层 204注入到发光层203,从而使发光层203发光。
[0140] 从发光层203发出的蓝色系的光透射过ρ型半导体层204和透明电极207而从透 明电极207的上表面207b出射，入射到荧光体21的第1面21a。
[0141] 单晶焚光体21将从发光兀件200发出的蓝色系的光的一部分吸收，发出黄色系的 荧光。
[0142] 从发光元件200发出并前往单晶荧光体21的蓝色系的光中的一部分被单晶荧光 体21吸收而被进行波长变换，作为黄色系的光从单晶荧光体21的第2面21b出射。另外， 从发光元件200发出并前往单晶荧光体21的蓝色系的光中的一部分未被单晶荧光体21吸 收，而从第2面21b出射。蓝色与黄色为互补色关系，因此，发光装置20发射由蓝色光和黄 色光混合而成的白色光。
[0143]另外，在密封材料15包含红色系荧光体的情况下，红色系荧光体将从发光元件 200发出的蓝色系的光的一部分吸收，发出红色系的荧光。在该情况下，发光装置20发射由 蓝色光、黄色光和红色光混合而成的白色光。通过混合红色光，能够提高白色光的显色性。
[0144][第4实施方式]
[0145] 第4实施方式在单晶荧光体的设置位置上与第2实施方式不同。此外，对于与第 2实施方式相同之处，将说明省略或者简化。
[0146] 图8是第4实施方式的发光装置30的垂直截面图。发光装置30具有：基板11， 其在表面具有配线12a、12b;发光元件发光元件100,其搭载在基板11上；单晶荧光体31， 其设置在发光元件100的上方；环状的侧壁14,其包围发光元件100 ;以及密封材料15,其 密封发光元件100和单晶荧光体21。
[0147] 单晶荧光体31是包括第1实施方式的单晶荧光体的平板状的单晶荧光体。单晶 荧光体31由1个单晶构成，因此不包含晶界。
[0148] 单晶荧光体31以将环状的侧壁14的开口部塞住的方式设置在侧壁14的上表面 14b上。从发光元件100的元件基板101的第2主面101b出射的光入射到单晶荧光体31 的第1面31a。
[0149] 单晶焚光体31将从发光兀件100发出的蓝色系的光的一部分吸收，发出黄色系的 荧光。
[0150] 从发光元件100发出并前往单晶荧光体31的蓝色系的光中的一部分被单晶荧光 体31吸收而被进行波长变换，作为黄色系的光从单晶荧光体31的第2面31b出射。另外， 从发光元件100发出并前往单晶荧光体31的蓝色系的光中的一部分未被单晶荧光体31吸 收，而从第2面31b出射。蓝色与黄色为互补色关系，因此，发光装置30发射由蓝色光和黄 色光混合而成的白色光。
[0151]另外，在密封材料15包含红色系荧光体的情况下，红色系荧光体将从发光元件 100发出的蓝色系的光的一部分吸收，发出红色系的荧光。在该情况下，发光装置30发射由 蓝色光、黄色光和红色光混合而成的白色光。通过混合红色光，能够提高白色光的显色性。 此外，在发光装置30不包含红色系荧光体的情况下，发光装置30也可以不具有密封材料 15。
[0152][第5实施方式]
[0153] 接着，参照图9来说明本发明的第5实施方式。图9是第5实施方式的发光装置 40的垂直截面图。如图9所示，在本实施方式中，荧光体的状态及其配置与第2实施方式不 同。以下，对具有与第2实施方式相同的功能和构成的发光装置40的构成要素标注相同的 附图标记而将说明省略。
[0154] 如图9所示，发光装置40具有：发光元件100，其是LED等发光元件；基板11，其支 撑发光元件100 ;侧壁14,其包括白色的树脂；以及密封材料15,其密封发光元件100。
[0155] 在密封材料15中分散有颗粒状的单晶荧光体41。荧光体41包括第1实施方式的 单晶荧光体，例如可通过将在第1实施方式中制造的单晶荧光体锭粉碎而得到。
[0156] 分散在密封材料15中的单晶荧光体41将从发光元件100发出的蓝色系的光的一 部分吸收，发出例如在514~546nm的波长时具有发光峰值的黄色系的焚光。未被单晶焚 光体41吸收的蓝色系的光和从单晶荧光体41发出的黄色系的荧光混合，从而从发光装置 40发出白色的光。
[0157] 此外，本实施方式的单晶荧光体41也可以应用于其它实施方式。即，也可以使用 本实施方式的单晶荧光体41取代第3实施方式的单晶荧光体21。
[0158][第6实施方式]
[0159] 接着，参照图10来说明本发明的第9实施方式。图10是第6实施方式的发光装 置50的垂直截面图。如图10所示，在本实施方式中，包含颗粒状的单晶荧光体的密封材料 的形状与第5实施方式不同。以下，对具有与第5实施方式相同的功能和构成的发光装置 50的构成要素标注相同的附图标记而将说明省略。
[0160] 如图11所示，发光装置50具有：发光元件100,其是LED等发光元件；基板11，其 支撑发光元件100 ;以及密封材料52,其设置为覆盖发光元件100的表面和基板11的上表 面。
[0161] 在密封材料52中分散有颗粒状的单晶荧光体51。单晶荧光体51包括第1实施方 式的单晶荧光体，例如可通过将在第1实施方式中制造的单晶荧光体锭粉碎而得到。
[0162] 密封材料52是例如硅酮系树脂、环氧系树脂等透明树脂或者玻璃等透明无机材 料。此外，本实施方式的密封材料52在使用涂布法等的制造工序中有时不仅形成在发光元 件100的表面上还形成在基板11上，但也可以不形成在基板11上。
[0163] 分散在密封材料52中的单晶荧光体51将从发光元件100发出的蓝色系的光的一 部分吸收，发出例如在514~546nm的波长时具有发光峰值的黄色系的焚光。未被单晶焚 光体51吸收的蓝色系的光和从单晶荧光体51发出的黄色系的荧光混合，从而从发光装置 50发出白色的光。
[0164] 以上，说明了本发明的实施方式，但本发明不限于上述实施方式，在不脱离发明的 宗旨的范围内能进行各种变形来实施。另外，在不脱离发明的宗旨的范围内能够将上述实 施方式的构成要素任意组合。
[0165] 另外，上面所述的实施方式并非用于限定权利要求书中的发明。另外，应当注意， 实施方式中所说明的特征的组合对用于解决发明的问题的方案来说并非全都是必须的。
[0166] 另外，上述实施方式是能量效率高而能够实现节能的LED发光装置等发光装置或 者该发光装置所使用的单晶荧光体，因此具有节能效果。
[0167] 工业h的可利用件
[0168] 提供发出以往没有的颜色的荧光的YAG系单晶荧光体以及具备该单晶荧光体的 含荧光体构件和发光装置。
[0169] 附图标iP,说明
[0170] 10、20、30、40、5(>"发光装置，13、21、31、41、51."单晶荧光体，100、20(>"发光元 件。
【主权项】
1. 一种单晶荧光体，其特征在于， 具有用组分式（YlabLuaCeb)3 +cAl5c012(0 彡a彡 0.9994， 0· 0002 彡b彡 0· 0067, -0· 016 彡c彡 0· 315)表示的组分， 激励光的峰值波长为450nm且温度为25°C时的发光光谱的CIE色度坐标x、y满足-0. 4377X+0. 7384 彡y彡-0· 4585X+0. 7504 的关系。2. 根据权利要求1所述的单晶荧光体，其中， 上述单晶荧光体的组分式中的a的数值范围为0. 0222 <a< 0. 9994。3. 根据权利要求1所述的单晶荧光体，其中， 上述单晶荧光体的组分式中的a的值为0。4. 一种发光装置，其特征在于，具有： 发光元件，其发出蓝色系的光；以及 黄色系荧光体，其吸收上述发光元件发出的光而发出黄色系的荧光， 上述黄色系荧光体是权利要求1~3中的任1项所述的单晶荧光体。5. 根据权利要求4所述的发光装置，其中， 还具有红色系荧光体，该红色系荧光体吸收上述发光元件发出的光而发出红色系的荧 光。6. 根据权利要求4所述的发光装置，其中， 上述单晶荧光体与上述发光元件是间隔开设置的。7. 根据权利要求4所述的发光装置，其中， 上述单晶荧光体为平板状。8. -种含荧光体构件，其特征在于，具有： 透明构件；以及 颗粒状荧光体，其分散在上述透明构件中， 上述颗粒状荧光体是权利要求1~3中的任1项所述的单晶荧光体。9. 根据权利要求8所述的含荧光体构件，其中， 上述透明构件为透明无机材料。10. -种发光装置，其特征在于，具有： 发光元件，其发出蓝色系的光；以及 权利要求8所述的含荧光体构件。
【专利摘要】提供发出以往没有的颜色的荧光的YAG系单晶荧光体以及具备该单晶荧光体的含荧光体构件和发光装置。作为一实施方式，提供一种单晶荧光体，其具有用组分式(Y1-a-bLuaCeb)3+cAl5-cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，-0.016≤c≤0.315)表示的组分，激励光的峰值波长为450nm且温度为25℃时的发光光谱的CIE色度坐标x、y满足-0.4377x+0.7384≤y≤-0.4585x+0.7504的关系。
【IPC分类】C09K11/80, C09K11/08, H01L33/50
【公开号】CN105283526
【申请号】CN201480013345
【发明人】猪股大介, 新井祐辅, 佐野广明, 青木和夫, 岛村清史, 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
【申请人】株式会社光波, 国立研究开发法人物质·材料研究机构
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年10月22日
【公告号】EP3000864A1, US20160043289, WO2015060350A1