1.一种胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的tanδ(损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’)为0.7～2.0。
2.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的储能弹性模量G’为10000Pa以下，并且所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的损耗弹性模量G”为5000Pa以下。
3.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的120℃的粘度为2000Pa·s以下。
4.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜用于半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法包括如下工序：
准备包含被粘物、第1半导体芯片以及将所述第1半导体芯片和所述被粘物连接的接合线的构件的工序；
将半导体晶片压接在所述胶粘薄膜上的工序；
在将所述半导体晶片压接在所述胶粘薄膜上的工序之后，通过进行芯片分割而形成包含第2半导体芯片和配置在所述第2半导体芯片上的薄膜状胶粘剂的芯片接合用芯片的工序；和
将所述芯片接合用芯片压接在所述构件上的工序。
5.一种切割胶带一体型胶粘薄膜，其包含：
包含基材和配置在所述基材上的粘合剂层的切割胶带、和
配置在所述粘合剂层上的权利要求1～4中任一项所述的胶粘薄膜。
6.一种多层薄膜，其包含：
隔片、和
配置在所述隔片上的权利要求5所述的切割胶带一体型胶粘薄 膜。
7.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
准备包含被粘物、第1半导体芯片以及将所述第1半导体芯片和所述被粘物连接的接合线的构件的工序；
将半导体晶片压接在权利要求1～4中任一项所述的胶粘薄膜上的工序；
在将所述半导体晶片压接在所述胶粘薄膜上的工序之后，通过进行芯片分割而形成包含第2半导体芯片和配置在所述第2半导体芯片上的薄膜状胶粘剂的芯片接合用芯片的工序；和
将所述芯片接合用芯片压接在所述构件上的工序。
8.一种半导体装置，其通过权利要求7所述的制造方法得到。