一种螺旋缓冲式高温扩散炉管的制作方法

本实用新型涉及半导体生产技术领域，尤其涉及一种螺旋缓冲式高温扩散炉管。

背景技术：

炉管是半导体器件制造过程中用于对硅片进行扩散、氧化及烧结等工艺的一种热加工设备，半导体材料在高纯净的反应腔内进行高温反应，此过程一般需要通入不同种类的气体或对腔体进行抽真空处理。

目前市场上已有的装置在对半导体材料进行加工反应时，都是直接将反应所需气体直接通入炉管内，不同温度的气体可能会导致反应无法正常进行，影响生产效率。为此，我们提出一种螺旋缓冲式高温扩散炉管。

技术实现要素：

本实用新型主要是解决上述现有技术所存在的技术问题，提供一种螺旋缓冲式高温扩散炉管。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案，一种螺旋缓冲式高温扩散炉管，包括炉管、支撑架和底座，炉管为圆柱型结构，且炉管的前侧面开设有连通至炉管内部的圆孔，支撑架为矩形结构的板，且支撑架的顶部壁面开设有弧形的槽，底座为矩形结构的块，底座的顶部壁面开设有弧形的槽，炉管安装在底座顶部开设的弧形槽内，炉管的后方设置有加热系统，炉管的前方设置有密封系统，炉管的内部设置有加工系统，炉管的上方设置有真空系统。

加热系统包括加热管和进气管，加热管为圆柱型空心结构，加热管的前侧壁面与炉管的后侧壁面固定连接，加热管的侧壁中间下方与支撑架上开设的弧形槽连接，进气管为圆柱型结构，且进气管的前后侧壁均开设有大小相等且互相连通的圆孔，进气管的侧壁后方贯穿安装在加热管的后侧壁面，且进气管的后侧壁面与加热管的后侧壁面位于同一平面，进气管的前侧壁面固定安装有螺旋输气管，螺旋输气管为螺旋型结构的管，螺旋输气管的后侧壁面与进气管的前侧壁面大小相吻合，螺旋输气管的前侧壁面设置有出气管，出气管为管状结构，出气管的后侧壁面与螺旋输气管的前侧壁面固定连接，且出气管的侧壁前方贯穿了加热管的前侧壁位于炉管的内部。

作为优选，所述密封系统包括密封盖和活页连接块，活页连接块的后侧壁与炉管的前侧壁中间靠近左侧的位置固定连接，活页连接块的右侧壁与密封盖的侧壁左边固定连接，使得密封盖可以以活页连接块为基点旋转，密封盖的前侧壁中间开设有贯穿密封盖前后侧壁的圆孔，孔内安装有观察镜，密封盖的前侧壁中间靠近右侧的位置固定安装有把手。

作为优选，所述加工系统包括隔板、滑槽和滑块，隔板安装在炉管的内部，隔板的左右侧壁与炉管的内壁固定连接，滑槽为矩形结构的槽，滑槽开设在隔板的顶部壁面中间位置，滑块为矩形结构的块，滑块安装在滑槽的内部靠近后方的位置。

作为优选，所述滑块的顶部壁面设置有放置板，放置板为矩形结构的板，放置板的底部壁面靠近后方的位置与滑块的顶部壁面固定连接，放置板的前侧壁中间位置固定安装有，的上下侧壁均开设有大小相等且互相连通的圆孔，通过工具可将放置板向前方拉出。

作为优选，所述真空系统包括抽取管和真空泵，抽取管为圆柱型的管，抽取管贯穿了炉管的前方侧壁的上方位置，真空泵设置在抽取管的上方，真空泵的输出端与抽取管固定连接。

有益效果

本实用新型提供了一种螺旋缓冲式高温扩散炉管。具备以下有益效果：

(1)该螺旋缓冲式高温扩散炉管，通过进气管将半导体生产所需的气体向螺旋输气管内输送，气体进入螺旋输气管后经过加热管的加热后继续向前输送，由出气管到达炉管内，避免了因为气体在进入炉管的时候因为温度不够无法正常与半导体材料进行反应而导致反应失败的情况发生。

(2)该螺旋缓冲式高温扩散炉管，使用工具将放置板向外拉出，将半导体部件放在放置板上，然后将放置板推回炉管内，反应完成后将放置板拉出，取得加工后的半导体部件，避免了用手伸入炉管内取材料导致手臂烫伤的情况发生。

附图说明

图1为本实用新型主视图；

图2为本实用新型炉管剖视图；

图3为本实用新型加热管剖视图；

图4为本实用新型滑块位置关系示意图。

图例说明：

1炉管、2加热系统、21加热管、22进气管、23螺旋输气管、24出气管、3支撑架、4密封系统、41密封盖、42活页连接块、43观察镜、44把手、5加工系统、51隔板、52滑槽、53滑块、54放置板、55拉孔、6真空系统、61抽取管、62真空泵、7底座。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例：如图1-图4所示，一种螺旋缓冲式高温扩散炉管，包括炉管1、支撑架3和底座7，炉管1为圆柱型结构，且炉管1的前侧面开设有连通至炉管1内部的圆孔，支撑架3为矩形结构的板，且支撑架3的顶部壁面开设有弧形的槽，底座7为矩形结构的块，底座7的顶部壁面开设有弧形的槽，炉管1安装在底座7顶部开设的弧形槽内，炉管1的后方设置有加热系统2，炉管1的前方设置有密封系统4，炉管1的内部设置有加工系统5，炉管1的上方设置有真空系统6。

加热系统2包括加热管21和进气管22，加热管21为圆柱型空心结构，加热管21的前侧壁面与炉管1的后侧壁面固定连接，加热管21的侧壁中间下方与支撑架3上开设的弧形槽连接，进气管22为圆柱型结构，且进气管22的前后侧壁均开设有大小相等且互相连通的圆孔，进气管22的侧壁后方贯穿安装在加热管21的后侧壁面，且进气管22的后侧壁面与加热管21的后侧壁面位于同一平面，进气管22的前侧壁面固定安装有螺旋输气管23，螺旋输气管23为螺旋型结构的管，螺旋输气管23的后侧壁面与进气管22的前侧壁面大小相吻合，螺旋输气管23的前侧壁面设置有出气管24，出气管24为管状结构，出气管24的后侧壁面与螺旋输气管23的前侧壁面固定连接，且出气管24的侧壁前方贯穿了加热管21的前侧壁位于炉管1的内部。

密封系统4包括密封盖41和活页连接块42，密封盖41为圆盘型结构，活页连接块42的后侧壁与炉管1的前侧壁中间靠近左侧的位置固定连接，活页连接块42的右侧壁与密封盖41的侧壁左边固定连接，使得密封盖41可以以活页连接块42为基点旋转，密封盖41的前侧壁中间开设有贯穿密封盖41前后侧壁的圆孔，孔内安装有观察镜43，观察镜43为圆盘型结构，密封盖41的前侧壁中间靠近右侧的位置固定安装有把手44，把手44为弧形结构的板。

加工系统5包括隔板51、滑槽52和滑块53，隔板51安装在炉管1的内部，隔板51的左右侧壁与炉管1的内壁固定连接，滑槽52为矩形结构的槽，滑槽52开设在隔板51的顶部壁面中间位置，滑块53为矩形结构的块，滑块53安装在滑槽52的内部靠近后方的位置，滑块53的顶部壁面设置有放置板54，放置板54为矩形结构的板，放置板54的底部壁面靠近后方的位置与滑块53的顶部壁面固定连接，放置板54的前侧壁中间位置固定安装有拉孔55，拉孔55的上下侧壁均开设有大小相等且互相连通的圆孔，通过工具可将放置板54向前方拉出。

真空系统6包括抽取管61和真空泵62，抽取管61为圆柱型的管，抽取管61贯穿了炉管1的前方侧壁的上方位置，真空泵62设置在抽取管61的上方，真空泵62的输出端与抽取管61固定连接。

本实用新型的工作原理：

在使用时，首先拉动把手44将密封盖41打开，使用工具将放置板54向外拉出，将半导体部件放在放置板54上，然后将放置板54推回炉管1内，关上密封盖41，使得炉管1密封起来，启动真空泵62，真空泵62通过抽取管61将炉管1内的空气抽干，使得炉管1内变为真空状态。

然后通过进气管22将半导体生产所需的气体向螺旋输气管23内输送，气体进入螺旋输气管23后经过加热管21的加热后继续向前输送，由出气管24到达炉管1内，完成生产，然后打开密封盖41，将放置板54拉出，取得加工后的半导体部件。

最后，应当指出，以上实施例仅是本实用新型较有代表性的例子。显然，本实用新型不限于上述实施例，还可以有许多变形。凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均应认为属于本实用新型的保护范围。