一种70对棒多晶硅还原炉底盘的制作方法

1.本实用新型涉及改良西门子法生产多晶硅技术领域，具体涉及一种70对棒多晶硅还原炉底盘。


背景技术：

2.改良西门子法生产多晶硅是国内、国际上生产多晶硅的主流成熟工艺：以高纯三氯氢硅为原料，在1100℃左右的高纯硅芯上利用高纯氢气将其还原，硅芯在高温发热情况下进行生长单质硅，得到多晶硅棒状产品，其中还原炉是该工艺的核心设备。
3.目前应用最为成熟的是40对棒还原炉，以及少部分72对棒还原炉。但是40对棒的产量相对较低，电耗也相对高一些；而72对棒运行较不稳定，产品质量较差。因此为解决上述问题，有必要开发一种大型的，高产节能的还原炉，合理的进行底盘布置，充分利用热辐射，进一步降低还原炉运行电耗，提升国内多晶硅行业竞争力。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于克服上述不足，提供了一种70对棒多晶硅还原炉底盘，以解决现有还原炉产量低，电耗高等问题。
5.本实用新型的目的是这样实现的：
6.一种70对棒多晶硅还原炉底盘，包括底盘法兰、底盘面板、中心尾气孔、电极孔、进料喷嘴和外圈尾气孔，所述中心尾气孔、电极孔、进料喷嘴和外圈尾气孔按设计要求分布在底盘面板上，与底盘法兰、底盘面板共同组合成还原炉底盘，所述中心尾气孔位于底盘面板的中心，沿底盘面板的中心向外依次设有5环电极孔，各环电极孔呈同心圆，所述进料喷嘴设有4环，各环进料喷嘴设置在相邻两环电极孔之间，所述外圈尾气孔按环形分布在底盘面板的最外圈。
7.优选的，由内向外，各环电极孔数量分别为12、20、28、36、44。
8.优选的，由内向外，各环进料喷嘴数量分别为6、12、12、16。
9.优选的，各环的电极孔采用同圈的相邻两个电极孔搭接。
10.优选的，相邻两个电极孔的距离在200
‑
250mm之间调整。
11.优选的，相邻两个电极孔的距离采用235mm。
12.优选的，最外圈每个电极孔中心与还原炉的炉筒内壁之间的距离相等。
13.本实用新型的有益效果是：
14.本实用新型对还原反应过程中产生的各种热量进行整合，充分利用硅棒间的热辐射，在有效提高还原炉单炉产能的前提下，降低电耗，提升品质，提供一种稳定的大型多晶硅还原炉，设备投资低，操作难度小，从而大幅降低多晶硅生产成本。
附图说明
15.图1为本实用新型的结构示意图。
16.其中：1、底盘法兰；2、底盘面板；3、中心尾气孔；4、电极孔；5、进料喷嘴；6、外圈尾气孔。
具体实施方式
17.参见图1，本实用新型涉及一种70对棒多晶硅还原炉底盘，包括底盘法兰1、底盘面板2、中心尾气孔3、电极孔4、进料喷嘴5和外圈尾气孔6，所述中心尾气孔3、电极孔4、进料喷嘴5和外圈尾气孔6按设计要求分布在底盘面板2上，与底盘法兰1、底盘面板2共同组合成还原炉底盘，所述中心尾气孔3位于底盘面板2的中心，中心尾气孔3大小dn150
‑
dn300mm之间且尾气孔为水冷夹套结构，沿底盘面板2的中心向外依次设有5环电极孔4，由内向外各环电极孔4数量分别为12、20、28、36、44，共计140个，各环电极孔4呈同心圆，所述进料喷嘴5设有4环，各环进料喷嘴5设置在相邻两环电极孔之间，由内向外各环进料喷嘴5数量分别为6、12、12、16，共计46个，在底盘面板2的最外圈环形分布有8个外圈尾气孔6，外圈尾气孔6大小dn50
‑
dn150mm之间，同样采用水冷夹套结构。由于尾气温度太高，水冷夹套结构可以有效降低金属内管的金属壁温，确保安全运行。
18.各环的电极孔4采用同圈的相邻两个电极孔搭接，共70对电极孔。
19.同环的相邻两个电极孔4的距离（电极间距）采用235mm，也可在200
‑
250mm之间调整。
20.为获得最优的气场与热场，建议最外圈的单个电极孔中心与还原炉的炉筒内壁之间的距离相等，距离为200~350mm。
21.除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。