恶化,导致线性差。在根据本发明的刻蚀溶液组合物中,用作剩余物的水的用量使得该组合物的总重量为100wt%。不特别限制水的类型,但可包含去离子水。更特别有用的是,使用电阻率为18M Ω /cm或更大的去离子水,该电阻率表示从水中去除的离子的度数)。并且,为了提高刻蚀性能,根据本发明的刻蚀溶液组合物还可包含本领域中已知的任何添加剂。基于该组合物的总重量,添加剂的含量可以为O. 0001 O. OIwt%。添加剂的实例可包括表面活性剂、多价螯合剂、防蚀剂等。表面活性剂的作用是降低表面张力以增加刻蚀均匀度。表面活性剂的实例可包含阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、两性表面活性剂和非离子表面活性剂。而且,也可使用氟基表面活性剂。另外,本发明提供一种包含用根据本发明的刻蚀溶液组合物刻蚀的电极的平板显示器。该平板显示器可以是液晶显示器或有机电致发光装置。根据本发明的刻蚀溶液组合物可有效刻蚀包含Mo和Ti的合金层和氧化铟层,该合金层和氧化铟层用作平板显示器的电极。此外,根据本发明的刻蚀溶液组合物可展示良好的刻蚀剖面,保存液体化学品能力强,因此很稳定。而且,即使基板尺寸很大,但是根据本发明的刻蚀溶液组合物也可维持刻蚀均匀度。下面提出的实例是用于阐述而非限制本发明,这些实例可帮助更好地理解本发明,而且可由本领域技术人员在本发明范围内进行适当的修改或改变。实施例I至3和比较例I至4 :刻蚀溶液组合物的制备利用下面表I所示的组分及其含量制备6kg刻蚀溶液组合物。表I
权利要求
1.一种用于包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀溶液组合物,其特征在于,包括 基于该组合物的总重量,5 30wt%^ H2O2 ;O.01 5wt%的含氟化合物;O.I 5wt%的可溶于水的环胺化合物;O.01 IOwt %的无机酸;和余量的水。
2.根据权利要求I所述的刻蚀溶液组合物,其特征在于,所述含氟化合物从HF、NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, KF、KHF^AlF3 和 HBF4 组成的组中选择。
3.根据权利要求I所述的刻蚀溶液组合物,其特征在于,所述可溶于水的环胺化合物从苯并三唑基化合物、氨基四唑基化合物、咪唑基化合物、吲哚基化合物、嘌呤基化合物、吡唑基化合物、吡啶基化合物、嘧啶基化合物、吡咯基化合物、吡咯烷基化合物和吡咯啉基化合物组成的组中选择。
4.根据权利要求I所述的刻蚀溶液组合物,其特征在于,所述无机酸从盐酸、硫酸、硝酸和磷酸组成的组中选择。
5.一种平板显示器,其特征在于,包括用根据权利要求I所述的刻蚀溶液组合物刻蚀的电极。
全文摘要
本发明公开一种用于包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀溶液组合物,基于该组合物的总重量,该刻蚀溶液组合物包括5~30wt%的H2O2、0.01~5wt%的含氟化合物、0.1~5wt%的可溶于水的环胺化合物、0.01~10wt%的无机酸、和余量的水。
文档编号C09K13/08GK102585833SQ20111042801
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月19日 优先权日2010年12月21日
发明者李友兰, 李石, 李铉奎, 郑敬燮 申请人:东友Fine-Chem股份有限公司
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