本发明涉及一种半导体研磨剂。
背景技术:
在半导体芯片的加工制造过程中,随着采用嵌入式工序(一种费用相当便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件结构的工序)的逐步普及,对芯片中的金属导线进行化学机械研磨抛光亦变得必不可少。现有的研磨剂大部分在研磨的同时会对半导体部件造成腐蚀,降低了研磨体的性能,缩短了半导体的使用时间。因此,半导体的性能有待于进一步改进。
技术实现要素:
针对现有技术的不足,本发明要解决的问题是,提供一种半导体研磨剂,具有很好的稳定性和刻痕性,具有很好的研磨效果,且不会产生腐蚀现象。
为解决现有技术问题,本发明提供的技术方案是,一种半导体研磨剂,其由以下重量份数的原料制成:
含氢硅油4-7份,季戊四醇2-4份,蒙脱土4-9份,硅微粉5-10份,稀土硅铁合金6-9份,环氧改性酚醛树脂1-4份,过氧化苯甲酰6-10份,纳米石墨粉3-6份,磷酸二氢钾2.3-4.8份,双酚A型聚碳酸酯4-8份,分散剂2-3份,甲基三乙氧基硅烷8-12份,氯化钙2.3-4.1份,聚乙烯醇1.3-5份,钼铁粉2.2-3.8份,聚丙烯酸盐6-8份,水杨酸钠4.2-7份。
本发明的有益效果是:本发明的半导体研磨剂,具有很好的稳定性和刻痕性,具有很好的研磨效果,且不会产生腐蚀现象。
具体实施方式
实施例1
一种半导体研磨剂,其由以下重量份数的原料制成:
含氢硅油4份,季戊四醇2份,蒙脱土4份,硅微粉5份,稀土硅铁合金6份,环氧改性酚醛树脂1份,过氧化苯甲酰6份,纳米石墨粉3份,磷酸二氢钾2.3份,双酚A型聚碳酸酯4份,分散剂2份,甲基三乙氧基硅烷8份,氯化钙2.3份,聚乙烯醇1.3份,钼铁粉2.2份,聚丙烯酸盐6份,水杨酸钠4.2份。
实施例2
一种半导体研磨剂,其由以下重量份数的原料制成:
含氢硅油7份,季戊四醇4份,蒙脱土9份,硅微粉10份,稀土硅铁合金9份,环氧改性酚醛树脂4份,过氧化苯甲酰10份,纳米石墨粉6份,磷酸二氢钾4.8份,双酚A型聚碳酸酯8份,分散剂3份,甲基三乙氧基硅烷12份,氯化钙4.1份,聚乙烯醇5份,钼铁粉3.8份,聚丙烯酸盐8份,水杨酸钠7份。