一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体的制作方法

文档序号:11803679阅读:265来源:国知局

本发明涉及一种冷却流体,特别是一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体。



背景技术:

随着电力技术的革新以及各类电子电器元器件的集成度越来越高,未来的电子系统发热量和发热密度也随之提高,对散热的要求也相当更苛刻。现阶段广泛应用的为空气冷却方式和水冷却方式,金属一般具有远高于非金属材料的导热率,因而在一些特殊的场合具有重要的用途。在国内,对液态金属的应用进行了较为广泛的研究,如申请号CN201210164840的专利文献中公开了一种包含固体空心颗粒的冷却流体,该冷却流体具有良好的导热率,能够较好的应用于液冷散热器领域。但是,该冷却流体的制备工艺复杂,且熔点较高,为10℃。由于其较高的熔点,导致该冷却流体无法在低温下工作,例如在我国的北方地区冬天温度往往可达到零下的低温,在此温度下液态金属就会凝固而导致散热器失灵,无法正常散热,从而导致严重的后果。



技术实现要素:

本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题,提供一种制备工艺简单,具有良好导热率的同时,熔点较低,能够在低温下正常工作的低熔点冷却流体。

本发明采用的技术方案如下:

本发明一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,由纳米颗粒分散在液态流体中组成。

由于采用了上述技术方案,所述纳米颗粒能够降低所述液态流体的熔点。从微观上来说,液态流体中的原子排列只存在近程有序,即只有在几个或几十个原子间距的范围内,才是有规则排列的,在液态流体中这种近程有序的原子排列是很不稳定的,它们处于瞬间产生、瞬间消失的状态,在冷却流体中添加适量的适宜的纳米颗粒,能够阻止金属原子按照一定的晶格类型规则排列形成结晶核心,并抑制液态流体中晶核附近的原子成群有序的依附到晶核上,从而抑制晶核长大,从宏观上即表现为降低熔点。

本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,所述纳米颗粒与液态流体的质量比为0.01%~2.5%,所述纳米颗粒的粒径大小为1nm~50nm。

由于采用了上述技术方案,纳米颗粒能够在保证微量影响液态流体其他物理性质的前提下,降低液态流体的熔点。从而在现有技术的基础上,保证液态流体好的导热率,并具有较低的熔点。在满足低温下正常工作的同时,依然具有良好的散热效率。

纳米颗粒与液态流体的质量比可以为0.01%~2.5%中的任意值,例如0.02%,0.05%,0.07%,0.08%,0.11%,0.15%,0.17%,0.34%,0.52%,0.70%,1.37%,1.82%,2.49%等;纳米颗粒的粒径大小可以为1nm~50nm中的任意值,例如2nm,6nm,9nm,10nm,19nm,20nm,38nm,42nm等。

本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,所述纳米颗粒为纳米非金属材料。

由于采用了上述技术方案,采用非金属材料的纳米颗粒对熔点降低的效果较明显,能够将液态流体的熔点降低至零度以下。

本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,所述纳米非金属材料为纳米氧化物材料或其他非金属纳米材料。

由于采用了上述技术方案,有机纳米材料的制备工艺相对较为复杂,纳米氧化物材料以及其他非金属纳米材料制备相对较为简单,也性质稳定,能够长时间的稳定使用。

本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,所述纳米氧化物材料为二氧化硅,二氧化钛,氧化铝或氧化镁。

本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,所述其他非金属纳米材料为氮化硅,氮化硼,碳化硅,碳化硼或硅酸盐。

由于采用了上述技术方案,上述纳米颗粒降低熔点的效果最为明显。

本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,所述液态流体是水或液态金属。

本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,所述液态金属是锂、钠、钾、铷、铯、镓、铟、汞、铅铋合金、镓基二元合金、镓基多元合金、铟基合金、铋基合金、汞基合金或钠钾合金。

本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,所述镓基二元合金为镓铟合金、镓铅合金或镓汞合金。

本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,所述镓基多元合金为镓铟锡合金或镓铟锡锌合金。

本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,当镓的质量分数为62.4%,铟的质量分数为37.6%,制成的镓铟合金中添加质量比为0.05%,粒径为10nm的纳米二氧化硅制成的冷却流体效果最佳,导热率为45W/mk,熔点为-18℃。

综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:

1、本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,制备工艺简单,性质稳定,能够长时间的进行冷却散热工作,满足特殊的场合及液冷散热器对冷却流体良好导热率的要求。

2、本发明的一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,熔点明显降低,甚至可达零下,能够在低温下正常工作,在我国的北方地区等冬天温度较低时,不会凝固保证散热器正常散热,从而满足低温环境需求。

具体实施方式

下面对本发明作详细的说明。

为了使发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

实施例中对于液态金属的选择,锂、钠、钾、铷、铯、镓、铟、汞、铅铋合金、镓基二元合金、镓基多元合金、铟基合金、铋基合金、汞基合金或钠钾合金均可。其中,镓基合金、铟基合金和铋基合金因为无毒,性质稳定,具有不易蒸发泄露等优点为最优选择。锂、钠、钾、铷、铯及其合金的化学性质较活泼,必须在良好封装隔绝空气和水情况下应用,汞及其合金成本低,但因存在一定毒性,因此也必须进行良好的封装后方能使用。

在实施例中,热导率的测定是用Mathis Tci(SETARAM,France)在20℃下测得;熔点的测定是用NETZSCH- TG209F1测得。

实施例1

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓和铟,其中镓的质量分数为67.4%,铟的质量分数为32.6%,制成镓铟合金后,将镓铟合金加热并保持25℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为200rpm的条件下,向镓铟合金中缓慢加入纳米氧化铝,纳米氧化铝的粒径为50nm,纳米氧化铝与镓铟合金的质量比为0.04%,加入完全后,持续搅拌10h至纳米氧化铝均匀分散在镓铟合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体1。

冷却流体1的导热率为43W/mk,熔点为-2℃。

实施例2

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓和铅,其中镓的质量分数为68.2%,铅的质量分数为31.8%,制得镓铅合金后,将镓铅合金加热并保持27℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为400rpm的条件下,向镓铅合金中缓慢加入纳米氮化硅,纳米氮化硅的粒径为30nm,纳米氮化硅与镓铅合金的质量比为0.12%,加入完全后,持续搅拌3h至纳米氮化硅均匀分散在镓铅合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体2。

冷却流体2的导热率为37W/mk,熔点为4℃。

实施例3

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓和铅,其中镓的质量分数为74%,铅的质量分数为26%,制得镓铅合金后,将镓铅合金加热并保持25℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为50rpm的条件下,向镓铅合金中缓慢加入纳米碳化硼,纳米碳化硼的粒径为50nm,纳米碳化硼与镓铅合金的质量比为0.08%,加入完全后,持续搅拌15h至纳米碳化硼均匀分散在镓汞合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体3。

冷却流体3的导热率为40W/mk,熔点为1℃。

实施例4

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓和铟,其中镓的质量分数为67.4%,铟的质量分数为32.6%,制得镓铟合金后,将镓铟合金加热并保持25℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为200rpm的条件下,向镓铟合金中缓慢加入纳米二氧化硅,纳米二氧化硅的粒径为1nm,纳米二氧化硅与镓铟合金的质量比为0.02%,加入完全后,持续搅拌8h至纳米二氧化硅均匀分散在镓铟合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体4。

冷却流体4的导热率为43W/mk,熔点为-12℃。

实施例5

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓和铟,其中镓的质量分数为62.4%,铟的质量分数为37.6%,制得镓铟合金后,将镓铟合金加热并保持25℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为200rpm的条件下,向镓铟合金中缓慢加入纳米二氧化硅,纳米二氧化硅的粒径为1nm,纳米二氧化硅与镓铟合金的质量比为0.02%,加入完全后,持续搅拌8h至纳米二氧化硅均匀分散在镓铟合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体5。

冷却流体5的导热率为45W/mk,熔点为-12℃。

实施例6

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓,铟和锡,其中镓的质量分数为62.5%,铟的质量分数为21.5%,锡的质量分数为16%,制得镓铟锡合金后,将镓铟锡合金加热并保持28℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为800rpm的条件下,向镓铟锡合金中缓慢加入纳米二氧化钛,纳米二氧化钛的粒径为18nm,纳米二氧化钛与镓铟锡合金的质量比为1.2 %,加入完全后,持续搅拌3h至二氧化钛均匀分散在镓铟锡合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体6。

冷却流体6的导热率为60W/mk,熔点为-10℃。

实施例7

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓,铟和锡,其中镓的质量分数为62.5%,铟的质量分数为31%,锡的质量分数为6.5%。制得镓铟锡合金后,将镓铟锡合金加热并保持30℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为1000rpm的条件下,向镓铟锡合金中缓慢加入纳米二氧化钛,纳米二氧化钛的粒径为50nm,纳米二氧化钛与镓铟锡合金的质量比为1.2 %,加入完全后,持续搅拌2h至二氧化钛均匀分散在镓铟锡合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体7。

冷却流体7的导热率为72W/mk,熔点为-8℃。

实施例8

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓,铟,锡和锌,其中镓的质量分数为62.5%,铟的质量分数为14.2%,锡的质量分数为6.5%,锌的质量分数为20.7%。制得镓铟锡锌合金后,将镓铟锡锌合金加热并保持32℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为840rpm的条件下,向镓铟锡锌合金中缓慢加入纳米氮化硼,纳米氮化硼的粒径为20nm,纳米氮化硼与镓铟锡合金的质量比为2.5 %,加入完全后,持续搅拌4h至纳米氮化硼均匀分散在镓铟锡合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体8。

冷却流体8的导热率为65W/mk,熔点为-2℃。

实施例9

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓,铟,锡和锌,其中镓的质量分数为62.5%,铟的质量分数为14.2%,锡的质量分数为6.5%,锌的质量分数为20.7%。制得镓铟锡锌合金后,将镓铟锡锌合金加热并保持32℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为840rpm的条件下,向镓铟锡锌合金中缓慢加入纳米二氧化硅,纳米二氧化硅的粒径为10nm,纳米二氧化硅与镓铟锡合金的质量比为0.01 %,加入完全后,持续搅拌4h至纳米二氧化硅均匀分散在镓铟锡合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体9。

冷却流体8的导热率为75W/mk,熔点为-10℃。

实施例10

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓和铟,其中镓的质量分数为62.4%,铟的质量分数为37.6%。制得镓铟合金后,将镓铟合金加热并保持35℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为700rpm的条件下,向镓铟合金中缓慢加入纳米二氧化硅,纳米二氧化硅的粒径为1nm,纳米二氧化硅与镓铟合金的质量比为0.02%,加入完全后,持续搅拌6h至纳米二氧化硅均匀分散在镓铟合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体10。

冷却流体10的导热率为45W/mk,熔点为-12℃。

实施例11

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓和铟,其中镓的质量分数为62.4%,铟的质量分数为37.6%。制得镓铟合金后,将镓铟合金加热并保持35℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为700rpm的条件下,向镓铟合金中缓慢加入纳米二氧化硅,纳米二氧化硅的粒径为10nm,纳米二氧化硅与镓铟合金的质量比为0.01%,加入完全后,持续搅拌6h至纳米二氧化硅均匀分散在镓铟合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体11。

冷却流体11的导热率为45W/mk,熔点为-10℃。

实施例12

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓和铟,其中镓的质量分数为62.4%,铟的质量分数为37.6%。制得镓铟合金后,将镓铟合金加热并保持25℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为1000rpm的条件下,向镓铟合金中缓慢加入纳米二氧化硅,纳米二氧化硅的粒径为10nm,纳米二氧化硅与镓铟合金的质量比为0.05%,加入完全后,持续搅拌2h至纳米二氧化硅均匀分散在镓铟合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体12。

冷却流体12的导热率为45W/mk,熔点为-18℃。

实施例13

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的铅和铋,其中铅的质量分数为54%,铟的质量分数为46%。制得铅铋合金后,将铅铋合金加热并保持25℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为1000rpm的条件下,向铅铋合金中缓慢加入纳米二氧化硅,纳米二氧化硅的粒径为40nm,纳米二氧化硅与铅铋合金的质量比为0.1%,加入完全后,持续搅拌2h至纳米二氧化硅均匀分散在铅铋合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体13。

冷却流体13的导热率为40W/mk,熔点为-6℃。

实施例14

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的镓,铟和锡,其中镓的质量分数为64%,铟的质量分数为27.5%,锡的质量分数为8.5%。制得镓铟锡合金后,将镓铟锡合金加热并保持30℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为1000rpm的条件下,向镓铟锡合金中缓慢加入纳米碳化硅,纳米碳化硅的粒径为42nm,纳米碳化硅与镓铟锡合金的质量比为1.7%,加入完全后,持续搅拌2h至纳米碳化硅均匀分散在镓铟锡合金中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体14。

冷却流体14的导热率为70W/mk,熔点为-9℃。

实施例15

制备一种包含纳米颗粒的低熔点冷却流体,取一定量的单质钠作为流体,将钠加热并保持100℃的恒温并搅拌,在搅拌速率为1000rpm的条件下,向钠中缓慢加入纳米二氧化硅,纳米二氧化硅的粒径为35nm,纳米碳化硅与钠的质量比为2.5%,加入完全后,持续搅拌2h至纳米二氧化硅均匀分散在钠中,自然冷却,制成包含纳米颗粒的低熔点冷却流体15。

冷却流体15的导热率为150W/mk,熔点为-9℃。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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