专利名称：炉体温度梯度实时可调机构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及晶体生长设备和高温设备，属于晶体生长设备和半导体设备制造
技术领域，具体是一种炉体温度梯度实时可调机构。
背景技术：
随着现代工业的发展，在新材料行业和半导体行业中对高温设备的需求越来越 多，这些设备包括晶体生长炉、高温烧结炉、CVD和M0CVD设备、溅射设备。在设备需求增加 的同时，对工艺要求也越来越高，对设备的要求也越来越高。 这些相关的热处理设备根据不同的工艺要求，对设备炉膛内的温度梯度有一定的 特殊要求，往往在设备运行时候会发现温场不是太合适，现有设备的炉膛结构由于热传输 时固定的，所以要调节温场只能把设备停机进行调节，极大的浪费了时间和成本。同时调节 的难度也很大，需要多次的摸索，积累经验才可以实现。
实用新型内容本实用新型所解决的技术问题在于提供一种可以在高温设备不停机的情况就可 以实现温场调节的炉体温度梯度实时可调机构。 本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现 —种炉体温度梯度实时可调机构，主要为炉体，由炉壁和炉盖构成，炉盖放置在炉 壁上下端面，其特征在于所述炉壁和上下炉盖在垂直方向上分成一层或多层，在水平方向 上分成一块或多块。 所述分割后的炉壁和炉盖将炉体分成多块独立或半独立腔室，在所述的腔室内设 置导流板或不设置导流板，每块独立的腔室独立控制流体、液体或气体的流量和温度，利用 流体带走热量的同时还利用流量的不同带走不同的热量从而制造出不同的温差达到精确 控制炉内温场梯度的目的。 本实用新型的进一步技术方案是在所述炉体上的各种水冷晶体提拉杆、水冷托 杆、水冷压头、水冷电极和附着在炉体外表面和炉内的各种水冷部件，利用精确控制通过上 述独立腔室部位流体的流量从而精确温差。 本实用新型可以使用在晶体生长炉、高温烧结炉、CVD和M0CVD设备、溅射设备，以 及一切有加热源和利用流体冷却的设备。 本实用新型的有益效果是将炉壁分割成若干个独立室、炉盖也分割成若干个独立 冷却室的炉膛，在应用中每个腔室的冷却流体、液体或气体的温度和流量都可以分别控制， 控制每个小腔室的流量和温度，就可以在炉膛的空间内实现对温度梯度的精确控制。
图1是本实用新型的结构示意图； 图2是图1的俯视3[0013] 图3是本实用新型分割后腔室原理图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下 面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。 如图1和2所示， 一种炉体温度梯度实时可调机构，主要为炉体1，由炉壁和炉盖构 成，炉盖放置在炉壁上下端面为一完整的炉体腔室，将炉壁和上下炉盖在垂直方向上分成 一层或多层，在水平方向上分成一块或多块，将炉体1分成多块独立或半独立腔室ll，腔室 11内设置导流板或不设置导流板，每块独立的腔室11独立控制流体、液体或气体的流量和 温度，利用流体带走热量的同时还利用流量的不同带走不同的热量从而制造出不同的温差 达到精确控制炉内温场梯度。 以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行 业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述 的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还 会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型 要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求一种炉体温度梯度实时可调机构，主要为炉体，由炉壁和炉盖构成，炉盖放置在炉壁上下端面，其特征在于所述炉壁和上下炉盖在垂直方向上分成一层或多层，在水平方向上分成一块或多块。
2. 根据权利要求1所述炉体温度梯度实时可调机构，其特征在于所述分割后的炉壁 和炉盖将炉体分成多块独立或半独立腔室，在所述的腔室内设置导流板或不设置导流板， 每块独立的腔室独立控制流体、液体或气体的流量和温度。
专利摘要一种炉体温度梯度实时可调机构，涉及晶体生长设备和高温设备，属于晶体生长设备和半导体设备制造技术领域，主要为炉体，由炉壁和炉盖构成，炉盖放置在炉壁上下端面，其特征在于所述炉壁和上下炉盖在垂直方向上分成一层或多层，在水平方向上分成一块或多块。有益效果是将炉壁分割成若干个独立室、炉盖也分割成若干个独立冷却室的炉膛，在应用中每个腔室的冷却流体、液体或气体的温度和流量都可以分别控制，控制每个小腔室的流量和温度，就可以在炉膛的空间内实现对温度梯度的精确控制。
文档编号F27D1/00GK201514120SQ20092021023
公开日2010年6月23日 申请日期2009年9月27日 优先权日2009年9月27日
发明者黄小卫 申请人:上海元亮光电科技有限公司