本实用新型涉及一种高气体阻隔性手机制程保护膜。
背景技术：
手机生产行业中制程保护膜的使用较为广泛，例如背光组件中的导光板、偏光膜及扩散膜在组装过程中都需要采用制程保护膜进行保护。原先的制程保护膜通常以聚乙烯层作为基材层，其上设置胶粘剂层，基材层仅仅起到遮挡的作用，无法有效的防止生产过程中的酸液侵蚀（尤其是对边缘腐蚀的电容屏实施保护处理时）。为此，目前的一类制程保护膜都在基材层上涂覆耐酸胶粘剂层，通过耐酸胶粘剂层与目标物表面接触能够防止基材层轻易剥落。
然而在实际的生产过程中，我们发现已知的上述制程保护膜还缺乏优良的气体阻隔性能，因为在具体的手机组装及部件修复处理过程中，电器部件在一定的温度条件下其内部腐蚀性材料会以气体的形式蒸发覆盖至保护膜表面，对其进行侵蚀，从基材层外表面及四周腐蚀产品，最终导致产品报废。
技术实现要素：
本实用新型目的是：提供一种高气体阻隔性手机制程保护膜，该制程保护膜能够有效防止气化的酸性腐蚀物质侵蚀基材层的背面，对产品提供更好的阻隔保护作用。
本实用新型的技术方案是：一种高气体阻隔性手机制程保护膜，包括基材层、设置于基材层下表面上的第一耐酸胶粘剂层以及设置于第一耐酸胶粘剂层下表面上的离型膜层；其特征在于所述基材层的上表面上设有第二耐酸胶粘剂层，而第二耐酸胶粘剂层的上表面设有气体阻隔层，所述气体阻隔层为聚偏二氯乙烯层。
进一步的，本实用新型中所述基材层和气体阻隔层的厚度比为4:5~1:1。
进一步的，本实用新型中所述第二耐酸胶粘剂层与第一耐酸胶粘剂层的厚度比为3:5~1:1。
优选的，本实用新型中所述气体阻隔层的厚度为60~100μm。
优选的，本实用新型中所述第二耐酸胶粘剂层的厚度为4~80μm。
进一步的，本实用新型中所述基材层为聚乙烯层、聚氯乙烯层和双向拉伸聚丙烯层中的一种。
本实用新型的优点是：
1、本实用新型提供的这种制程保护膜，由于在基材层的上表面（背面）进一步增加了专门的气体阻隔层，该阻隔层能够有效防止气化的酸性腐蚀物质侵蚀基材层的背面，给产品提供更好的阻隔保护作用，大大提高产品质量。
2、本实用新型中的耐酸胶粘剂层采用双层结构，分别设于基材层两面，其中之一承担常规的与产品表面的粘结作用，而另一层则阻隔酸性腐蚀液体或物质经基材层向后传输至气体阻隔层，两层耐酸胶粘剂层相互作用给予本实用新型更好的耐酸防护性能。
3、本实用新型通过控制基材层和气体阻隔层的厚度比，确保一定的气体阻隔性能的前提下，控制生产成本（主要是限制聚偏二氯乙烯的用量），成本节约达10~20%，有助于提高产品市场竞争力，带来极为可观的经济效益。
4、本实用新型运用于实际的手机生产，经长期试验统计，其气体阻隔性能提升了10~15%。
附图说明
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
图1为本实用新型的结构示意图。
其中：1、基材层；2、第一耐酸胶粘剂层；3、离型膜层；4、第二耐酸胶粘剂层；5、气体阻隔层。
具体实施方式
实施例1：如图1所示为本实用新型高气体阻隔性手机制程保护膜的一种具体实施方式，其具有基材层1、设置于基材层1下表面上的第一耐酸胶粘剂层2以及设置于第一耐酸胶粘剂层2下表面上的离型膜层3；主要改进在于所述基材层1的上表面上设有第二耐酸胶粘剂层4，而第二耐酸胶粘剂层4的上表面设有气体阻隔层5，所述气体阻隔层5为聚偏二氯乙烯层。
本实施例中所述基材层1为聚乙烯层，其厚度为80μm。
本实施例中所述气体阻隔层5的厚度为100μm，故基材层1与该气体阻隔层5的厚度比为4:5。
本实施例中所述第一耐酸胶粘剂层2的厚度为20μm，而所述第二耐酸胶粘剂层4的厚度为12μm，故其与第一耐酸胶粘剂层2的厚度比为3:5。
实施例2：依旧参考图1所示，本实用新型高气体阻隔性手机制程保护膜的另一种具体实施方式，其具有基材层1、设置于基材层1下表面上的第一耐酸胶粘剂层2以及设置于第一耐酸胶粘剂层2下表面上的离型膜层3；主要改进在于所述基材层1的上表面上设有第二耐酸胶粘剂层4，而第二耐酸胶粘剂层4的上表面设有气体阻隔层5，所述气体阻隔层5为聚偏二氯乙烯层。
本实施例中所述基材层1为双向拉伸聚丙烯层，其厚度为100μm。
本实施例中所述气体阻隔层5的厚度为100μm，故基材层1与该气体阻隔层5的厚度比为1:1。
本实施例中所述第一耐酸胶粘剂层2的厚度为60μm，而所述第二耐酸胶粘剂层4的厚度为60μm，故其与第一耐酸胶粘剂层2的厚度比为1:1。
当然上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。