胶粘薄膜、切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置与流程

本发明涉及胶粘薄膜、切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。

背景技术：

作为应对半导体装置的高功能化、小型化等要求的技术，已知三维安装技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-30684号公报

技术实现要素：

发明所要解决的问题

如图12所示，通过具有将芯片接合用芯片2005压接在构件2006上的工序等的方法等可以制造半导体装置。在此，芯片接合用芯片2005具有半导体芯片2041和配置在半导体芯片2041上的薄膜状胶粘剂2111。构件2006具有被粘物2606、半导体芯片2641以及连接半导体芯片2641和被粘物2606的接合线2607。胶粘剂层2611位于半导体芯片2641与被粘物2606之间。

在这样的制造方法中，有时在接合线2607的周边产生空隙。空隙导致半导体装置的可靠性下降，因此希望减少空隙量。另外，通过将芯片接合用芯片2005压接在构件2006上，有时薄膜状胶粘剂2111向侧面突出。

本发明的目的在于解决上述问题，提供能够减少接合线周边的空隙、并且可以减少突出的胶粘薄膜。

本发明的目的还在于提供包含所述胶粘薄膜的切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜。本发明的目的还在于提供使用所述胶粘薄膜的半导体装置的制造方法。本发明的目的还在于提供使用所述胶粘薄膜得到的半导体装置。

用于解决问题的手段

本发明涉及一种胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的tanδ(损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’)为0.7～2.0。tanδ为0.7以上，因此芯片粘接时本发明的胶粘薄膜是柔软的。因此，可以减少接合线周边的空隙。tanδ为2.0以下，因此可以减少突出。

本发明的胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的储能弹性模量G’优选为10000Pa以下。本发明的胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的损耗弹性模量G”优选为5000Pa以下。

本发明的胶粘薄膜的120℃的粘度优选为2000Pa·s以下。

本发明还涉及一种切割胶带一体型胶粘薄膜。本发明的切割胶带一体型胶粘薄膜包含：包含基材和配置在基材上的粘合剂层的切割胶带、和配置在粘合剂层上的胶粘薄膜。

本发明还涉及一种多层薄膜。本发明的多层薄膜包含：隔片、和配置在隔片上的切割胶带一体型胶粘薄膜。

本发明还涉及一种半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括准备包含被粘物、第1半导体芯片以及接合线的构件 的工序。接合线将第1半导体芯片和被粘物连接。本发明的半导体装置的制造方法还包括将半导体晶片压接在胶粘薄膜上的工序、在将半导体晶片压接在胶粘薄膜上的工序之后，通过进行芯片分割而形成芯片接合用芯片的工序、和将芯片接合用芯片压接在构件上的工序。芯片接合用芯片包含第2半导体芯片和配置在第2半导体芯片上的薄膜状胶粘剂。

本发明还涉及一种半导体装置。

附图说明

图1是多层薄膜的概略俯视图。

图2是多层薄膜的一部分的概略剖视图。

图3是半导体装置的制造工序的概略剖视图。

图4是半导体装置的制造工序的概略剖视图。

图5是半导体装置的制造工序的概略剖视图。

图6是半导体装置的制造工序的概略剖视图。

图7是半导体装置的制造工序的概略剖视图。

图8是变形例4的多层薄膜的一部分的概略剖视图。

图9是变形例6的半导体装置的制造工序的概略剖视图。

图10是变形例6的半导体装置的制造工序的概略剖视图。

图11是实施方式2的多层薄膜的概略剖视图。

图12是半导体装置的制造工序的概略剖视图。

附图标记

1 多层薄膜

11 胶粘薄膜

12 切割胶带

13 隔片

71 切割胶带一体型胶粘薄膜

121 基材

122 粘合剂层

122A 接触部

122B 周边部

4 半导体晶片

5 芯片接合用芯片

41 半导体芯片

111 薄膜状胶粘剂

6 构件

606 被粘物

611 胶粘层

641 半导体芯片

607 接合线

2 复合构件

407 接合线

411 胶粘层

8 密封树脂

20 复合体

1005 层叠用芯片

1041 半导体芯片

1111 薄膜状胶粘剂

1407 接合线

9 多层薄膜

14 隔片

15 隔片

具体实施方式

以下列出实施方式，对本发明进行详细的说明，但是本发明不仅仅限于这些实施方式。

[实施方式1]

(多层薄膜1)

如图1和图2所示，多层薄膜1包含隔片13和配置在隔片13上的胶粘薄膜11。更具体而言，多层薄膜1包含隔片13和配置在隔片13上的切割胶带一体型胶粘薄膜71a、71b、71c、……、71m(以下统称为“切割胶带一体型胶粘薄膜71”)。切割胶带一体型胶粘薄膜71a与切割胶带一体型胶粘薄膜71b之间的距离、切割胶带一体型胶粘薄膜71b与切割胶带一体型胶粘薄膜71c之间的距离、……、切割胶带一体型胶粘薄膜71l与切割胶带一体型胶粘薄膜71m之间的距离是恒定的。多层薄膜1可以形成为卷筒状。

切割胶带一体型胶粘薄膜71包含切割胶带12和配置在切割胶带上的胶粘薄膜11。切割胶带12包含基材121和配置在基材121上的粘合剂层122。胶粘薄膜11可以由与粘合剂层11接触的第1主面和与第1主面相对的第2主面定义两面。第2主面与隔片13接触。

(胶粘薄膜11)

胶粘薄膜11具有热固化性。胶粘薄膜11还具有电绝缘性。

胶粘薄膜11的120℃、频率0.1Hz的tanδ为0.7以上。由于为0.7以上，因此芯片粘接时胶粘薄膜11是柔软的。因此，可以减少接合线周边的空隙。另一方面，胶粘薄膜11的120℃、频率0.1Hz的tanδ为2.0以下。为2.0以下时，可以减少突出。tanδ优选为1.9以下。tanδ为损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’。

120℃、频率0.1Hz的tanδ可以通过填料的含量、丙烯酸类树脂的含量等控制。例如，通过减少填料的含量、减少丙烯酸类树脂的含量，可以降低tanδ。

120℃、频率0.1Hz的储能弹性模量G’优选为10000Pa以下，更优选为8000Pa以下，进一步优选为6000Pa以下，更进一步优选为4000Pa 以下。为10000Pa以下时，可以减少接合线周边的空隙。120℃、频率0.1Hz的储能弹性模量G’的下限例如为100Pa、200Pa等。

120℃、频率0.1Hz的损耗弹性模量G”优选为5000Pa以下，更优选为3000Pa以下。为5000Pa以下时，可以有效地减少突出。120℃、频率0.1Hz的损耗弹性模量G”的下限例如为300Pa、400Pa等。

胶粘薄膜11的120℃的粘度优选为2000Pa·s以下，更优选为1500Pa·s以下，进一步优选为1300Pa·s以下。为2000Pa·s以下时，可以减少接合线周边的空隙。120℃的粘度的下限例如为100Pa·s、300Pa·s等。

胶粘薄膜11含有树脂成分。作为树脂成分，可以列举热塑性树脂、热固性树脂等。

热塑性树脂优选为丙烯酸类树脂。

作为丙烯酸类树脂，没有特别限制，可以列举以一种或两种以上具有碳原子数30以下、特别是碳原子数4～18的直链或支链烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作为成分的聚合物(丙烯酸类共聚物)等。作为所述烷基，可以列举例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。

另外，作为形成聚合物(丙烯酸类共聚物)的其它单体，没有特别限制，可以列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基) 丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯或(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；或者丙烯酰磷酸2-羟基乙酯等含磷酸基单体。

丙烯酸类树脂中，优选重均分子量为10万以上的树脂，更优选重均分子量为30万～300万的树脂，进一步优选重均分子量为50万～200万的树脂。这是因为，重均分子量在上述数值范围内时，胶粘性及耐热性优良。需要说明的是，重均分子量是通过GPC(凝胶渗透色谱法)进行测定，并通过聚苯乙烯换算而计算出的值。

丙烯酸类树脂优选含有能够与环氧基反应的官能团。由此，可以将丙烯酸类树脂与环氧树脂交联。

作为能够与环氧基反应的官能团，可以列举例如羟基、羧基等。

作为热固性树脂，可以列举环氧树脂、酚醛树脂等。

作为环氧树脂，没有特别限制，可以使用例如：双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型等双官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型或者缩水甘油胺型等环氧树脂。这些环氧树脂中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟苯基甲烷型环氧树脂或四羟苯基乙烷型环氧树脂。这是因为，这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂的反应性好，并且耐热性等优良。

优选树脂成分包含在室温下呈固态的环氧树脂(以下称为“第1环氧树脂”)。

第1环氧树脂的环氧当量优选为120g/eq.以上，更优选为170g/eq.以上。第1环氧树脂的环氧当量优选为270g/eq.以下，更优选为220g/eq.以下。

需要说明的是，环氧树脂的环氧当量可以通过JIS K 7236-2009中规定的方法测定。

环氧树脂100重量％中第1环氧树脂的含量优选为10重量％以上，更优选为20重量％以上，进一步优选为30重量％以上，进一步优选为40重量％以上。环氧树脂100重量％中第1环氧树脂的含量优选为70重量％以下，更优选为60重量％以下。

优选树脂成分包含在室温下呈液态的环氧树脂(以下称为“第2环氧树脂”)。

第2环氧树脂的环氧当量优选为120g/eq.以上，更优选为170g/eq.以上。第2环氧树脂的环氧当量优选为270g/eq.以下，更优选为220g/eq.以下。

在本说明书中，在室温下呈液态是指25℃的粘度小于5000Pa·s。需要说明的是，粘度可以使用Thermo Scientific公司制造的型号HAAKE Roto VISCO1测定。

环氧树脂100重量％中第2环氧树脂的含量优选为30重量％以上，更优选为40重量％以上。环氧树脂100重量％中第2环氧树脂的含量优选为90重量％以下，更优选为80重量％以下，进一步优选为70重量％以下，进一步优选为60重量％以下。

酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂起作用，可以列举例如：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶酚醛树脂型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。这些酚醛树脂中特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。这是因为可以提高半导体装置的连接可靠性。

优选酚醛树脂在室温下呈固态。

酚醛树脂的羟基当量优选为120g/eq.以上，更优选为170g/eq.以上。酚醛树脂的羟基当量优选为270g/eq.以下，更优选为220g/eq.以下。

关于环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，优选例如以相对于环氧树脂成分中的环氧基1当量酚醛树脂中的羟基为0.5～2.0当量的方式进行配合。更优选为0.8～1.2当量。即，这是因为：两者的配合比例如果在所述范围以外，则固化反应不充分进行，固化物的特性容易变差。

胶粘薄膜11中的树脂成分的含量优选为30重量％以上，更优选为40重量％以上，进一步优选为50重量％以上。胶粘薄膜11中的树脂成分的含量优选为95重量％以下。

胶粘薄膜11中的热塑性树脂的含量优选为5重量％以上，更优选为10重量％以上。胶粘薄膜11中的热塑性树脂的含量优选为70重量％以下，更优选为50重量％以下，进一步优选为40重量％以下，进一步优选为30重量％以下。

胶粘薄膜11中的环氧树脂与酚醛树脂的合计含量优选为30重量％以上，更优选为40重量％以上。胶粘薄膜11中的环氧树脂与酚醛树脂的合计含量优选为80重量％以下，更优选为70重量％以下。

胶粘薄膜11优选含有填料。优选填料具有电绝缘性。

作为填料，可以列举无机填料、有机填料等。其中，优选有机填料。有机填料不容易使接合线弯曲，可以减少接合线、半导体芯片的损伤。

作为有机填料，可以列举具有三维网络结构的树脂等。有机填料优选为甲基丙烯酸甲酯树脂(以下称为“PMMA树脂”)。

有机填料的平均粒径优选为0.01μm以上，更优选为0.1μm以上，进一步优选为1μm以上。为0.01μm以上时，胶粘薄膜11的流动性不会显著下降。有机填料的平均粒径优选为5μm以下，更优选为3μm以下。为5μm以下时，可以防止胶粘薄膜11的表面粗糙。即，可以防止在胶粘薄膜11的表面产生凹凸。有机填料的平均粒径可以使用光度式粒度分布计(堀场制造，装置名：LA-910)求出。

将胶粘薄膜11的厚度设为100％时，有机填料的平均粒径优选为50％以下。为50％以下时，可以防止胶粘薄膜11的表面粗糙。将胶粘薄膜11的厚度设为100％时，有机填料的平均粒径优选为0.01％以上。为0.01％以上时，胶粘薄膜11的流动性不会显著下降。

有机填料的最大粒径优选为10μm以下，更优选为5μm以下。为10μm以下时，可以防止胶粘薄膜11的表面粗糙。有机填料的最大粒径可以使用光度式粒度分布计(堀场制造，装置名：LA-910)求出。

将胶粘薄膜11的厚度设为100％时，有机填料的最大粒径优选为50％以下。为50％以下时，可以防止胶粘薄膜11的表面粗糙。

在有机填料的粒度分布中，优选90％以上的有机填料存在于 0.01μm～5μm的范围内。90％以上的有机填料存在于所述范围内时，粗大的粒子少。因此，可以防止胶粘薄膜11的表面粗糙。

作为有机填料的形状，可以列举例如薄片状、针状、长丝状、球形、鳞片状等。从可以减少接合线的损伤、半导体芯片的损伤的理由考虑，优选球形。

胶粘薄膜11中的有机填料的含量优选为5重量％以上，更优选为10重量％以上。胶粘薄膜11中的有机填料的含量优选为60重量％以下，更优选为50重量％以下。

无机填料优选为二氧化硅。

二氧化硅的平均粒径优选为0.01μm以上，更优选为0.1μm以上。二氧化硅的平均粒径优选为10μm以下，更优选为2μm以下。二氧化硅的平均粒径可以使用光度式粒度分布计(堀场制造，装置名：LA-910)求出。

作为二氧化硅的形状，可以列举例如薄片状、针状、长丝状、球形、鳞片状等。其中，优选球形。

胶粘薄膜11中的无机填料的含量优选为5重量％以上，更优选为10重量％以上。胶粘薄膜11中的无机填料的含量优选为60重量％以下，更优选为50重量％以下。

胶粘薄膜11优选含有固化促进剂。固化促进剂的含量相对于树脂成分100重量份优选为0.1～5重量份，更优选为0.1～3重量份。为0.1重量份以上时，可以在短时间内固化。

作为固化促进剂，没有特别限制，可以列举例如：咪唑类化合物、 三苯基膦类化合物、胺类化合物、三苯基硼烷类化合物、三卤代硼烷类化合物等。

作为咪唑类化合物，可以列举：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸盐(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：2MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：C11Z-A)、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪异氰脲酸加成产物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羟甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等(均为四国化成株式会社制)。

作为三苯基膦类化合物，没有特别限制，可以列举例如：三苯基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有机膦、四苯基溴化(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基溴化(商品名：TPP-MB)、甲基三苯基氯化(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基氯化(商品名：TPP-MOC)、苄基三苯基氯化(商品名：TPP-ZC)等(均为北兴化学公司制)。

作为三苯基硼烷类化合物，没有特别限制，可以列举例如三(对甲基苯基)硼烷等。另外，作为三苯基硼烷类化合物，还包括具有三苯基膦结构的化合物。作为具有三苯基膦结构及三苯基硼烷结构的化合物，没有特别限制，可以列举例如：四苯基四苯基硼酸盐(商品名：TPP-K)、四苯基四对甲苯基硼酸盐(商品名：TPP-MK)、苄基三苯基 四苯基硼酸盐(商品名：TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(均为北兴化学公司制)。

作为胺类化合物，没有特别限制，可以列举例如：一乙醇胺三氟硼酸盐(STELLA CHEMIFA株式会社制)、双氰胺(NACALAI TESQUE株式会社制)等。

作为三卤代硼烷类化合物，没有特别限制，可以列举例如三氯硼烷等。

胶粘薄膜11除了前述成分以外可以适当含有一般用于薄膜制造的配合剂，例如交联剂等。

胶粘薄膜11可以通过通常的方法制造。例如，通过制作含有前述各成分的胶粘剂组合物溶液，将胶粘剂组合物溶液涂布到基材隔片上以达到规定厚度而形成涂膜，然后将涂膜干燥，可以制造胶粘薄膜11。

作为胶粘剂组合物溶液中使用的溶剂，没有特别限制，优选能够将前述各成分均匀地溶解、混炼或分散的有机溶剂。可以列举例如：二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、环己酮等酮类溶剂、甲苯、二甲苯等。涂布方法没有特别限制。作为溶剂涂布的方法，可以列举例如：口模式涂布机、凹版涂布机、辊式涂布机、逆转涂布机、逗号刮刀涂布机、管式刮刀涂布机(パイプドクターコーター)、丝网印刷等。其中，从涂布厚度的均匀性高的观点考虑，优选口模式涂布机。

作为基材隔片，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯或者利用含氟剥离剂、长链烷基丙烯酸酯类剥离剂等剥离剂进行表面涂布后的塑料薄膜或纸等。作为胶粘剂组合物溶液的涂布方法，可以列举例如：辊式涂布、丝网涂布、凹版涂布等。另外，涂 膜的干燥条件没有特别限制，例如可以在干燥温度70℃～160℃、干燥时间1分钟～5分钟的条件下进行。

作为胶粘薄膜11的制造方法，例如通过利用混合器将前述各成分混合，并将所得到的混合物压制成形而制造胶粘薄膜11的方法等也是适合的。作为混合器，可以列举行星式混合器等。

作为胶粘薄膜11的厚度，优选为5μm以上，更优选为10μm以上。胶粘薄膜11的厚度优选为200μm以下，更优选为100μm以下。

胶粘薄膜11可以用于制造半导体装置。

(隔片13)

作为隔片13，可以列举聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。隔片13优选为经脱模处理后的隔片。隔片13的厚度可以适当设定。

(切割胶带一体型胶粘薄膜71)

切割胶带一体型胶粘薄膜71包含切割胶带12和配置在切割胶带12上的胶粘薄膜11。切割胶带12包含基材121和配置在基材121上的粘合剂层122。粘合剂层122包含与胶粘薄膜11接触的接触部122A。粘合剂层122还包含配置在接触部122A的周边的周边部122B。接触部122A利用辐射线进行了固化。另一方面，周边部122B具有利用辐射线固化的性质。作为辐射线，优选紫外线。

基材121优选具有辐射线透射性。基材121更优选具有紫外线透射性。作为基材121，可以使用例如：纸等纸类基材；布、无纺布、毡、网等纤维类基材；金属箔、金属板等金属类基材；塑料薄膜或片等塑料类基材；橡胶片等橡胶类基材；发泡片等发泡体；以及它们的层叠体[特别是塑料类基材与其它基材的层叠体、塑料薄膜(或片)彼此的层叠体等]等适当的薄片状物。作为基材121，可以优选使用塑料薄膜或 片等塑料类基材。作为这样的塑料材料的材料，可以列举例如：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烃类树脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等以乙烯作为单体成分的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸类树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(ARAMID)等酰胺类树脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素类树脂；聚硅氧烷树脂；含氟树脂等。

基材121可以以未拉伸的形式使用，也可以根据需要进行单轴或双轴拉伸处理后使用。通过拉伸处理等赋予基材121热收缩性，通过使基材121热收缩，可以减少粘合剂层122与胶粘薄膜11的胶粘面积，可以容易回收半导体元件。

为了提高与邻接层的粘附性、保持性等，基材121的表面可以实施惯用的表面处理，例如铬酸处理、暴露于臭氧、暴露于火焰、暴露于高压电击、电离辐射处理等化学或物理处理、利用底涂剂的涂布处理。

基材121可以适当地选择使用相同种类或不同种类的基材，可以根据需要将多种共混后使用。另外，为了赋予基材121防静电能力，可以在基材121上设置包含金属、合金、它们的氧化物等的厚度为约～约的导电性物质的蒸镀层。基材121可以为单层或两层以上的多层。

基材121的厚度(在层叠体的情况下为总厚度)没有特别限制，可以根据强度、柔软性、使用目的等适当选择，例如，一般为约1000μm以下(例如约1μm～约1000μm)，优选为约10μm～约500μm，进一 步优选为约20μm～约300μm，特别为约30μm～约200μm，但是不限于这些。

需要说明的是，基材121中可以含有各种添加剂(着色剂、填充材料、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。

粘合剂层122由粘合剂形成，具有粘合性。作为这样的粘合剂，没有特别限制，可以从公知的粘合剂中适当选择。具体而言，作为粘合剂，可以从例如丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、乙烯基烷基醚类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂、聚酯类粘合剂、聚酰胺类粘合剂、聚氨酯类粘合剂、含氟型粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物类粘合剂、在这些粘合剂中配合有熔点约200℃以下的热熔融性树脂的蠕变特性改良型粘合剂等公知的粘合剂(例如参见日本特开昭56-61468号公报、日本特开昭61-174857号公报、日本特开昭63-17981号公报、日本特开昭56-13040号公报等)中适当选择使用具有所述特性的粘合剂。另外，作为粘合剂，可以使用辐射固化型粘合剂(或者能量射线固化型粘合剂)、热膨胀性粘合剂。粘合剂可以单独使用或者两种以上组合使用。

作为粘合剂，可以优选使用丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂，特别优选丙烯酸类粘合剂。作为丙烯酸类粘合剂，可以列举以使用一种或两种以上(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体成分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。

作为丙烯酸类粘合剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯，可以列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲 基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，优选烷基的碳原子数为4～18的(甲基)丙烯酸烷基酯。需要说明的是，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可以为直链或支链的任一种。

需要说明的是，为了改善凝集力、耐热性、交联性等，丙烯酸类聚合物根据需要可以含有与能够与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分(可共聚单体成分)对应的单元。作为这样的可共聚单体成分，可以列举例如：(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等含酸酐基单体；(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；丙烯酰磷酸2-羟基乙酯等含磷酸基单体；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代的)酰胺类单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯类单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等含氰基单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸类单体；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯类单体；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯类单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃类单体；乙烯基醚等乙烯基醚类单体；N- 乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、N-乙烯基己内酰胺等含氮单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺类单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺类单体；N-(甲基)丙烯酰氧亚甲基琥珀酰亚胺、N-[6-(甲基)丙烯酰氧基六亚甲基]琥珀酰亚胺、N-[8-(甲基)丙烯酰氧基八亚甲基]琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺类单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇类丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯、聚硅氧烷(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯类单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯等多官能单体等。这些可共聚单体成分可以使用一种或两种以上。

使用辐射固化型粘合剂(或者能量射线固化型粘合剂)作为粘合剂的情况下，作为辐射固化型粘合剂(组合物)，可以列举例如：使用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有自由基反应性碳碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型的辐射固化型粘合剂、或者在粘合剂中配合有紫外线固化性单体成分或低聚物成分的辐射固化型粘合剂等。另外，使用热膨胀性粘合剂作为粘合剂的情况下，作为热膨胀性粘合剂，可以列举例如：含有粘合剂和发泡剂(特别是热膨胀性微球)的热膨胀性粘合剂等。

粘合剂层122可以含有各种添加剂(例如，增粘树脂、着色剂、增稠剂、增量剂、填充剂、增塑剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。

粘合剂层122例如可以通过将粘合剂(压敏胶粘剂)和根据需要的溶剂、其它添加剂等混合，并利用形成为片状层的惯用的方法形成。具体而言，例如，可以通过将含有粘合剂以及根据需要的溶剂和其它添加剂的混合物涂布到基材121上的方法、将混合物涂布到适当的隔片(剥离纸等)上而形成粘合剂层122并将其转印(转移)到基材121上的方法等形成粘合剂层122。

粘合剂层122的厚度优选为1μm以上，更优选为2μm以上，进一步优选为5μm以上。粘合剂层122的厚度优选为100μm以下，更优选为50μm以下，进一步优选为30μm以下。需要说明的是，粘合剂层122可以为单层、多层的任一种。

(半导体装置的制造方法)

如图3所示，将半导体晶片4压接在切割胶带一体型胶粘薄膜71上。作为半导体晶片4，可以列举硅晶片、碳化硅晶片、化合物半导体晶片等。作为化合物半导体晶片，可以列举氮化镓晶片等。

作为压接方法，可以列举例如利用压接辊等按压工具进行按压的方法等。

压接温度(粘贴温度)优选为35℃以上，更优选为37℃以上。优选压接温度的上限低，优选为80℃以下，更优选为70℃以下。通过在低温下压接，可以防止对半导体晶片4的热影响，并且可以抑制半导体晶片4的翘曲。另外，压力优选为1×10⁵Pa～1×10⁷Pa，更优选为2×10⁵Pa～8×10⁶Pa。

如图4所示，通过将半导体晶片4切割，形成芯片接合用芯片5。芯片接合用芯片5包含半导体芯片41和配置在半导体芯片41上的薄膜状胶粘剂111。半导体芯片41包含电极焊盘。作为电极焊盘的材料，可以列举铝等。本工序中，可以采用切入一直进行到切割胶带一体型胶粘薄膜71的称为全切割的切割方式等。作为切割装置，没有特别限制，可以使用现有公知的切割装置。另外，半导体晶片4由切割胶带一体型胶粘薄膜71胶粘固定，因此可以抑制芯片缺损或芯片飞散，并且也可以抑制半导体晶片4的破损。

将芯片接合用芯片5拾取。作为拾取方法，没有特别限制，可以使用现有公知的各种方法。例如可以列举：用针将各个半导体芯片41从切割胶带一体型胶粘薄膜71一侧上推，然后利用拾取装置拾取芯片接合用芯片5的方法等。

如图5所示，准备构件6。构件6包含被粘物606、半导体芯片641和将半导体芯片641和被粘物606连接的接合线607。更具体而言，构件6包含被粘物606、配置在被粘物606上的胶粘层611、配置在胶粘层611上的半导体芯片641和将半导体芯片641和被粘物606连接的接合线607。接合线607将半导体芯片641的电极焊盘与被粘物606的端子连接。即，接合线607的一端与半导体芯片41的电极焊盘接触。接合线607的另一端与被粘物606的端子接触。作为被粘物606，可以列举引线框、TAB薄膜、基板等。作为接合线607的材料，可以列举铜等。

如图6所示，通过将芯片接合用芯片6压接在构件6上而形成复合构件2。具体而言，将芯片接合用芯片5压接在构件6的半导体芯片641上。

复合构件2包含构件6和配置在构件6上的芯片接合用芯片5。 具体而言，复合构件2包含被粘物606、配置在被粘物606上的胶粘层611、配置在胶粘层611上的半导体芯片641、配置在半导体芯片641上的薄膜状胶粘剂111、配置在薄膜状胶粘剂111上的半导体芯片41和具有埋入薄膜状胶粘剂111的部分的接合线607。接合线607将半导体芯片641和被粘物606连接。接合线607的一端与半导体芯片41的电极焊盘接触。接合线607的另一端与被粘物606的端子接触。接合线607的另一端未与薄膜状胶粘剂111接触。

将芯片接合用芯片5压接在构件6上的温度(以下也称为“芯片粘接温度”)优选为80℃以上，更优选为100℃以上，进一步优选为110℃以上。另外，芯片粘接温度优选为180℃以下，更优选为140℃以下，进一步优选为130℃以下。

芯片粘接的载荷优选为0.05MPa以上。芯片粘接的载荷优选为0.5MPa以下，更优选为0.3MPa以下。

通过加热复合构件2而使薄膜状胶粘剂111固化。由此，使半导体芯片41固定在构件6上。优选在加压气氛下加热薄膜状胶粘剂111。通过在加压气氛下使薄膜状胶粘剂111固化，可以消除在薄膜状胶粘剂111与构件6之间存在的空隙，可以确保薄膜状胶粘剂111与构件6接触的面积。

作为在加压气氛下加热的方法，可以列举例如：对配置在填充有惰性气体的腔室内的复合构件2进行加热的方法等。加压气氛的压力优选为0.5kg/cm²(4.9×10^-2MPa)以上。为0.5kg/cm²以上时，可以容易地消除在薄膜状胶粘剂111与构件6之间存在的空隙。加压气氛的压力优选为20kg/cm²(1.96MPa)以下。为20kg/cm²以下时，可以抑制由于过度的加压而造成的薄膜状胶粘剂111的突出。

加热温度优选为100℃以上，更优选为120℃以上。加热温度优选 为260℃以下，更优选为200℃以下。

如图7所示，用接合线407将半导体芯片41的电极焊盘与被粘物606的端子电连接。

引线接合工序包括：将接合线407的一端与半导体芯片41的电极焊盘接合的步骤、将接合线407的另一端与被粘物606的端子接合的步骤等。

进行引线接合工序后，利用密封树脂8将半导体芯片41和半导体芯片641密封。作为密封树脂，例如使用环氧树脂。

根据需要，在密封后可以进一步进行加热(后固化工序)。由此，可以使在密封工序中固化不充分的密封树脂8完全固化。加热温度可以适当设定。

通过以上的方法得到的半导体装置包含被粘物606、配置在被粘物606上的胶粘层611、配置在胶粘层611上的半导体芯片641、配置在半导体芯片641上的胶粘层411、配置在胶粘层411上的半导体芯片41和具有埋入胶粘层411的部分的接合线607。半导体装置还包含半导体芯片41和覆盖半导体芯片641的密封树脂8。密封树脂8也覆盖接合线607。胶粘层411通过薄膜状胶粘剂111固化而形成。

半导体装置可以用于存储器等。

如上所述，半导体装置的制造方法包括准备构件6的工序、将半导体晶片4压接在胶粘薄膜11上的工序、在将半导体晶片4压接在胶粘薄膜11上的工序之后通过进行芯片分割而形成芯片接合用芯片5的工序、和将芯片接合用芯片5压接在构件6上的工序。

还包括加热通过将芯片接合用芯片5压接在构件6上的工序而形成的复合构件2，从而使薄膜状胶粘剂111固化的工序。还包括利用接合线407将半导体芯片41和被粘物606连接的工序。还包括利用密封树脂8将半导体芯片41和半导体芯片641密封的工序。

(变形例1)

粘合剂层122的接触部122A具有利用辐射线固化的性质。粘合剂层122的周边部122B也具有利用辐射线固化的性质。在半导体装置的制造方法中，形成芯片接合用芯片5，对粘合剂层122照射紫外线，并拾取芯片接合用芯片5。由此，粘合剂层122对芯片接合用芯片5的粘合力下降，因此可以容易地拾取芯片接合用芯片5。

(变形例2)

粘合剂层122的接触部122A利用辐射线进行了固化。粘合剂层122的周边部122B也利用辐射线进行了固化。

(变形例3)

胶粘薄膜11形成为包含第1层和配置在第1层上的第2层的多层形状。

(变形例4)

如图8所示，切割胶带12的整个粘合面与胶粘薄膜11接触。粘合剂层122优选具有利用辐射线固化的性质。在半导体装置的制造方法中，形成芯片接合用芯片5，对粘合剂层122照射紫外线，并拾取芯片接合用芯片5。由此，粘合剂层122对芯片接合用芯片5的粘合力下降，因此可以容易地拾取芯片接合用芯片5。

(变形例5)

形成芯片接合用芯片5的工序包括通过对配置在切割胶带一体型胶粘薄膜71上的半导体晶片4照射激光而在半导体晶片4的内部形成 脆弱层的步骤。形成芯片接合用芯片5的工序还包括在形成脆弱层的步骤之后进行扩张的步骤。通过扩张，将胶粘薄膜11和半导体晶片4同时分割。

(变形例6)

如图9所示，通过将芯片接合用芯片5压接在构件6的被粘物606上而形成复合体20。复合体20包含被粘物606、配置在被粘物606上的薄膜状胶粘剂111和配置在薄膜状胶粘剂111上的半导体芯片41。复合体20包含埋入薄膜状胶粘剂111的半导体芯片641和接合线607。接合线607将半导体芯片641和被粘物606连接。接合线607的一端与半导体芯片41的电极焊盘接触。接合线607的另一端与被粘物606的端子接触。接合线607包含埋入薄膜状胶粘剂111的两端。胶粘层611位于被粘物606和半导体芯片641之间。半导体芯片641优选为控制芯片。如图10所示，将层叠用芯片1005压接在半导体芯片41上。层叠用芯片1005包含半导体芯片1041和配置在半导体芯片1041上的薄膜状胶粘剂111。利用接合线1407将半导体芯片1041和半导体芯片41连接。用密封树脂将半导体芯片41和半导体芯片1041密封。

(其它变形例)

变形例1～变形例6等可以任意地组合。

[实施方式2]

(多层薄膜9)

如图11所示，多层薄膜9包含隔片14、配置在隔片14上的胶粘薄膜11和配置在胶粘薄膜11上的隔片15。胶粘薄膜11可以由与隔片14接触的第1面和与第1面相对的第2面定义两个面。第2面与隔片15接触。

作为隔片14，可以列举聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。隔片14优选为经脱模处理后的隔片。隔片14的厚度可以适当设定。

作为隔片15，可以列举聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。隔片15优选为经脱模处理后的隔片。隔片15的厚度可以适当设定。

(半导体装置的制造方法)

半导体装置的制造方法包括准备构件6的工序、将半导体晶片4压接在胶粘薄膜11上的工序、在将半导体晶片4压接在胶粘薄膜11上的工序之后通过进行芯片分割而形成芯片接合用芯片5的工序、和将芯片接合用芯片5压接在构件6上的工序。

半导体装置的制造方法还包括包含将隔片14剥离的步骤和在将隔片14剥离的步骤之后将胶粘薄膜11与切割胶带12贴合的步骤的工序。将半导体晶片4压接在胶粘薄膜11上的工序包括将隔片15剥离的步骤和在将隔片15剥离的工序之后将半导体晶片4压接在胶粘薄膜11上的步骤。

还包括对通过将芯片接合用芯片5压接在构件6上的工序形成的复合构件进行加热，由此使薄膜状胶粘剂111固化的工序。还包括利用接合线407将半导体芯片41和被粘物606连接的工序。还包括利用密封树脂8将半导体芯片41和半导体芯片641密封的工序。

(变形例)

胶粘薄膜11形成为包含第1层和配置在第1层上的第2层的多层形状。实施方式2可以采用实施方式1的变形例5、6等。

【实施例】

以下，关于本发明，使用实施例进行详细说明，但是只要不超出本发明的要旨，则本发明不限于以下的实施例。

对实施例中使用的成分进行说明。

丙烯酸类树脂：Nagase ChemteX公司制造的Teisan Resin SG-708-6(具有羟基和羧基的丙烯酸酯共聚物，Mw：70万，玻璃化转变温度：4℃)

环氧树脂1：东都化成公司制造的KI-3000(环氧当量195～205g/eq.的固态环氧树脂)

环氧树脂2：三菱化学公司制造的jER YL980(环氧当量180～190g/eq.的液态环氧树脂)

酚醛树脂：MEH-7851SS，明和化成公司制造的MEH-7851SS(羟基当量203g/eq.的固态酚醛树脂)

二氧化硅填料：Admatechs公司制造的SE-2050MC(平均粒径0.5μm的二氧化硅填料)

PMMA粒子：根上工业公司制造的Art Pearl J-4PY(平均粒径2.2μm，最大粒径5μm，单分散等级，比重1.2的球形PMMA粒子)

催化剂：北兴化学公司制造的TPP-MK(四苯基四对甲苯基硼酸盐)

[胶粘薄膜的制作]

根据表1所示的配合比配合各成分和甲乙酮(MEK)，并进行搅拌，由此得到清漆。将清漆涂布在隔片(聚硅氧烷脱模处理后的PET薄膜)上，在130℃的烘箱中干燥2分钟，从而得到厚度60μm的胶粘薄膜。

[评价]

对于所得到的胶粘薄膜，进行以下的评价。结果如表1所示。

(储能弹性模量G’、损耗弹性模量G”以及tanδ)

通过层叠多片胶粘薄膜而得到厚度约1000μm的层叠体。通过冲裁层叠体而得到直径8mm的圆盘状的试验片。使用HAAKE公司制造的MARS III，在频率0.1Hz～10Hz、测定温度120℃、测定间隙700μm、应变0.10％、夹具直径8mm的条件下，测定了试验片的储能弹性模量G’、损耗弹性模量G”、tanδ。

(粘度)

通过层叠多片胶粘薄膜而得到厚度约120μm的片。从片切出20mm见方的试验片。使用HAAKE公司制造的MARS III，在测定速度5(1/s)、测定温度120℃、测定时间5分钟、测定间隙100μm、夹具直径15mm的条件下测定了试验片的粘度。

(掩埋性)

除了厚度为25μm以外制作与实施例1的胶粘薄膜相同的芯片接合薄膜。将纵向6mm×横向6mm的第1芯片粘贴到芯片接合薄膜上。沿第1芯片切割芯片接合薄膜，由此得到带有第1芯片的芯片接合薄膜。将带有第1芯片的芯片接合薄膜压接在BGA基板上，由此得到带有第1芯片的BGA基板。然后，在0.5kg/cm²下在150℃进行1小时的热固化。在带有第1芯片的BGA基板上钉进47根23μm的金属线。金属线彼此的间隔为100μm，从第1芯片的上表面至金属线顶点的高度最高为50μm。将纵向6mm×横向6mm的第2芯片粘贴在胶粘薄膜上。沿第2芯片切割胶粘薄膜，由此得到带有第2芯片的胶粘薄膜。在芯片粘接温度120℃、芯片粘接时间1秒、芯片粘接载荷0.1MPa的条件下，将带有第2芯片的胶粘薄膜压接在带有第1芯片的BGA基板上。然后，在0.5kg/cm²下在150℃进行1小时的热固化。使用扫描型电子显微镜(SEM)观察在金属线下是否存在空隙。在金属线下不存在空隙时判断为“○”。在金属线下存在空隙时判断为“×”。

(突出)

将纵向6mm×横向6mm的芯片粘贴在胶粘薄膜上。沿芯片切割胶粘薄膜，由此得到带有芯片的胶粘薄膜。在芯片粘接温度120℃、芯片粘接时间1秒、芯片粘接载荷0.1MPa的条件下，将带有芯片的胶粘薄膜压接在BGA基板上，由此得到带有芯片的BGA基板。使用显微镜从上方观察带有芯片的BGA基板。胶粘薄膜从芯片的端部突出超过100μm时判断为“×”。胶粘薄膜从芯片的端部突出100μm以下时判断为“○”

表1