技术特征：1.一种导电性粘接膜，包含金属粒子(p)、树脂(m)以及下述通式(1)所示的硫醚化合物(a)，
2.根据权利要求1所述的导电性粘接膜，其中，
3.根据权利要求1所述的导电性粘接膜，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性粘接膜，其中，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性粘接膜，其中，
6.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性粘接膜，其中，
7.根据权利要求6所述的导电性粘接膜，其中，
8.根据权利要求1至3中任一项所述的导电性粘接膜，其中，
9.根据权利要求6至8中任一项所述的导电性粘接膜，其中，
10.一种切割芯片接合膜，是将权利要求1至9中任一项所述的导电性粘接膜与切割带进行粘合而形成。
技术总结本发明涉及导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜，所述导电性粘接膜包含金属粒子、树脂以及通式(1)所示的硫醚化合物，硫醚化合物的含量为4.5～10.0质量％，树脂包含热固性树脂，金属粒子的平均粒径(d50)为20μm以下，金属粒子包含10质量％以上的第一金属粒子，第一金属粒子在一次粒子的状态下利用投影图观察时的分形维数为1.1以上，金属粒子还包含由球状金属粉构成的第二金属粒子，第一金属粒子与第二金属粒子或者第二金属粒子与第二金属粒子相互形成金属间化合物，在利用DSC进行分析的情况下，在进行烧结前的状态下至少观测到1个在100～250℃的温度范围内的吸热峰，且在烧结后的状态下该吸热峰消失。
技术研发人员：三原尚明,切替德之,杉山二朗
受保护的技术使用者：古河电气工业株式会社
技术研发日：技术公布日：2024/1/15